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品牌:Texas Instruments
描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Ta) 1.5W(Ta) 9-DSBGA
制造商:Texas Instruments
系列:NexFET™
包装:带卷(TR)
零件状态:停產
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):40 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):5.6nC @ 4.5V
Vgs(最大值):-6V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):510pF @ 10V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.5W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:9-DSBGA
封装/外壳:9-UFBGA,DSBGA
标准包装:3,000
其它名称:296-27609-2
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
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