一般发光二极管内部只封装一个管芯，它只能发出单一色的光。变色发光二极管则封装不两个管芯，一个管芯为红光材料，另一个管芯为绿光材料，如图1所示。图1变色发光二极管的结构图 图1(a)所示的变色发光二极管有三个引脚R、G、C，其中C为公共极。当在R上加正电压时，管子发红光;在G上加正电压时，管子发绿光;当R、G对C同时加正电压时，管子发出红、绿光的混合光，呈现橙色光。图1(b)所示的变色发光二极管是由两种不同材料的管芯反向并联构成的，只有两个引脚R、G。当R、G司加正向电压时，发红光的管芯通电发出红光;当R、G司加负向电压时，发绿光管芯通电发出绿光;当在R、G间加交变电压时，红、绿光交替闪亮，但由于人眼视觉残留时间的作用，当交变电压的周期小于0.1，时，人眼则感到它发出的是橙色光。 变色发光二极管广泛应用于各种电子产品中作为工作状态指示及产品装饰之用。 表1列出了一些变色发光二极管的主要特性参数及外形结构。 表1 一些变色发光二极管的主要特性参数及外形结构表

CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH---恒定电流、维持电流。Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制

二极管的极间电容 我们知道二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流，而在相反方向不易通过的的特性。这两种特性 合起来就产生了电容器的作用，即蓄积电荷的作用。蓄积有电荷，当然要放电。放电可以在任何方向 进行。而二极管只在一个方向有电流流过这种说法，严格来说是不成立的。这种情况在高频时就明显 表现出来。因此，二极管的极电容以小为好。最大额定值 最大反向峰值电压VRM 即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大直流反向电压VR 上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。 最大浪涌电流Isurge 允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。 最大平均整流电流IO 在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。 最大交流输入电压VI 在半波整流电路（电阻负荷）上加的正弦交流电压的有效值。这也是选择整流器时非常重要的参数。 最大峰值正向电流IFM 正向流过的最大电流值，这也是设计整流电路时的重要参数。 最大功率P 二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在 二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。 反向电流IR 一般说来，二极管中没有反向电流流过，实际上，加一定的反向电压，总会有电流流过，这就是反

型号最大功耗(mW)稳定电压(V)电流(mA)代 换 型 号国产稳压管日立稳压管最小值最大值新型号旧型号HZ4B25003.84.052CW1022CW214B2HZ4C15004.04.252CW1022CW214C1HZ65005.55.852CW1032CW21A6B1HZ6A5005.25.752CW1032CW21A HZ6C350066.452CW1042CW21B6C3HZ75006.97.252CW1052CW21C HZ7A5006.36.952CW1052CW21C HZ7B5006.77.352CW1052CW21C HZ9A5007.78.552CW1062CW21D HZ9CTA5008.99.752CW1072CW21E HZ115009.511.952CW1092CW21G HZ1250011.614.352CW1112CW21H HZ12B50012.413.452CW1112CW21H HZ12B250012.613.152CW1112CW21H12B2HZ18Y50016.518.552CW1132CW21J HZ20-150018.8619.4422CW1142CW21K HZ2750027.228.622CW1172CW21L27-3HZT33-024003133.552CW1192CW21M RD2.0E(B)5001.882.12202CW1002CW21P2B1RD2.7E4002.52.93202CW1012CW21S R

型号 最大耗散功率(W) 稳定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 型号 最大耗散功率(W) 稳定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 1N5236/A/B 0.5 7.5 61 2CW105-7.5V,2CW5236 1N5987 0.5 3 141 2CW51-3V,2CW5225 1N5237/A/B 0.5 8.2 55 2CW106-8.2V,2CW5237 1N5988 0.5 3.3 128 2CW51-3V3,2CW5226 1N5238/A/B 0.5 8.7 52 2CW106-8.7V,2CW5238 1N5989 0.5 3.6 118 2GW51-3V6,2CW5227 1N5239/A/B 0.5 9.1 50 2CW107-9.1V,2CW5239 1N5990 0.5 3.9 100 2CW52-3V9,2CW5228 1N5240/A/B 0.5 10 45 2CW108-10V,2CW5240 1N5991 0.5 4.3 99 2CW52-4V3,2CW5229 1N5241/A/B 0.5 11 41 2CW109-11V,2CW5241 1N5992 0.5 4.7 90 2CW53-4V7,2CW5230 1N5242/A/B 0.5 12 38 2CW11O-12V,2CW5242 1N5993 0.5 5.1 83 2CW53-5V1,2CW5231 1N5243/A/B 0.5 13 35 2CW111-13V,2CW5243 1N5994 0.5 5.6 76 2CW

1N系列稳压二极管参数 型号 稳定电压 型号 稳定电压 型号 稳定电压 型号 稳定电压 1N4678 1.8 1N4729A 3.6 1N5244 14 1N5991 4.3 1N4679 2 1N4730A 3.9 1N5245 15 1N5992 4.7 1N4680 2.2 1N4731A 4.3 1N5246 16 1N5993 5.1 1N4681 2.4 1N4732A 4.7 1N5247 17 1N5994 5.6 1N4682 2.7 1N4733A 5.1 1N5248 18 1N5995 6.2 1N4683 3 1N4734A 5.6 1N5249 19 1N5996 6.8 1N4684 3.3 1N4735A 6.2 1N5250 20 1N5997 7.5 1N4685 3.6 1N4736A 6.8 1N5251 22 1N5998 8.2 1N4686 3.9 1N4737A 7.5 1N5252 24 1N5999 9.1 1N4687 4.3 1N4738A 8.2 1N5253 25 1N6000 10 1N4688 4.7 1N4739A 9.1 1N5254 27 1N6001 11 1N4689 5.1 1N4740A 10 1N5255 28 1N6002 12 1N4690 5

CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制

型号 最大 耗散 功率 (W) 稳定 电压 (V) 最大 工作 电流 (mA) 可代换型号 型号 最大 耗散 功率 (W) 稳定 电压 (V) 最大 工作 电流 (mA) 可代换型号 BZPD-3.0 0.5 2.8 125 05W3V、2CW384、2CW5224 EQA02-25A 0.5 24～25 18 1N5746、2CW971、HZS30E BZPD-3.3 0.5 3.1 115 05W3V3、2CW37-3.3、HS73-3.3 EQA02-25C 0.5 26～28 15 2CW117、1N5254、2CW5254 BZPD-3.6 0.5 3.5 105 05W3V6、2CW37-3.6、BS73-3.6 EQB01-05 1 5 200 2CW523、1N5231 BZPD-3.9 0.5 3.8 95 05W3V9、2CW37-3.9、2CW387 EQB01-06 1 6 180 2CW104、2CW5233 BZPD-4.3 0.5 4.0 90 05W4V3、2CW37-4.3、2CW388 EQB01-07 1 7 140 2CW105、2CW56 BZPD-4.7 0.5 4.4 85 05W4V7、2CW37-4.7、2CW389 EQBO1-08 1 8 120 2CW106、2CW134 BZPD-5.1 0.5 4.8 80 05W5V1、2CW37-5.1、2CW390 EQB01-09 1 9 110 2CW107、2CW135 BZPD-5.6 0.5 5.2 70 2CW37-5.6、

二极管的极间电容 我们知道二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流，而在相反方向不易通过的的特性。这两种特性合起来就产生了电容器的作用，即蓄积电荷的作用。蓄积有电荷，当然要放电。放电可以在任何方向进行。而二极管只在一个方向有电流流过这种说法，严格来说是不成立的。这种情况在高频时就明显表现出来。因此，二极管的极电容以小为好。 最大额定值 最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。 最大直流反向电压VR 上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。 最大浪涌电流Isurge 允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。 最大平均整流电流IO 在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。 最大交流输入电压VI 在半波整流电路（电阻负荷）上加的正弦交流电压的有效值。这也是选择整流器时非常重要的参数。最大峰值正向电流IFM正向流过的最大电流值，这也是设计整流电路时的重要参数。 最大功率P 二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。 反向电流IR 一般说来，二极管中没有反向电流流过，实际上，加一定的反向电压，

变容二极管 1M220 引脚间的电容量--Ct(Nom):6.8p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M220A 引脚间的电容量--Ct(Nom):6.8p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M220B 引脚间的电容量--Ct(Nom):6.8p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M224 引脚间的电容量--Ct(Nom):10p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M224A 引脚间的电容量--Ct(Nom):10p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M224B 引脚间的电容量--Ct(Nom):10p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M234 引脚间的电容量--Ct(Nom):22p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M234A 引脚间的电容量--Ct(Nom):22p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M234B 引脚间的电容量--Ct(Nom):22p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M238 引脚间的电容量--Ct(Nom):33p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M238A 引脚间的电容量--Ct(Nom):33p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M238B 引脚间的电容量--Ct(Nom):33p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M242 引脚间的电容量--Ct(Nom):47p最大与最小电容量比--C td> 变容二极管 1M242A 引脚间的电容量--Ct(Nom):47p最大与最小

CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制

最大耗散功率(W) 稳定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 型号 最大耗散功率(W) 稳定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 BWA50A 0.25 1 83 2CW50.2CW50B,2CW9 BWB39D 0.5 37 11.5 05W39V,2CW411,GY5-39 BWA51A 0.25 2.5 71 2CW51B,2CW7 BWB43D 0.5 40 10.6 05W43V BWA52A 0.25 3.2 55 2CWl1,2CW52,2CW52B BWB47D 0.5 44 9.7 1W46E,1W46G,1W46H,1W46F BWA53 0.25 4.25 41 2CW53B BWB51D 0.5 48 8.9 1W53A,1W53B,1W53C,1W53D BW54/E 0.25 5.5 38 2CW54,2CW54B/E,2CW54A BWB56D 0.5 52 8.1 05W60V BWA55/E 0.25 6.2 33 1N709,2CW55,2CW55B BWB62D 0.5 58 7.3 2CW5264 BWA56 0.25 7 27 2CW15,2CW28-7.5,2CW56 BWB68D 0.5 64 6.7 05W75V,1/2W70-68V,1N6002 BWA57/E 0.25 8.5 26 2CW28-9.1,2CW73 BWB75D 0.5 70 6.1 1/2W80 BWA58/E 0.25 9.2 23 2CW58A,2CW74,2CW74B BWB82D 0.5

Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 rδ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第

CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制