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2N6756产品参数
型号:2N6756
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.08
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):75 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified
参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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