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    • ZTX788BSTZ图

    • 深圳市科雨电子有限公司

       该会员已使用本站8年以上
    • ZTX788BSTZ
    • 数量3675 
    • 厂家DIODES 
    • 封装TO-92 
    • 批号21+ 
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    • 133-5299-5145（微信同号） QQ:1415691092
    • ZTX788BSTZ图

    • 北京中其伟业科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • ZTX788BSTZ
    • 数量8258 
    • 厂家Diodes Inc. 
    • 封装贴/插片 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
    • 010-62104891 QQ:2880824479
    • ZTX788BSTZ图

    • 万三科技(深圳)有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • ZTX788BSTZ
    • 数量660000 
    • 厂家Diodes(达尔（美台）) 
    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • ZTX788BSTZ图

    • 深圳市婷轩实业有限公司

       该会员已使用本站6年以上
    • ZTX788BSTZ
    • 数量5000 
    • 厂家Diodes Incorporated 
    • 封装E-Line（TO-92 兼容） 
    • 批号23+ 
    • 进口原装现货热卖
    • QQ:2881943288QQ：2881943288 复制
      QQ:3026548067QQ：3026548067 复制
    • 0755-89608519 QQ:2881943288QQ:3026548067
    • ZTX788BSTZ图

    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • ZTX788BSTZ
    • 数量80000 
    • 厂家一级代理 
    • 封装一级代理 
    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
    • QQ:3007226851QQ：3007226851 复制
      QQ:3007226849QQ：3007226849 复制
    • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
    • ZTX788BSTZ图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • ZTX788BSTZ
    • 数量9328 
    • 厂家DIODES-美台 
    • 封装TO-92-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥3.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025

    产品型号ZTX788BSTZ的Datasheet PDF文件预览

    PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
    HIGH GAIN TRANSISTOR  
    PROVISIONAL DATASHEET ISSUE 2 – SEPTEMBER 94  
    ZTX788A  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    15 Volt VCEO  
    Gain of 200 at IC=2 Amps  
    Very low saturation voltage  
    C
    B
    E
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    ICM  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Collector-Base Voltage  
    -20  
    -15  
    -5  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    V
    V
    Peak Pulse Current  
    -10  
    -3  
    A
    Continuous Collector Current  
    Practical Power Dissipation*  
    IC  
    A
    Ptotp  
    Ptot  
    1.5  
    W
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    derate above 25°C  
    1
    5.7  
    W
    mW/°C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    Tj:Tstg  
    -55 to +200  
    °C  
    *The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
    P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    = 25°C)  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Collector-Base Breakdown  
    Voltage  
    V(BR)CBO  
    V(BR)CEO  
    V(BR)EBO  
    ICBO  
    -20  
    -15  
    -5  
    -30  
    -20  
    -8.5  
    V
    V
    V
    IC=-100µA  
    IC=-10mA*  
    IE=-100µA  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltage  
    Emitter-Base Breakdown  
    Voltage  
    Collector Cut-Off Current  
    -0.1  
    -10  
    VCB=-10V  
    µA  
    µA  
    VCB=-10V, Tamb=100°C  
    Emitter Cut-Off Current  
    IEBO  
    -0.1  
    VEB=-4V  
    µA  
    Collector-Emitter Saturation  
    Voltage  
    VCE(sat)  
    -0.025 -0.035  
    -0.25 -0.32  
    -0.28 -0.33  
    V
    V
    V
    IC=-0.1A, IB=-2mA*  
    IC=-2A, IB=-20mA*  
    IC=-3A, IB=-200mA*  
    Base-Emitter  
    Saturation Voltage  
    VBE(sat)  
    VBE(on)  
    hFE  
    -0.85 -1.0  
    V
    IC=-2A, IB=-20mA*  
    Base-Emitter  
    Turn-On Voltage  
    -0.8  
    V
    IC=-2A, VCE=-3V*  
    Static Forward Current  
    Transfer Ratio  
    300  
    250  
    200  
    80  
    800  
    IC=-10mA, VCE=-1V*  
    IC=-1A, VCE=-1V*  
    IC=-2A, VCE=-1V*  
    IC=-10A, VCE=-2V*  
    3-271  
    ZTX788A  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C)  
    amb  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Transition Frequency  
    fT  
    100  
    150  
    30  
    MHz  
    pF  
    IC=-50mA, VCE=-5V  
    f=50MHz  
    Output Capacitance  
    Switching Times  
    Cobo  
    60  
    VCB=-10V, f=1MHz  
    ton  
    toff  
    40  
    500  
    ns  
    ns  
    IC=-500mA, IB1=-50mA  
    IB2=-50mA, VCC=-10V  
    *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    MAX.  
    UNIT  
    Thermal Resistance:Junction to Ambient1  
    Junction to Ambient2  
    Junction to Case  
    Rth(j-amb)1  
    Rth(j-amb)2  
    Rth(j-case)  
    175  
    116  
    70  
    °C/W  
    °C/W  
    °C/W  
    †
    † Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.  
    2.5  
    2.0  
    200  
    D=1 (D.C.)  
    t
    1
    D=t1/tP  
    Case temperature  
    t
    P
    1.5  
    100  
    D=0.5  
    1.0  
    0.5  
    0
    D=0.2  
    D=0.1  
    Single Pulse  
    0
    0.0001 0.001  
    -40 -20  
    0
    20  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    40 60 80 100 120 140 160 180 200  
    T -Temperature (°C)  
    Pulse Width (seconds)  
    Derating curve  
    Maximum transient thermal impedance  
    3-272  
    配单直通车
    •  
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    • 数量*
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