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    2N7002E 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002E图片预览
    型号： 2N7002E
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    内容描述： N沟道FET的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 80 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号2N7002E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7002E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7002E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7002E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2N7002E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2N7002E的Datasheet PDF文件第9页  
    2N7002E
    N-channel TrenchMOS™ FET
    Rev. 02 — 26 April 2005
    Product data sheet
    1. Product profile
    1.1 General description
    N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using
    TrenchMOS™ technology.
    1.2 Features
    s
    Logic level threshold compatible
    s
    Surface-mounted package
    s
    Very fast switching
    s
    TrenchMOS™ technology
    1.3 Applications
    s
    Logic level translator
    s
    High speed line driver
    1.4 Quick reference data
    s
    V
    DS
    ≤
    60 V
    s
    R
    DSon
    ≤
    3
    Ω
    s
    I
    D
    ≤
    385 mA
    s
    P
    tot
    = 0.83 W
    2. Pinning information
    Table 1:
    Pin
    1
    2
    3
    Pinning
    Description
    gate (G)
    source (S)
    drain (D)
    1
    2
    3
    D
    Simplified outline
    Symbol
    G
    SOT23
    mbb076
    S

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