3DU系列硅光敏三极管适用于近红外光探测器、光耦合、编码器、特性识别电路、过程控制电路及激光接收电路等。3DU系列硅光敏三极管的主要特性参数见表。 表：3DU系列硅光敏三极管主要特性参数

过去，人们对用于节能灯、电子镇流器三极管参数的要求定位是不清晰的。除了BVceo、BVcbo、Iceo、hFE、Vces、Ic等常规参数要求之外，低频管只有特征频率的要求(一般在几兆数量级)。但是，特征频率是对正弦波线性放大的要求，与开关工作状态下三极管开关参数不是一个概念。另外，由于认识水平和国内硬件条件的限制，妨碍了人们对灯用三极管的参数进行有效的控制和鉴别。本文试图将节能灯和电子镇流器用三极管的选择做一些总结，以便充分了解应用过程中三极管的损坏机制。 完整的功率容限曲线 降低三极管的发热损耗 放大倍数hFE和贮存时间ts 完整的功率容限曲线 功率容限(SOA)是一个曲线包围的区域(图1)，当加在三极管上的电压、电流坐标值超过曲线范围时，三极管将发生功率击穿而损坏。在实际应用中，某些开关电源线路负载为感性，三极管关断后，电感负载产生的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间，三极管必须有足够的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受这样的反压。 必须注意：目前一般三极管使用厂家不具备测试SOA的条件，即使是有条件的半导体三极管生产厂家，具备测试该指标的能力，但是仪器测试出的往往只是安全工作区边界点上的数值，而不是SOA曲线的全部。这样就有可能出现：在一点上SOA值完全一样的两对三极管，实际线路上使用过程中，一对三极管损坏了，而另外一对却没有损坏。 因此，在选择灯用三极管的过程中，一定要找到器件生产厂家提供的完整SOA曲线。 降低三极管的发热损耗 目前，节能灯、电子镇流器普遍采用上下管轮流导通工作的线路，电感负载产生的自感电势反峰电压经由导通管

                  来源：新浪网         完整的功率容限曲线          降低三极管的发热损耗          放大倍数hFE和贮存时间ts          功率容限(SOA)是一个曲线包围的区域(图1)，当加在三极管上的电压、电流坐标值超过曲线范围时，三极管将发生功率击穿而损坏。在实际应用中，某些开关电源线路负载为感性，三极管关断后，电感负载产生的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间，三极管必须有足够的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受这样的反压。          必须注意：目前一般三极管使用厂家不具备测试SOA的条件，即使是有条件的半导体三极管生产厂家，具备测试该指标的能力，但是仪器测试出的往往只是安全工作区边界点上的数值，而不是SOA曲线的全部。这样就有可能出现：在一点上SOA值完全一样的两对三极管，实际线路上使用过程中，一对三极管损坏了，而另外一对却没有损坏。          因

型号材料与极性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN0.12045>1003DG7CSI-NPN0.5100>60>1003DG12CSI-NPN0.730040>3003DG111SI-NPN0.4100>20>1003DG112SI-NPN0.410060>1003DG130CSI-NPN0.8300601503DG201CSI-NPN0.152545150C9011SI-NPN0.43050150C9012SI-PNP0.625-500-40C9013SI-NPN0.62550040C9014SI-NPN0.4510050150C9015SI-PNP0.45-100-50100C9016SI-NPN0.42530620C9018SI-NPN0.450301.1GC8050SI-NPN11.5A40190C8580SI-PNP1-1.5A-402002N5551SI-NPN0.6256001802N5401SI-PNP0.625-6001601002N4124SI-NPN0.62520030300

三极管在电路中工作一段时间以后，线路元器件会发热(包括管子本身的发热)，温度不断上升导致三极管hFE增大，开关性能变差，二次击穿特性下降。反过来，进一步促使管子发热量增大，这样的恶性循环最终导致三极管击穿烧毁。因此，降低三极管本身的发热损耗是提高三极管使用可靠性的重要措施。 实验表明：晶体管截止状态的功耗很小；导通状态的耗散占一定比例，但变化余地不大。晶体管耗散主要发生在由饱和向截止和由截止向饱和的过渡时期，而且与线路参数的选择及三极管的上升时间tr、下降时间tf有很大关系。 最近几年，业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都充分注意到降低产品的开关损耗，例如，国产BUL6800系列产品在优化MJE13000系列产品的基础上，大幅提高了产品的开关损耗性能。 此外，控制磁环参数也有利于控制损耗。因为磁环参数的变化会引起三极管Ib的变化，影响三极管上升和下降时间。三极管过驱动可以造成三极管严重发热烧毁，而三极管驱动不足，则可能造成三极管冷态启动时瞬时击穿损坏。 放大倍数hFE和贮存时间ts 三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。 在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：第一、hFE应尽可能高，以便用最少的基极电流得到最大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。 但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的最大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，

一、晶体管基础 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小，所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时，p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。当VDS≠0时，源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当VGS>VT并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。 二、晶体管的命名方法 晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按

2SA1006B SI-P 250V 1.5A 25W 80MHz2SA1009 SI-P 350V 2A 15W | 2SA1011 SI-P 160V 1.5A 25W 120MHz2SA1013 SI-P 160V 1A 0.9W 50MHz | 2SA1015 SI-P 50V 0.15A 0.4W 80MHz2SA1016 SI-P 100V 0.05A 0.4W 110MHz | 2SA1017 SI-P 120V 50mA 0.5W 110MHz2SA1018 SI-P 250V 70mA 0.75W >50MHz | 2SA1020 SI-P 50V 2A 0.9W 100MHz2SA1027 SI-P 50V 0.2A 0.25W 100MHz | 2SA1029 SI-P 30V 0.1A 0.2W 280MHz2SA1034 SI-P 35V 50mA 0.2W 200MHz | 2SA1037 SI-P 50V 0.4A 140MHz FR2SA1048 SI-P 50V 0.15A 0.2W 80MHz | 2SA1049 SI-P 120V 0.1A 0.2W 100MHz2SA1061 SI-P 100V 6A 70W 15MHz | 2SA1062 SI-N 120V 7A 80W 15MHz2SA1065 SI-P 150V 10A 120W 50MHz | 2SA1084 SI-P 90V 0.1A 0.4W 90MHz2SA1103 SI-P 100V 7A 70W 20MHz | 2SA1106 SI-P 140V 10A 100W 2

2SB1009 SI-P 40V 2A 10W 100MHz | 2SB1010 SI-P 40V 2A 0.75W 100MHz2SB1012K P-DARL 120V 1.5A 8W | 2SB1013 SI-P 20V 2A 0.7W2SB1015 SI-P 60V 3A 25W 0.4us | 2SB1016 SI-P 100V 5A 30W 5MHz2SB1017 SI-P 80V 4A 25W 9MHz | 2SB1018 SI-P 100V 7A 30W 0.4us2SB1020 P-DARL+D 100V 7A 30W 0.8us | 2SB1023 P-DARL+D 60V 3A 20W B=5K2SB1035 SI-P 30V 1A 0.9W 100MHz | 2SB1039 SI-P 100V 4A 40W 20MHz2SB1050 SI-P 30V 5A 1W 120MHz | 2SB1055 SI-P 120V 6A 70W 20MHz2SB1065 SI-P 60V 3A 10W | 2SB1066 SI-P 50V 3A 1W 70MHz2SB1068 SI-P 20V 2A 0.75W 180MHz | 2SB1071 SI-P 40V 4A 25W 150MHz2SB1077 P-DARL 60V 4A 40W B>1K | 2SB1086 SI-P 160V 1.5A 20W 50MHz2SB1098 P-DARL+D 100V 5A 20W B=80 | 2SB1099 P-DARL+D 100V 8A 25W B=6K2SB1100 P

2SC1000 SI-N 55V 0.1A 0.2W 80MHz2SC1008 SI-N 80V 0.7A 0.8W 75MHz | 2SC1012A SI-N 250V 60mA 0.75W >80MHz2SC1014 SI-N 50V 1.5A 7W | 2SC1017 SI-N 75V 1A 60mW 120MHz2SC1030 SI-N 150V 6A 50W | 2SC1046 SI-N 1000V 3A 25W2SC1047 SI-N 30V 20mA 0.4W 650MHz | 2SC1050 SI-N 300V 1A 40W2SC1051 SI-N 150V 7A 60W 8MHz | 2SC1061 SI-N 50V 3A 25W 8MHz=H1062SC1070 SI-N 30V 20mA 900MHz | 2SC1080 SI-N 110V 12A 100W 4MHz2SC109 SI-N 50V 0.6A 0.6W | 2SC1096 SI-N 40V 3A 10W 60MHz2SC1106 SI-N 350V 2A 80W | 2SC1114 SI-N 300V 4A 100W 10MHz2SC1115 SI-N 140V 10A 100W 10MHz | 2SC1116 SI-N 180V 10A 100W 10MHz2SC1161 SI-P 160V 12A 120W | 2SC1162 SI-N 35V 1.5A 10W 180MHz2SC1172 SI-N 1500V 5A 50W | 2SC1195 SI-N 200V 2.5A 100W2

2SD1010 SI-N 50V 50mA 0.3W 200MHz2SD1012 SI-N 20V 0.7A 0.25W 250MHz | 2SD1018 SI-N 250V 4A 80W B>2502SD1027 N-DARL+D 20V 15A 100W B>1 | 2SD1033 SI-N 200V 2A 20W 10MHz2SD1036 SI-N 150/120V 15A 150W | 2SD1047 SI-N 160V 12A 100W 15MHz2SD1048 SI-N 20V 0.7A 0.25W 250MHz | 2SD1049 SI-N 120V 25A 100W2SD1051 SI-N 50V 1.5A 1W 150MHz | 2SD1055 SI-N 40V 2A 0.75W 100MHz2SD1062 SI-N 60V 12A 40W 10MHz | 2SD1064 SI-N 60V 12A 80W2SD1065 SI-N 60V 15A 90W | 2SD1073 N-DARL 300V 4A 40W B>1K2SD1088 N-DARL 300V 6A 30W B>2000 | 2SD1113K N-DARL+D 300V 6A 40W2SD1128 N-DARL 150V 5A 30W | 2SD1135 SI-N 80V 4A 40W2SD1138 SI-N 200V 2A 30W | 2SD1140 N-DARL 30V 1.5A 0.9W2SD1145 SI-N 60V 5A 0.9W 120MHz | 2SD1148 SI-N 140V

过去，人们对用于节能灯、电子镇流器三极管参数的要求定位是不清晰的。除了BVceo、BVcbo、Iceo、hFE、Vces、Ic等常规参数要求之外，低频管只有特征频率的要求(一般在几兆数量级)。但是，特征频率是对正弦波线性放大的要求，与开关工作状态下三极管开关参数不是一个概念。另外，由于认识水平和国内硬件条件的限制，妨碍了人们对灯用三极管的参数进行有效的控制和鉴别。本文试图将节能灯和电子镇流器用三极管的选择做一些总结，以便充分了解应用过程中三极管的损坏机制。完整的功率容限曲线降低三极管的发热损耗放大倍数hFE和贮存时间ts完整的功率容限曲线功率容限(SOA)是一个曲线包围的区域(图1)，当加在三极管上的电压、电流坐标值超过曲线范围时，三极管将发生功率击穿而损坏。在实际应用中，某些开关电源线路负载为感性，三极管关断后，电感负载产生的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间，三极管必须有足够的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受这样的反压。 点击此处查看全部新闻图片 必须注意：目前一般三极管使用厂家不具备测试SOA的条件，即使是有条件的半导体三极管生产厂家，具备测试该指标的能力，但是仪器测试出的往往只是安全工作区边界点上的数值，而不是SOA曲线的全部。这样就有可能出现：在一点上SOA值完全一样的两对三极管，实际线路上使用过程中，一对三极管损坏了，而另外一对却没有损坏。因此，在选择灯用三极管的过程中，一定要找到器件生产厂家提供的完整SOA曲线。降低三极管的发热损耗目前，节能灯、电子镇流器普遍采用上下管轮流导通工作的线路，电感负载产生的自感电势反峰电压经由导通管泄放，所以普遍感

型号 极性 用途 V A W 工作频率 β 代换型号 BC547 NPN Uni 50 0.2 0.5 300 75-900 BC557 BC548 NPN / / / / / / / BD371C NPN NF-Tr/E 80 1.5 2.5 / / / BFG91A NPN UHF/MW-ra 15 0.035 0.3 6000 / / BFR91A NPN UHF-A / / / 5000 / / BFR96 NPN UHF-A/Tr / / / 5000 / / C1213 NPN Uni 35 0.5 0.4 / / A673 C124 NPN Uni 40 0.025 / 200 / / C1507 NPN Vid 300 0.2 15 / / / C1547 NPN UHF 30 0.02 / 900 / / C1573 NPN Vid 250 0.07 0.6 / / / C1583 NPN Dual-ra 50 0.1 / 100 / / C1675 NPN

型号 极性 用途 V A W 工作频率 β 代换型号 5610 PNP NF-Tr 50 0.8 0.625 / / 5609 8550 PNP / 50 0.8 0.625 300 85-300 8050 9012 PNP / 40 0.5 0.625 / 64-202 / 9015 PNP / 50 0.1 0.45 190 60-600 / 2N2222 PNP NF/S-L 40 2 2 / / / 2N5401 PNP NF-Tr 160 0.6 0.31 / / / 2N6520 PNP Uni 60/40 0.6 0.4 / 100-300 / 2N6726 PNP / 50 0.15 0.4 80 / / 2N6732 PNP NF/S-L 100 1 2 / / 2N6731 A1013 PNP Vid 160 1 0.9 / / C2383 A1015 PNP Uni 50 0.15 0.4 / / C1815 A1020 PNP NF/S 50 2 0.9 / / C

型号 极性 用途 V A W β/kpl C3074 NPN S-L 60 5 20 A1243 C3150 NPN S-L 900 3 50 / C3303 NPN S-L 100 5 20 / C3310 NPN S-L 500 5 40 / C3675 NPN S-L 1500 0.1 10 / C3807 NPN NF-L 30 2 15 / C3953 NPN Vid 120 0.2 8 A1538/4KMHz C4020 NPN S-L 900 3 50 / C4106 NPN S-L 500 7 50 / C4242 NPN SS-L 450 7 40 / C4810 NPN Darl-SS 100 5 1.8 2K-20K C4834 NPN SS-L 500 8 45 / C5249 NPN / / / / / D1066 NPN Darl-L 600 100 770 / D1071 NPN Darl-L 300 6 40 / D1088 NPN Darl-L 4

型号 极性 用途 V A W β/kpl 2N6718V PNP Vid 160 0.6 0.31 / A1008 PNP NF/S-L 100 2 15 C2331 A1009 PNP NF/S-L 350 2 15 / A1010 PNP NF/S-L 100 7 40 C2334 A1244 PNP NF-L 60 5 20 C3074 A1396 PNP S-L 100 10 30 C3568 A1441 PNP S-L 100 5 25 / A1443 PNP S-L 100 10 30 / A1444 PNP S-L 100 15 30 / A940 PNP NF/S-L 150 1.5 25 C2073 B1096 PNP NF/S-L 200 2 25 D1264 B1151 PNP NF/S-L 60 5 20 D1691 B1185 PNP NF-L 60 3 25 D1762 B1416 PNP NF-L 60 3 1.5 / B511 PNP NF/S-L 35 1.5 10 /

型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G C8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190 C8580 SI-PNP

完整的功率容限曲线 降低三极管的发热损耗 放大倍数hFE和贮存时间ts 功率容限(SOA)是一个曲线包围的区域(图1)，当加在三极管上的电压、电流坐标值超过曲线范围时，三极管将发生功率击穿而损坏。在实际应用中，某些开关电源线路负载为感性，三极管关断后，电感负载产生的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间，三极管必须有足够的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受这样的反压。 必须注意：目前一般三极管使用厂家不具备测试SOA的条件，即使是有条件的半导体三极管生产厂家，具备测试该指标的能力，但是仪器测试出的往往只是安全工作区边界点上的数值，而不是SOA曲线的全部。这样就有可能出现：在一点上SOA值完全一样的两对三极管，实际线路上使用过程中，一对三极管损坏了，而另外一对却没有损坏。 因此，在选择灯用三极管的过程中，一定要找到器件生产厂家提供的完整SOA曲线。 降低三极管的发热损耗 目前，节能灯、电子镇流器普遍采用上下管轮流导通工作的线路，电感负载产生的自感电势反峰电压经由导通管泄放，所以普遍感到三极管常温下SOA值在节能灯、电子镇流器线路中不十分敏感。而降低三极管的发热损耗却引起了业界的普遍关注，这是因为三极管的二次击穿容限是随着温度的升高而降低的(图2)。 三极管在电路中工作一段时间以后，线路元器件会发热(包括管子本身的发热)，温度不断上升导致三极管hFE增大，开关性能变差，二次击穿特性下降。反过来，进一步促使管子发热量增大，这样的恶性循环最终导致三极管击穿烧毁。因此，降低三极管本身的发热损耗是提高三极管使用可靠性的重要措施。 实验表明：晶体管截止状态的功耗很小；导通状态的耗散占