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    K6F2008V2E-YF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6F2008V2E-YF70图片预览
    型号： K6F2008V2E-YF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 136 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第9页  
    K6F2008V2E家庭
    时序图
    读周期时序波形（ 1 ）
    地址
    t
    OH
    数据输出
    以前的数据有效
    t
    AA
    （地址控制
    ,
    CS1=OE=V
    IL
    我们= V
    IH
    )
    CMOS SRAM
    t
    RC
    数据有效
    读周期时序波形（ 2 ）
    （WE = V
    IH
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    CO1
    CS
    1
    t
    HZ(1,2)
    CS
    2
    t
    CO2
    t
    OE
    t
    OH
    OE
    t
    OLZ
    数据输出
    笔记
    （读周期）
    1.
    t
    HZ
    和
    t
    OHZ
    被定义为时间，让输出达到开路条件和没有被引用到输出电压
    的水平。
    2.在任何给定的温度和电压条件下，
    t
    HZ
    （最大）小于
    t
    LZ
    （分钟）都对于给定的设备和从设备到设备
    互联。
    t
    OHZ
    数据有效
    高-Z
    t
    LZ
    6
    修订版1.1
    2003年5月

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