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K6F2008V2E-YF70 参数 Datasheet PDF下载

K6F2008V2E-YF70图片预览
型号: K6F2008V2E-YF70
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内容描述: 256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 136 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K6F2008V2E家庭
写周期时序波形( 1 )
(我们控制)
t
WC
地址
t
CW(2)
CS
1
t
AW
CS
2
t
WP(1)
WE
t
AS(3)
DATA IN
t
WHZ
数据输出
数据中,未定义
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WR(4)
CMOS SRAM
写周期时序波形( 2 )
( CS
1
控制)
t
WC
地址
t
AS(3)
CS
1
t
AW
CS
2
t
WP(1)
WE
t
DW
DATA IN
数据有效
t
DH
t
CW(2)
t
WR(4)
数据输出
高-Z
高-Z
7
修订版1.1
2003年5月