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    K6F2008V2E-YF70 参数 Datasheet PDF下载

    K6F2008V2E-YF70图片预览
    型号： K6F2008V2E-YF70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 136 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6F2008V2E-YF70的Datasheet PDF文件第9页  
    K6F2008V2E家庭
    交流工作条件
    测试条件
    （测试负载和测试输入/输出参考）
    输入脉冲电平： 0.4〜 2.2V
    输入上升和下降时间： 5ns的
    输入和输出参考电压： 1.5V
    输出负载（见右图） ：C
    L
    =100pF+1TTL
    C
    L
    =30pF+1TTL
    CMOS SRAM
    V
    TM
    3)
    R
    1
    2)
    C
    L
    1)
    R
    2
    3)
    1.包括范围和夹具电容
    2. R
    1
    =3070Ω
    ,
    R
    2
    =3150Ω
    3. V
    TM
    =2.8V
    AC特性
    （ VCC = 3.0 〜 3.6V ，T
    A
    = -40〜 85 ℃）下
    速箱
    参数表
    符号
    民
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片选择输出
    输出使能到输出有效
    读
    芯片选择低阻抗输出
    输出使能为低阻抗输出
    芯片禁用到高阻输出
    输出禁止到高阻输出
    从地址变更输出保持
    写周期时间
    片选写的结束
    地址建立时间
    地址有效到写结束
    写
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    写入输出高阻
    数据写入时间重叠
    从时间写数据保持
    结束写入到输出低Z
    1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
    55ns
    1)
    最大
    -
    55
    55
    25
    -
    -
    20
    20
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    -
    -
    -
    民
    70
    -
    -
    -
    10
    5
    0
    0
    10
    70
    60
    0
    60
    50
    0
    0
    30
    0
    5
    55
    -
    -
    -
    10
    5
    0
    0
    10
    55
    45
    0
    45
    40
    0
    0
    25
    0
    5
    70ns
    最大
    -
    70
    70
    35
    -
    -
    25
    25
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    -
    -
    -
    单位
    t
    RC
    t
    AA
    t
    CO
    t
    OE
    t
    LZ
    t
    OLZ
    t
    HZ
    t
    OHZ
    t
    OH
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AS
    t
    AW
    t
    WP
    t
    WR
    t
    WHZ
    t
    DW
    t
    DH
    t
    OW
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    数据保持特性
    项
    VCC为数据保留
    数据保持电流
    数据保留的建立时间
    恢复时间
    符号
    V
    DR
    I
    DR
    t
    SDR
    t
    RDR
    测试条件
    CS
    1
    ≥Vcc-0.2V
    1)
    VCC = 1.5V ， CS
    1
    ≥Vcc-0.2V
    1)
    看到数据保存波形
    民
    1.5
    -
    0
    t
    RC
    典型值
    -
    0.2
    2)
    -
    -
    最大
    3.6
    2
    -
    -
    单位
    V
    µA
    ns
    1. CS
    1
    ≥Vcc-0.2V,
    CS
    2
    ≥Vcc-0.2V(CS
    1
    控制）或CS
    2
    ≤0.2V(CS
    2
    控制）。
    2.典型值是在T测
    A
    = 25°C ，而不是100 ％测试。
    5
    修订版1.1
    2003年5月

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