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    K6F2008V2E-YF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6F2008V2E-YF70图片预览
    型号： K6F2008V2E-YF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 136 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第9页  
    K6F2008V2E家庭
    写周期时序波形（ 3 ）
    （ CS
    2
    控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AS(3)
    CS
    1
    t
    AW
    CS
    2
    t
    CW(2)
    WE
    t
    WP(1)
    t
    DW
    DATA IN
    数据有效
    t
    DH
    t
    WR(4)
    CMOS SRAM
    数据输出
    笔记
    （写周期）
    高-Z
    高-Z
    低CS重叠期间发生1.写
    1
    ，高的CS
    2
    和低WE 。一开始写在CS中的最新过渡
    1
    变为低电平时，
    CS
    2
    会很高，我们变低：写在结束CS中最早转型
    1
    要高， CS
    2
    要低，我们要高，
    t
    WP
    从写入到写操作的开始时测得的。
    2. t
    CW
    是从CS测量
    1
    变低或CS
    2
    变高，以写的末尾。
    3. t
    AS
    从地址有效到写的开始测量的。
    4. t
    WR
    从写入地址变更的端部测量的。
    数据保存波形
    CS
    1
    控制
    V
    CC
    3.0V
    t
    SDR
    数据保持方式
    t
    RDR
    2.2V
    V
    DR
    CS
    1
    ≥V
    CC
    - 0.2V
    CS
    1
    GND
    CS
    2
    控制
    V
    CC
    3.0V
    CS
    2
    t
    SDR
    数据保持方式
    t
    RDR
    V
    DR
    0.4V
    GND
    CS
    2
    ≤0.2V
    8
    修订版1.1
    2003年5月

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