肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管或肖特基障垒二极管，是一种半导体二极管，具有快速开关和低噪声特性。它的结构类似于普通的二极管，但是在PN结上引入了一个金属-半导体接触，这个接触形成了一个肖特基势垒。与普通二极管不同的是，肖特基二极管的导电是通过肖特基势垒而不是PN结。肖特基二极管的主要特点是快速开关和低噪声，这使得它在许多高频电路中得到广泛应用。另一方面，PCF8574AT肖特基二极管的导通电压低，这意味着在低功耗电路中使用它可以有效地降低功耗。一、肖特基二极管的工作原理肖特基二极管的工作原理基于肖特基势垒的形成。当金属和半导体接触时，由于金属中的电子浓度高于半导体，所以金属中的电子会向半导体中移动，形成一个肖特基势垒。这个势垒实际上是一个电子空穴对，其中电子和空穴在势垒中交换。在正向偏置时，电子会从半导体侧向金属侧移动，这就形成了导电通路。在反向偏置时，肖特基势垒变得更加陡峭，阻止电子从半导体侧流向金属侧，因此肖特基二极管具有很高的反向电阻。二、肖特基二极管的优点1.快速开关肖特基二极管的导电是通过肖特基势垒而不是PN结实现的，因此它具有快速的开关速度。这使得它在高频电路中得到广泛应用。2.低噪声肖特基二极管的低噪声特性是由于肖特基势垒的形成。它的结构相对简单，没有PN结，因此没有PN结产生的噪声。3.低导通电压肖特基二极管的导通电压低于普通二极管，这意味着在低功耗电路中使用它可以有效地降低功耗。4.高反向电阻肖特基二极管的肖特基势垒非常陡峭，因此具有很高的反向电阻。这使得它在一些特殊的应用中得到广泛应用，例如作为放大器输入端的保护二极管。5.温度稳定性好肖特基二极管的温度

产品摘要VRRM（V）IO（A）VF最大值（V）+ 25°C30V + 25°C40 2 0.54 40描述和应用表面贴装肖特基势垒二极管，具有低正向电压跌落适用于高频整流和反向电压保护。DC - DC转换器频闪手机充电电路电机控制特点和好处阻力低等效极低的泄漏低VF，快速开关肖特基封装热额定温度为+ 150°C完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）符合AEC-Q101高可靠性标准机械数据案例：SOT26表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物;UL可燃性分类等级94V-0湿度敏感度：J-STD-020的1级端子：哑光锡表面退火铜引线框;（无铅电镀）根据MIL-STD-202，方法208可焊接重量：0.016克（近似值最大额定值（@TA = + 25°C，除非另有说明。）特征符号值单位连续反向电压VRRM 40 V.正向电流IF 2.2 A.峰值重复正向电流矩形脉冲占空比IFPK 3.55 A.非重复正向电流t≤100μst≤10msIFSM热特性特征符号值单位功耗@TA = + 25°C单模连续单个芯片在t <5 secsPD时测量连接到环境（注5）RθJA113°C / W.连接到环境（注6）RθJA73°C / W.存储温度范围TSTG -55至+ 150°C结温TJ + 150°C电气特性（@TA = + 25°C，除非另有说明。）特征符号最小值典型最大单位测试条件反向击穿电压V（BR）R 40 - - V IR = 1mA正向电压（注7）VF - 285 -mVIF = 50mA - 305 - IF = 1

属性平均整流电流 - 最大值千毫安峰值电流 - 最大值 12A反向电压 - 最大值[Vrrm] 40V反向电流 - 最大值 100μA正向电压 425mV功耗特点和好处高电流能力（IF = 1A）低VF完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）符合AEC-Q101高可靠性标准机械数据表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。UL易燃性分类等级94V-0湿气敏感度：J-STD-020的1级端子：哑光锡表面处理退火合金42引线框架。可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接重量：0.0089克（近似值）最大额定值（@TA = + 25°C，除非另有说明。）特征符号值单位连续反向电压VR 40 V.连续正向电流IF 1 A.正向电压@ IF = 1A（典型值）VF 425 mV平均峰值正向电流; D.C. = 50％IFAV 1750 mA非重复正向电流t100μsIFSM12 A.t10ms5.2A热特性特征符号值单位功耗，TA = + 25°C PD 500 mW结温TJ + 125°C存储温度范围TSTG -55至+ 150°C电气特性（@TA = + 25°C，除非另有说明。）特征符号最小值典型最大单位测试条件反向击穿电压V（BR）R 40 60 - V IR =300μA正向电压（注5）VF - 240 270毫伏IF = 50mA - 265 290 IF = 100mA - 305 340 IF = 250mA - 355 400 IF = 500mA - 39

BAT54A是肖特基二极管，贴片二极管。它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。主要参数BAT54A，采用SOT-23封装方式。 二极管类型:Schottky电流, If 平均:200mA电压, Vrrm:30V正向电压 Vf 最大:0.4V时间, trr 最大:5ns电流, Ifs 最大:0.6A封装形式:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:L42共接:阳极器件标记:D48外宽:3.05mm外部深???:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23正向电压, 于If:0.35V电流, If @ Vf:10mA电流, Ifsm:1A结温, Tj 最高:150°C表面安装器件:表面安装

凌力尔特公司 (LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “或”，且对电源电压的干扰最小。LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降，以在二极管“或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中，当电源切换时，控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353

加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)–2012年6月15日–凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出0V至18V双通道理想二极管控制器LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源“或”，且对电源电压的干扰最小。LTC4353调节外部N沟道MOSFET的正向压降，以在二极管“或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中，当电源切换时，控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353

基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管(Schottky Diodes)： 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整

肖特基二极管具有开关速度很快，而且正向电压低，低耦合容量的特征。为活用其高频特性．多使用在DBM (双重均衡混频器)电路中。 DBM电路的应用有平衡调制、同步检波、混频等．在调制信号上给子脉冲波，进行脉冲调制；给予直流电压调增益电路；在偏压电路上重叠调制信号的振幅调制电路等都很容易实现。图1是典型的应用举例。 图1 DBIM代表性应用电路 图2是由肖特纂二极管组成的最基本的DBM电路，它由2细平衡器和二极管桥式电路(注意D1～D2的极眭)构成，一般市场上出售的多是封装在如图3所示的金属盒里的 DBM。这里，我们进行自制，来研究其动作和特性。 图2 DBM的基本构成 图3 市场上的DBM例 制作方法很简单，准备2个如图4所示的眼镜铁心(Q5S，TDK生产)，同时缠绕3根电线(3线绕法)，然后不要弄错极性，连接二极管D1～D2。 平衡变压器的电感由所用的频带域决定，这里没有什么特别的理由，一般绕成10匝×3。 DBM电路中电路的平衡至关重要。二极管D1～D4、平衡变压器T1、T2的特性都要尽可能相同，我们实验中的二极管并没有进行特殊的选择。 图4 眼镜铁心例 另外，由于使用频率高和平衡变压器的平衡不好，所以此时如果在端子1、2及端子3、4之间插入平衡-不平衡变压器会比较有效果。

一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 电子电路中（当电路电压高于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多）。此外，SBD是根据漂移现象产生电流的，不会积累，也无须移去多余的载流子，因此也就不存在正向恢复或反向恢复现象。这就是SBD的莎Ⅱ很小的缘故。输出电压为4～5V的开关转换可以选用PIV为25 V或45 V的Si－SBD。例如1N6492、lN639l、1N6392等。SBD的缺点是：反向漏电流比普通二极管大得多，如图1所示的二极管伏安特性比较。这是因为Si－SBD的结电容较大的缘故，如USD45型Si－SBD的结电容约为4700 pF，而UFRD的结电容仅为5～150 pF，GaAs－SBD的结电容也只有100～500 pF。 图1 二极管伏安特性的比较 有关各种快速开关二极管的参数见表1～表3c。 表1 几种典型功率二极管的主要参数 表2 Si-SBD和UFRD参数级别的比较（1级最高） 表3 UFRD和Si-SBD、GaAs－SBD的主要参数 GaAs-SBD的反向恢复时间不大于10ns。适用于高频、高速动作的电路及电压稍高的电路，现已经实用化。例如，日本生产的GaAs－

rectifying 结也可以在半导体和金属之间形成。这样的结称作schottky barriers.schottky barrier 有点类似于pn结。比如，schottky barriers能用来作肖特基二极管，它很像pn二极管。schottky barriers 也可以在集成电路互连系统中的接触区域形成。 某种物质的work function相当于从它之中去掉一个电子所需的能量。每种物质特有的work function取决于它的晶体结构和它的成分。当两种不同work function 的物质相互接触时，每种物质中的电子有不同初始能量。因此在这两种物质之间存在着电压差，称为接触电压。考虑一下pn结的情况。结两边的半导体有相同的晶体结构。pn结的接触电压，或它的内电场，只取决于掺杂情况。在schottky barrier中，金属和半导体的不同的晶体结构对接触电压也有影响。 当铝碰到轻掺杂的n型硅时一个典型的rectifying schottky barrier就形成了(图1.14b)。为了平衡接触电压，载流子必须重新分布。电子从半导体扩散到金属，在那里他们堆积起来形成带负电的一个薄膜。硅中的电子的大量离开造成了一个由离子化的杂质原子形成区域－耗尽区（图1.14a）。耗尽区的电场又把电子从金属拉回到半导体。只有当扩散电流和漂移电流相等时才建立平衡。现在沿着schottky barrier的电压差就等于接触电压了。在schottky barrier的半导体一边只有很少的少数载流子，所以肖特基二极管又称为多数载流子器件。图1.14 在schottky barrier两边的过剩载流

成本更低、尺寸更小的功率校正电路推动笔记本电脑、消费电子及工业电源应用 意法半导体（纽约证券交易所：STM)和Velox半导体公司宣布在市场上联合推出GaN（氮化镓）肖特基二极管的合作销售协议。成为市场上公认的GaN肖特基二极管双货源供应商是两家公司共同的长远目标。GaN二极管使设备厂商能够设计和制造尺寸更小、效率更高、成本更低的计算机、消费电子和工业产品用开关电源(SMPS)。 两家公司都认为ST和Velox的互补性技能将会加快关键技术的开发，提高合作项目的成功概率，让双方筹借到所需的资金，提高产品的数量和质量。Velox正在开发600V的GaN肖特基二极管，目前新产品已进入投产前的最后开发阶段。ST将协助Velox公司完成产品开发，进行产品合格性测试，并负责产品的市场营销。 在合作协议的第一阶段，ST计划进行产品测试，确保所有的二极管合格，然后通过该公司的全球销售渠道，推销带有Velox商标的GaN肖特基二极管。在第二阶段，Velox和ST期望成为该产品正式双货源。Velox正在向ST授权该器件的制造技术，以便在第二货源制造该产品。两家公司正在同步双方的制造和质量系统。同步工作可能会延迟Velox原定的产品投产时间，但是，时间上的延迟将会确保GaN二极管供货的连续性和灵活性。 “两家公司均认为，GaN产品在中远期内是600V电源器件市场上最佳的折衷方案之一，”意法半导体专用分立器件产品部总经理RicardodeSaEARP表示，“我们相信与Velox达成的这项交易使ST能够用最少的研发资金迅速推出新的快速增长的产品线。” “我们与ST达成的协议将有助于Velox满足客户对可

意法半导体(ST)和Velox半导体公司宣布在市场上联合推出GaN(氮化镓)肖特基二极管的合作销售协议。成为市场上公认的GaN肖特基二极管双货源供应商是两家公司共同的长远目标。GaN二极管使设备厂商能够设计和制造尺寸更小、效率更高、成本更低的计算机、消费电子和工业产品用开关电源(SMPS)。 两家公司都认为ST和Velox的互补性技能将会加快关键技术的开发，提高合作项目的成功概率，让双方筹借到所需的资金，提高产品的数量和质量。Velox正在开发600V的GaN肖特基二极管，目前新产品已进入投产前的最后开发阶段。ST将协助Velox公司完成产品开发，进行产品合格性测试，并负责产品的市场营销。 在合作协议的第一阶段，ST计划进行产品测试，确保所有的二极管合格，然后通过该公司的全球销售渠道，推销带有Velox商标的GaN肖特基二极管。在第二阶段，Velox和ST期望成为该产品正式双货源。Velox正在向ST授权该器件的制造技术，以便在第二货源制造该产品。两家公司正在同步双方的制造和质量系统。 同步工作可能会延迟Velox原定的产品投产时间，但是，时间上的延迟将会确保GaN二极管供货的连续性和灵活性。 GaN是一种宽带隙的半导体材料，目前通常用于光电应用领域，以及大功率器件和高频产品。在开关电源应用中，GaN产品有助于实现频率更高的功率因数校正电路，因为在效能、产品尺寸、低噪声、更小的散热器以及更高的良率方面，GaN这些产品具有优势。 GaN的应用为用户带来很多好处，例如，它可以降低二极管和MOSFET的开关功耗，因为在关断阶段无电压过冲，所以不再需要有源吸能组件，它还能提高能

世界功率管理技术领袖国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)近日推出四款新型FlipKY(tm)肖特基二极管。与业界普通标准的肖特基器件相比，它们的体积更小，工作效率更高。这些新型0.5A和1.0A器件采用节省空间的芯片级封装(CSP)，最适于空间受限的手持和便携设备，如移动电话、智能电话、MP3播放器、PDA和微型硬盘驱动器，应用范围包括电流调节、ORing及升压和续流电路。 30V的IR0530CSP和40V的IR05H40CSP均属于0.5A器件，两者都采用紧凑的3焊球芯片级封装，只占用1.1平方毫米的电路板空间，高度也只有0.6毫米。与业界标准的SOD-123封装肖特基二极管相比，IR的这款新型0.5AFlipKY器件所占空间减少了80%，而热性能改善了40%。 30V的IR130CSP和40V的IR1H40CSP均属于1A的BGA器件，只占用2.3平方毫米的电路板空间，约为JEDECDO-216AA封装所占面积的三分之一，但是却具有相同的电性能和热性能。 IR中国及香港销售总监严国富表示:“手持和便携设备的功能与日俱增，体积则不断减小，因此需要小巧的功率管理器件相配合。IR的FlipKY系列器件更加小巧轻薄，有助于设计人员满足未来产品开发的需要。” FlipKY(tm)封装技术要点 IR的FlipKY芯片尺寸封装技术省却了传统器件封装的引线框、环氧和模塑化合物，并能在硅片的一面提供所有的电气连接。这种设计不但能减少电路板空间和器件高度，还可以降低寄生电感。在LCD显示器或LED驱动器升压转换器等高频开关应用中，寄生电感越低，电压尖峰和开

基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管(Schottky Diodes)： 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特

英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。 SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源（SMPS）的有源功率因数校正（CCM PFC）和太阳能逆变器与电机驱动器等其他AC/DC和DC/DC电源转换应用。 相对于第二代产品，英飞凌全新的SiC肖特基二极管的器件电容降低约40%，因此减少了开关损耗。例如，工作频率为250 kHz的1kW功率因数校正级在20%负载条件下整体能效将提高0.4%。更高的开关频率允许使用成本更低、更小的无源组件（如电感和电容器），实现更高功率密度设计。更低的功耗也降低了对散热器和风扇的尺寸和数量要求，从而降低系统成本，提高可靠性。英飞凌期望将某些SMPS应用的系统成本降低20%。 英飞凌工业及多元化ic37部高压MOS业务负责人Andreas Urschitz指出：“英飞凌在全球范围内率先提供SiC肖特基二极管，于2001年推出首批产品。近8年来，英飞凌在多个方面对碳化硅肖特基二极管技术进行了众多重大改进，例如浪涌电流稳定性、开关性能和产品成本，使SiC技术惠及更多应用，并且降低了解决方案成本。SiC是一种真正的创新技术，有助于对抗全球气候变化，推动太阳能和

MDD（Metal-Diode-Dielectric）肖特基二极管是一种常用于电源应用中的高性能二极管。在充电桩电源中使用MDD肖特基二极管可以有效降低功率损耗，提高整个DP83848IVVX系统的效率和稳定性。1. MDD肖特基二极管的特点：MDD肖特基二极管具有多种优良特性，适合用于提高充电桩电源的效率和降低功率损耗：- 低反向漏电流：MDD肖特基二极管的反向漏电流很小，有助于减少静态功耗并提高整个系统的效率。- 高开关速度：MDD肖特基二极管具有快速的开关特性，能够减小开关过程中的能量损耗，降低降压和整流电路中的损耗。- 低导通压降：MDD肖特基二极管在导通状态时具有较低的压降，减少了功耗，提高了系统的转换效率。- 良好的热特性：MDD肖特基二极管的热特性好，可以更好地耐受高温环境，减少因温度升高而引起的性能变化和故障风险。2. MDD肖特基二极管在充电桩电源中的应用：在充电桩电源中，MDD肖特基二极管可以用于电源开关、电源逆变、电源滤波等各个环节，以提高整个充电桩系统的性能。具体包括：- 充电桩的开关功率器件：MDD肖特基二极管可用作开关管，实现充电桩中的能量转换和控制，通过开关减小功耗。- 逆变器：在逆变器中，MDD肖特基二极管用于有效地将直流电能转换为交流电能，提高能源利用率。- 滤波电路：MDD肖特基二极管可用于滤波电路中，帮助减小电压脉动和电磁干扰，提供稳定的电源输出。3. MDD肖特基二极管的优势带来的效果：通过在充电桩电源中应用MDD肖特基二极管，可以获得诸多益处，包括但不限于：- 降低功率损耗：MDD肖特基二极管的低反向漏电流和低导通压降有助于降低功率损耗

快恢复二极管（Fast Recovery Diode）和肖特基二极管（Schottky Diode）是电子元件领域中两种常见的BTS3118N二极管，它们都具有快速导电的特性，但在结构、工作原理以及应用领域上有着明显的不同。理解这些差异有助于判断它们是否可以互换使用。快恢复二极管快恢复二极管是一种特殊设计的PN结二极管，它针对普通二极管恢复时间较长的问题进行了改进，使其可以在高频电路中使用，减少开关时产生的能量损失。快恢复二极管通常用于变频器、开关电源、逆变电路等高频电路中。它的主要特点是具有较短的反向恢复时间（trr），可以实现快速切换，但相较于肖特基二极管，快恢复二极管的正向压降较大，反向漏电流较小。肖特基二极管肖特基二极管采用金属与半导体之间的肖特基势垒来形成导电通道，与传统的PN结二极管相比，具有更低的正向导通压降和更快的切换速度。肖特基二极管非常适合作为电源整流器件，特别是在低压应用中表现出色。它的反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，但缺点是在高温下反向漏电流较大，且反向耐压一般不高。是否可以互换快恢复二极管和肖特基二极管虽然在某些性能上有交叉（如快速开关特性），但它们的核心优势和适用场景有所不同。因此，它们是否可以互换使用，需要根据具体的应用场景和要求来决定：1.正向压降和效率要求：如果应用对正向压降和效率有严格要求，肖特基二极管通常是更好的选择。2.反向耐压和漏电流：在需要较高反向耐压和较小漏电流的应用中，快恢复二极管可能更加合适。3.工作频率：对于高频应用，两者都可以考虑，但具体选择取决于正向压降、反向恢复时间和其他参数的综合考虑。4.温度特性：如果应用环境温度

三端肖特基二极管，也叫做"多层结构双极耦合结双栅MOSFET"，是一种EP20K200EFC484-3半导体器件，可用于高频放大、开关、混频等电路中。在判断三端肖特基二极管好坏之前，我们首先需要了解三端肖特基二极管的结构和原理。然后，我们可以通过来判断其好坏。三端肖特基二极管的结构与普通肖特基二极管类似，但新增了一个控制栅极。它由一个N型半导体材料作为阳极，一个P型半导体材料作为阴极，并在两者之间嵌入一个金属或N型区域作为栅极。这样的结构使得栅极能够控制阳极-阴极之间的电流流动。三端肖特基二极管的工作原理基于肖特基势垒的形成。当栅极电压为正且高于阈值电压时，栅极和阴极之间形成一个正向偏置势垒，在阳极和阴极之间形成一个击穿电场，电流可流经阳极和阴极之间的“场”区域。当栅极电压为负和接近零时，势垒消失，电流无法通过。三端肖特基二极管的优点在于其具有较低的开启电压和较高的开关速度。它的开启电压一般在400mV左右，这意味着它的导通特性比普通二极管更好。此外，由于它具有肖特基结，所以具有快速恢复和低反向恢复电流的特性，使得其开关速度明显快于普通二极管。判断三端肖特基二极管（也称为混合接面二极管）的好坏通常可以参考以下几个方面：1.正向压降与反向漏电流： 正常工作时，肖特基二极管在正向偏置下应有较小的正向压降（通常在0.2V以下），而在反向偏置下应有很小的反向漏电流。通过使用万用表的二极管测试功能，可以测量二极管的正向压降和反向漏电流，若正向压降过大或反向漏电流过大，则可能表示二极管存在问题。2.反向击穿电压： 肖特基二极管具有较高的反向击穿电压，可以承受较高的反

肖特基二极管（Schottky diode）是一种常见的二极管。它具有一些独特的特性，使其在许多电子应用中得到广泛应用。以下是肖特基二极管的四个重要特性：1、低电压降（Low Voltage Drop）：肖特基二极管具有较低的正向电压降（正向压降通常在0.2至0.4伏之间），相对于普通的l4960整流二极管（如硅二极管）而言，其正向电压降更低。这使得肖特基二极管更适合于需要较低电压降的应用，因为这有助于减少功耗和热量产生。2、快速开关速度（Fast Switching Speed）：肖特基二极管的开关速度非常快。它具有较低的反向恢复时间（Reverse Recovery Time, Trr），通常在纳秒级别。这种快速开关特性使肖特基二极管非常适合需要高频率和高速开关的应用，例如功率放大器、开关电源和无线通信设备。3、低反向漏电流（Low Reverse Leakage Current）：相比较普通的整流二极管，肖特基二极管具有更低的反向漏电流。这意味着在反向偏置时，肖特基二极管的电流流过较小，从而降低了功耗和热量产生。这种特性使得肖特基二极管特别适用于低功耗和高效率的电子设备，例如太阳能电池板和可穿戴设备。4、高温稳定性（High Temperature Stability）：肖特基二极管在高温环境下具有较高的稳定性。相比较普通的整流二极管，肖特基二极管能够在高温下工作，而不会出现过多的性能退化。这使得它在高温应用中非常有用，例如汽车电子、航空航天和工业控制系统。总结起来，肖特基二极管的四个主要特性是低电压降、快速开关速度、低反向漏电流和高温稳定性。这些特性使得肖特基二极管在许

普通硅二极管和肖特基二极管是两种常见的MURS360T3G二极管类型，它们在结构、工作原理、特性和应用上存在一些区别。下面将详细介绍普通硅二极管和肖特基二极管的异同。1、结构差异：普通硅二极管是一种PN结二极管，由P型和N型硅材料组成。当P型区域与N型区域之间形成了一个结（PN结），它会产生一个电势差，称为内建电势。当外加正向电压施加在PN结上时，P型区域的正电荷会被施加的电场推向N型区域，形成一个电荷云。这使得电子从N型区域向P型区域移动，并产生电流。但当外加反向电压施加在PN结上时，P型区域的正电荷被吸引到N型区域，阻止电子流动，形成一个很高的电阻。肖特基二极管是由N型硅和金属材料（如铬、铝、钨等）组成的。其中，N型区域是由五价掺杂剂掺杂的硅材料组成，金属材料被用作P型区域，形成了一个金属-半导体接触。2、工作原理差异：普通硅二极管的工作原理是基于PN结的整流效应。当半导体二极管的正向电压大于二极管的阈值电压时，电流可以流过二极管，形成正向偏置；当半导体二极管的反向电压大于二极管的阈值电压时，电流无法流过二极管，形成反向偏置。肖特基二极管的工作原理是基于肖特基结的肖特基效应。在肖特基二极管中，金属与半导体的接触处形成了一个势垒，当势垒处于正向偏置时，电子会从金属向半导体注入，形成电流；当势垒处于反向偏置时，电子无法从金属向半导体注入，形成截止状态。3、电压特性差异：普通硅二极管在正向偏置电压下，具有一个固定的正向电压降，称为正向压降。一般来说，正向压降约为0.6V至0.7V。在反向偏置电压下，普通硅二极管具有一个较高的反向击穿电压，超过该电压会导致电流大幅度增加。肖特基二极

肖特基二极管（Schottky diode）和普通二极管（ordinary diode）是两种常见的电子元件，它们之间有一些重要的区别。以下是肖特基二极管和普通二极管在结构、工作原理和应用方面的区别：1、结构：肖特基二极管：肖特基二极管S8050是由金属和半导体材料（通常是硅或砷化镓）组成的。金属与半导体之间形成一个肖特基势垒，这是由于金属的低功函数和半导体的能带结构之间的差异所致。普通二极管：普通二极管由两个半导体材料（通常是硅或锗）组成，其中一个材料是P型半导体，另一个是N型半导体。两个半导体材料之间形成一个PN结，这是由于材料的掺杂差异所致。2、功能原理：肖特基二极管：肖特基二极管的工作原理基于肖特基势垒的形成。当正向偏置时，金属与P型半导体之间的势垒被减小，电流可以流过。当反向偏置时，势垒增大，使得很少的电流流过。普通二极管：普通二极管的工作原理基于PN结的形成。当正向偏置时，P区域的正电荷和N区域的负电荷相吸引，电流可以流过。当反向偏置时，P区域的负电荷和N区域的正电荷相吸引，形成一个高的势垒，阻止电流流动。3、特性：肖特基二极管：肖特基二极管具有快速开关速度和低的开启电压（通常为0.2V至0.5V），这使得它适用于高频和高速应用。此外，它还具有较低的反向恢复时间和较低的反向漏电流。普通二极管：普通二极管具有较高的开启电压（通常为0.6V至0.7V），较慢的开关速度和较高的反向恢复时间。普通二极管的反向漏电流较高。4、应用：肖特基二极管：由于其快速开关速度和低的开启电压，肖特基二极管广泛应用于高频电路、高速电路、功率电路以及数字逻辑电路中。在这些应用中，肖特基二极管可

一、碳化硅肖特基二极管的原理碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应，即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒，使得半导体中的载流子向金属一侧偏移，形成整流效应。碳化硅肖特基二极管XC9572XL-10TQG100C的主要结构包括P型碳化硅（p-type SiC）和金属端子。P型碳化硅作为阳极，金属端子作为阴极，两者之间形成了一个肖特基势垒。当外加正向电压时，势垒被降低，电流得以流通，形成导通状态；当外加反向电压时，势垒被加高，电流无法流通，形成截止状态。由于碳化硅具有较高的击穿电压和较低的漏电流，因此碳化硅肖特基二极管具有较高的开关速度和较低的功耗。二、碳化硅肖特基二极管的应用碳化硅肖特基二极管具有高速、高温、高功率等特性，在高频电路、电源管理、光伏逆变器等领域有广泛的应用。1、高频电路碳化硅肖特基二极管具有极高的开关速度，可用于高频电路中，如微波电路、射频电路等。由于碳化硅肖特基二极管具有较低的串联电阻和反向电容，因此能够提高高频电路的效率和可靠性。2、电源管理碳化硅肖特基二极管可用于电源管理中，如直流-直流变换器、交流-直流变换器等。由于碳化硅肖特基二极管具有较低的导通电阻和较低的开关损耗，因此能够提高电源管理系统的效率和功率密度。3、光伏逆变器碳化硅肖特基二极管可用于光伏逆变器中，用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。由于碳化硅肖特基二极管具有较高的开关速度和较低的开关损耗，因此能够提高光伏逆变器的效率和可靠性。4、电动汽车碳化硅肖特基二极管可用于电动汽车中，如电池管理、电机控制等。由于碳化硅肖特基二极管

二极管是一种最简单的半导体器件，它由两个不同类型的半导体材料组成，即P型半导体和N型半导体。快恢复二极管和肖特基二极管都是二极管的一种，它们的区别主要在于其工作原理和应用领域。一、快恢复二极管快恢复二极管是一种具有快速恢复时间的ADM485ARZ二极管，其特点是具有快速的反向恢复时间和低反向恢复电流。快恢复二极管的结构与普通二极管相似，但其P型区和N型区之间插入了一层高掺杂的P+区或N+区，这种结构使得电荷载流子的扩散速度加快，因此具有快速的反向恢复特性。快恢复二极管的应用领域广泛，例如逆变器、电源、电机驱动器、电子变压器、高速开关等。由于其快速的反向恢复时间和低反向恢复电流，可以在高频率和高电压的电路中使用，以提高电路效率和稳定性。二、肖特基二极管肖特基二极管是一种具有低正向压降和快速开关速度的二极管，它是由金属与半导体PN结组成的。与快恢复二极管不同，肖特基二极管的P型区是由金属与半导体PN结组成的，这种结构使得正向电压下的载流子扩散速度加快，因此具有低正向压降和快速开关速度的特性。肖特基二极管的应用领域主要集中在低压、低功耗的电路中，例如电源、放大器、逆变器、开关电源等。由于其低正向压降和快速开关速度，可以在低功耗的电路中使用，以提高电路效率和稳定性。三、快恢复二极管与肖特基二极管的比较1、材料组成二极管由两个不同类型的半导体材料组成，而肖特基二极管由金属和半导体材料组成。2、极性二极管是一种单向导电元件，只允许电流在一个方向上流动。而肖特基二极管也是一种单向导电元件，但它可以在低电压下工作，具有更快的响应速度和更低的噪声。3、正向偏置在正向偏置下，二极管和肖特基二极管都

碳化硅肖特基二极管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一种高性能半导体器件，具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点，广泛应用于电源、驱动、SN74CBTLV3257DBQR逆变器、电动汽车等领域。一、碳化硅肖特基二极管的基本原理碳化硅肖特基二极管采用碳化硅材料制成，其结构与普通PN结二极管相似，但没有PN结。它是由一个金属反型接触（Metal-Semiconductor）和一个P型碳化硅半导体组成的。当肖特基二极管正向偏置时，由于金属反型接触与P型碳化硅半导体之间的势垒很小，因此只需要很小的电压就可以使电子从半导体中流向金属反型接触。这就产生了一个高导电性的通道，使电流可以很容易地流过肖特基二极管。反向偏置时，碳化硅肖特基二极管没有PN结，因此不存在PN结反向击穿的问题，反向电流很小。碳化硅肖特基二极管的主要特点是具有低开启电压和高速开关能力。开启电压（Forward Voltage，VF）是指在正向偏置下，电流达到一定值时的电压。碳化硅肖特基二极管的开启电压很低，通常在1V以下，这比硅肖特基二极管低得多。因此，碳化硅肖特基二极管可以在更低的电压下工作，从而减小电源损耗。碳化硅肖特基二极管的高速开关能力是指其电流上升和下降的速度很快。这是由于碳化硅材料的载流子迁移率高，电子和空穴的迁移速度很快。这使得碳化硅肖特基二极管可以在高频率下工作，从而实现更高的功率密度和更高的效率。二、碳化硅肖特基二极管的优点（1）高开关速度：碳化硅肖特基二极管的开关速度比传统的硅肖特基二极管快10倍以上，可以实现高频开关。（2）低漏电流：碳化硅肖特基二极管的漏电流比传统

肖特基二极管是一种非常常见的半导体器件，它具有很多独特的特性。本文将会介绍肖特基二极管的四大特性：快速恢复、低反向漏电流、低正向压降和高频特性。一、快速恢复特性肖特基二极管LM358DT有一个非常重要的特性，就是快速恢复。这意味着当肖特基二极管从导通状态切换到截止状态时，其恢复时间非常短，可以达到纳秒级别。相比之下，普通的快恢复二极管通常需要几十纳秒的恢复时间。这是因为肖特基二极管的结构比快恢复二极管更简单。肖特基二极管的结构由一个P型半导体和一个N型半导体组成，两者之间没有PN结，因此不存在PN结的载流子复合问题。这样就避免了快恢复二极管中的电荷注入和电荷积累问题，使得肖特基二极管的恢复速度更快。快速恢复特性使得肖特基二极管非常适合高频、高速电路的应用，比如电源开关、电机驱动、LED驱动等。在这些应用中，肖特基二极管可以快速地切换电流，从而实现高效、低损耗的电能转换。二、低反向漏电流特性肖特基二极管的另一个重要特性是低反向漏电流。正常情况下，PN结二极管的反向漏电流很小，但是当PN结反向电压增大时，反向漏电流会急剧增加。这是因为在高反向电压下，PN结中的载流子会被加速，足以穿过势垒，从而形成反向电流。相比之下，肖特基二极管的反向漏电流要小得多。这是因为肖特基二极管的结构中没有PN结，因此不存在势垒高度的问题。此外，肖特基二极管的结构中还加入了金属-半导体接触，这进一步降低了反向漏电流。低反向漏电流特性使得肖特基二极管非常适合一些高精度、低功耗的应用，比如精密测量、医疗设备等。在这些应用中，对于反向电流的要求非常高，因此需要使用低反向漏电流的器件。三、低正向压降特性肖特基二极管

日前消息，据外媒报道，碳化硅（SiC）功率器件的市场领先者科锐公司（Nasdaq: CREE）宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。 科锐1700V Z-Rec肖特基二极管从根本上消除了硅PiN二极管替代品中存在的反向恢复损耗，能够使系统实现超高效率并且更小、更轻，同时提高了整体的可靠性。此次发布的全新封装产品采用1700V Z-Rec技术，进一步提升分立器件设计低功率应用的性能并且节约系统成本。 科锐功率与射频（RF）副总裁兼总经理 Cengiz Balkas 表示：“科锐1700V碳化硅肖特基二极管是高效电力电子系统的理想选择。它拥有业经验证的科锐Z-Rec碳化硅肖特基二极管的所有优势——包括零反向恢复损耗，不受温度影响的开关以及在更高频率下工作。” 1700V裸芯片已经提供给自主设计定制电源模组的客户进行使用。而新型TO-247-2封装能够使客户充分运用低功率1700V设计的碳化硅的优势，在选择电流级别时拥有更大的设计灵活性，并加快产品上市时间。 Balkas进一步指出：“1700V碳化硅肖特基二极管为高压电源应用领域的设计工程师提供了诸多优势。碳化硅二极管能够实现最大电源效率和更好的电磁干扰（EMI）性能。开关损耗的改善则能够提高系统频率，从而缩小电磁性和电容性器件的尺寸，并且能够使得系统整体尺寸、重量和成本都将显着减少。此外，1700V碳化硅二极管可以消除多个低电压硅二极管的叠加使用，从而能够减少器件数量，提高散热性能和可靠性。” 科锐C3Dxx170H新型碳化硅二极管系列的额定电流/电压分别为10A

碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。科锐创始人之一兼功率和无线射频(RF)产品研发部门首席技术官 John Palmour 指出：“为了开发新一代功率电子产品，设计工程师正在发掘碳化硅肖特基二极管特有的性能优势，包括零反向恢复损耗、不受温度影响的开关损耗以及能在更高频率下工作等，都能支持更低的电磁干扰(EMI)信号。在不影响性能的前提下，该全新系列二极管可以实现比前一代碳化硅肖特基二极管更高的电流密度和更强的电子雪崩性能。科锐近期在器件设计方面的创新和对工艺改进矢志不渝的努力，让我们能够在降低每安培成本的同时提供更高的额定电流值。”科锐Z-Rec二极管具有零反向恢复损耗特性，与同类硅二极管相比，开关损耗可锐减 50%。该产品在运行温度范围内具有高度一致的开关性能，可以简化电路设计并能省去复杂的散热器系统设计。在与科锐近期推出的1200V碳化硅功率MOSFET配合使用时，这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行，其运行的开关频率较传统硅二极管和 IGBT 可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸，降低逆变器电路的复杂程度和成本，还能达到极高的系统效率。与上一代碳化硅肖特基二极管相比，该系列产品的优势在于具有更高的浪涌额定值和电子雪崩性能，可以帮助提高系统整体的可靠性。该系列产

应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(m?)、3 m?及5 m?的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 开关损耗也保持最低。 安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、个人计算机(PC)、笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换、负载点(POL)转换及低端开关操作。 安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“集成肖特基二极管借助于集成在与初级FET结构相同的裸片中，减小死区时间导电损耗，因而提升能效及改善波形。这些新的器件为客户提供更宽阵容的产品及方案，解决他们独特的设计挑战。” 封装及价格 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低热阻抗的紧凑型5 mm x 6 mm SO-8FL封装。这些器件每10,000片批量的价格为0.45美元至0.90美元。 更多信息请访问。

随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势， 飞兆半导体 (NYSE: FCS) 开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件 FDZ3N513ZT ，占位面积仅为1mm x 1mm。 FDZ3N513ZT 是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏(以及按键，如果有键盘的话)提供照明。 该解决方案对各种动态特性作出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。 FDZ3N513ZT 结合了一个30V 集成式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值45pF) 和总体栅极电荷(1nC)，以提高升压转换器设计的效率。 FDZ3N513ZT 采用1mm x 1 mm WL-CSP封装，相比采用1.6mm x 1.6mm封装的器件，可节省60%的板上占位空间。 飞兆半导体是移动技术领域的领导厂商，拥有大量可针对特定要求而定制的模拟与功率IP产品组合。FDZ3N513ZT 是飞兆半导体全面的 先进MOSFET 系列的一部分，能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、薄型的高性能MOSFET的需求。 价格： 订购1,000个，单价为0.75美元 供货： 现提供样品 交货期 ：收到订单后12周

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制造商:onsemi产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息REACH - SVHC:详细信息产品:Schottky Diodes安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SMA-2配置:Single技术:SiIf - 正向电流:3 AVrrm - 重复反向电压:40 VVf - 正向电压:450 mVIfsm - 正向浪涌电流:100 AIr - 反向电流 :300 uA最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:MBRA340封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi高度:2 mm长度:4.32 mm产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:5000子类别:Diodes & Rectifiers端接类型:SMD/SMT类型:Schottky Diode宽度:2.6 mm单位重量:130 mg

   MBR2H200SFT1G 规格：    Brand Name    onsemi    是否无铅     不含铅    生命周期    Active    Objectid    8357345338    零件包装代码    SOD-123FL 2 LEAD    包装说明    SOD-123FL, 2 PIN    制造商包装代码    498-01    Reach Compliance Code    not_compliant    Country Of Origin    Malaysia    ECCN代码    EAR99    Factory Lead Time    73 weeks    风险等级    1.5    Samacsys Description    Surface Mount Schottky Power Rectifier    Samacsys Manufa

WAYON VDMOS系列可显著降低导通电阻和超低栅极电荷，适合要求高功率密度和高效率的应用。其产品规格涵盖500伏至1500伏。它广泛和稳定地用于SMPS，充电器，DC-DC等产品。它非常稳定，符合RoHS标准。 重置上海长园维安/深圳市联大电子有限公司(总代理）廖雪花：电话13670166496  QQ1046342124微信：13670166496（广东办事处）地址：深圳市龙华区民治布龙路荔苑大厦B座1005室WR1117A-50A70RGDTN2RS5-90WMO07N60C2WMO07N65C2WMK07N65C2WMK09N60C2WMK09N65C2WML09N65C2WML09N70C2WML10N65C2WMF10N65C2 WMP11N70C2  WML11N70C2 WMK13N50C2WMM14N65C2WMO20N65C2WMK26N60C2WML07N65C2WMK20N65C2WML11N60C2WMO15N10T1WML10N70EM  WMK340N20HG2WMR09N02T1 WML26N65SRWML10N70C4 WM06N30MWML18N50C4  WML16N60FDWMK099N10LG2WML80R480SWMK043N10HGDWMK043N10HGDWMK040N08HGSWMK040N08HGSWMO05N80M3WMK053NV8HGSWMK060N10LGSWMK060N10LGSWML06N80M3WML0

制造商:onsemi产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息产品:Schottky Diodes安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3配置:Single Dual Anode技术:SiIf - 正向电流:8 AVrrm - 重复反向电压:35 VVf - 正向电压:510 mVIfsm - 正向浪涌电流:75 AIr - 反向电流 :1.4 mA最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 C系列:MBRD835L封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi高度:2.38 mm长度:6.73 mm产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:2500子类别:Diodes & Rectifiers端接类型:SMD/SMT类型:Schottky Diode宽度:6.22 mm零件号别名:MBRD835LG单位重量:260.400 mg

制造商:onsemi产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息产品:Schottky Diodes安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SMB-2配置:Single技术:SiIf - 正向电流:3 AVrrm - 重复反向电压:200 VVf - 正向电压:860 mVIfsm - 正向浪涌电流:100 AIr - 反向电流 :1 mA最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 C系列:MBRS3200封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi高度:2.13 mm长度:4.32 mm产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:2500子类别:Diodes & Rectifiers类型:Schottky Diode宽度:3.56 mm单位重量:180 mg

制造商:onsemi产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息产品:Schottky Diodes安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SMB-2配置:Single技术:SiIf - 正向电流:2 AVrrm - 重复反向电压:40 VVf - 正向电压:540 mVIfsm - 正向浪涌电流:25 AIr - 反向电流 :2 mA最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:MBRS240L封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi高度:2.13 mm长度:4.32 mm产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:2500子类别:Diodes & Rectifiers类型:Schottky Diode宽度:3.56 mm单位重量:180 mg

制造商:onsemi产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息产品:Schottky Diodes安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3配置:Dual Anode Common Cathode技术:SiIf - 正向电流:6 AVrrm - 重复反向电压:40 VVf - 正向电压:900 mVIfsm - 正向浪涌电流:75 AIr - 反向电流 :100 uA最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 175 C系列:MBRD640CT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi高度:2.38 mm长度:6.73 mm产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:2500子类别:Diodes & Rectifiers端接类型:SMD/SMT类型:Schottky Diode宽度:6.22 mm零件号别名:MBRD640CTG单位重量:470 mg

制造商:onsemi产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息产品:Schottky Diodes安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3配置:Dual Anode Common Cathode技术:SiIf - 正向电流:6 AVrrm - 重复反向电压:60 VVf - 正向电压:900 mVIfsm - 正向浪涌电流:75 AIr - 反向电流 :100 uA最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 175 C系列:MBRD660CT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi高度:2.38 mm长度:6.73 mm产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:1800子类别:Diodes & Rectifiers端接类型:SMD/SMT类型:Schottky Diode宽度:6.22 mm零件号别名:MBRD660CTG单位重量:260.400 mg

制造商:onsemi产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息产品:Schottky Diodes安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3配置:Dual技术:SiIf - 正向电流:200 mAVrrm - 重复反向电压:30 VVf - 正向电压:800 mVIfsm - 正向浪涌电流:600 mAIr - 反向电流 :2 uA最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:BAT54SL封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:onsemi高度:0.94 mm长度:2.9 mm产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:3000子类别:Diodes & Rectifiers端接类型:SMD/SMT类型:Schottky Diode宽度:1.3 mm单位重量:30 mg

制造商:ROHM Semiconductor产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息产品:Schottky Diodes安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263S-3配置:Dual Anode Common Cathode技术:SiIf - 正向电流:40 AVrrm - 重复反向电压:60 VVf - 正向电压:600 mVIfsm - 正向浪涌电流:100 AIr - 反向电流 :800 uA最大工作温度:+ 150 C资格:AEC-Q101封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:ROHM Semiconductor产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:1000子类别:Diodes & RectifiersVr - 反向电压 :60 V零件号别名:RBR40NS60AFH

BAT54HT1G 肖特基二极管 ON 品牌：ON封装：SOD-363制造商：ON Semiconductor产品种类：肖特基二极管与整流器RoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SOD-323-2If - 正向电流：200 mAVrrm - 重复反向电压：30 VVf - 正向电压：0.52 VIfsm - 正向浪涌电流：600 mA配置：SingleIr - 反向电流：0.5 uA最小工作温度：- 55 C最大工作温度：+ 150 C系列：BAT54H高度：0.9 mm长度：1.7 mm工作温度范围：- 55 C to + 150 C端接类型：SMD/SMT宽度：1.25 mmPd-功率耗散：200 mWtrr - 反向恢复时间：5 nsVr - 反向电压：30 V单位重量：33 mg可售卖地：全国型号：BAT54HT1G

制造商:Diodes Incorporated产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息产品:Schottky Rectifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SMA (DO-214AC)配置:Single技术:SiIf - 正向电流:2 AVrrm - 重复反向电压:30 VVf - 正向电压:500 mVIfsm - 正向浪涌电流:50 AIr - 反向电流 :500 uA最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 C系列:B220/A - B260/A封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Diodes Incorporated高度:2.1 mm长度:4.6 mm产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers工厂包装数量:5000子类别:Diodes & Rectifiers端接类型:SMD/SMT类型:Schottky Barrier Rectifier宽度:2.92 mm单位重量:64 mg

地址：深圳市福田区佳和华强大厦A座2101主营集成芯片二三极管，专业工厂配单配套范围:集成电路ic 二三极管 电容电阻电感 晶振 LED 万用板 排针 排母 连接器接插件 XH、VH、PH系列 微动开关按键开关 FPC软排线 DC插座 USB 杜邦线等电子元件物料，深圳市亚泰盈科电子有限公司本着“客户至上”的原则，以“为客户带来最大效益”为目标，为客户提供最高质量、最优势竞争价格的产品及售后服务。如果您也在寻找电子元器件领域有资格的供应商，深圳市亚泰盈科电子有限公司一定是您的最佳选择！ 深圳市亚泰盈科电子有限公司凭借全球采购网络和丰富的行业经验，为客户提供快捷的资讯，可信赖的质量标准和优势的价格，一站式的便利采购、灵活的解决方案，成为国内外众多知名企业核准的现货合作伙伴，在业界赢得了良好的声誉和佳绩，被114网《国际电子商情》评为“全国最佳持续供货能力独立分销商”。 深圳市亚泰盈科电子有限公司前分销品牌元器件达三万余种，涵盖集成芯片、电容、电阻、晶体管、二极管、三极管、连接器等，专长于对紧缺、停产、热门等物料的供应，所服务的领域涉及光电投影、计算机与网络设备、手机通讯、汽车电子、消费电子、医疗器械、精密仪器、控制...

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BAT54SG UTC/友顺 肖特基二极管特点：直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：专业代理销售电容式触摸芯片 电源管理芯片 单片机 MOS管 IKSEMI一级代理    深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业.  奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商.  本公司代理推广的一系列优秀触摸芯片及语音芯片，现以大批量应用到智能电子锁、饮水机、电饭煲、LED台灯等控制器为顾客提供最佳解决方案，受到广大客户的一致赞誉。  奥伟斯科技优势行业集中在家用电器和汽车电子领域，包括：智能电子锁、饮水机、抽烟机、空调、洗衣机、冰箱、洗碗机、电饭煲、电磁炉、微波炉、电动自行车、汽车仪表、汽车音响、汽车空调等。销售网络覆盖华东、华南及华北地区。   奥伟斯科技已为众多世界著名企业提供服务如：美的、小米、云米、长虹、创维、三星、LG、飞利浦、TCL、海尔、美菱、沁园、等众多中国一流品牌电家厂商   奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片 低功耗单片机 马达驱动芯片 显示驱动芯片 刷卡芯片 时针芯片 存储芯片 语音芯片 低压MOS管 TVS二极管主要品牌产品:OWEIS-TECHOWE