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北京元坤伟业科技有限公司
ZTX790ASTOA
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
ZTX790ASTOA
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深圳市中利达电子科技有限公司
ZTX790ASTOA
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深圳市芯福林电子有限公司
ZTX790ASTOA
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首天国际（深圳）科技有限公司
ZTX790ASTOA
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北京中其伟业科技有限公司
ZTX790ASTOA

数量0
厂家欧美㊣品
封装贴§插片
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深圳市婷轩实业有限公司
ZTX790ASTOA

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厂家Diodes Incorporated
封装E-Line（TO-92 兼容）
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进口原装现货热卖
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深圳市一线半导体有限公司
ZTX790ASTOA

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厂家原厂品牌
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 2 APRIL 94

ZTX790A

FEATURES

40 Volt V_CEO

Gain of 200 at I_C=1 Amps

Very low saturation voltage

APPLICATIONS

Darlington replacement

Siren driver

Battery powered circuits

Motor drivers

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-50

-40

-5

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-6

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

I_C

-2

P_totp

P_tot

1.5

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

-50

-40

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

-0.1

V_CB=-30V

µA

I_EBO

V_EB=-4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-0.25

-0.45

-0.75

I_C=-500mA, I_B=-5mA*

I_C=-1A, I_B=-10mA*

I_C=-2A, I_B=-50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-1.0

I_C=-1A, I_B=-10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

-0.75

IC=-1A, V_CE=-2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

300

250

200

150

800

I_C=-10mA, V_CE=-2V

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

3-279

ZTX790A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Transition Frequency

f_T

100

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-5V

f=50MHz

Input Capacitance

Output Capacitance

Switching Times

C_ibo

225

V_EB=-0.5V, f=1MHz

V_CB=-10V, f=1MHz

C_obo

t_on

t_off

600

I_C=-500mA, I_B1=-50mA

I_B2=-50mA, V_CC=-10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

R_th(j-amb)1

MAX.

UNIT

Thermal Resistance: Junction to Ambient₁

Junction to Ambient₂

Junction to Case

175

116

°C/W

R_th(j-amb)2

R_th(j-case)

Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.

2.5

2.0

200

D=1 (D.C.)

D=t₁/t_P

Case temperature

1.5

100

D=0.5

1.0

0.5

D=0.2

D=0.1

Single Pulse

0.0001 0.001

-40 -20

0.01

0.1

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-280

ZTX790A

TYPICAL CHARACTERISTICS

1.8

1.6

1.4

1.2

1.8

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

I_C/I_B=100

I^C/I^B=40

I^C/I^B=10

T^amb=25°C

I^C/I^B=100

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.01

0.1

0.01

0.1

IC - Collector Current (Amps)

CE(sat)

v I

-55°C

+25°C

+100°C

+175°C

+100°C

+25°C

-55°C

V^CE=2V

I^C/I^B=100

1.6

1.4

1.2

750

500

250

1.4

1.2

1.0

0.8

1.0

0.8

0.6

0.4

0.6

0.4

0.2

0.01

0.1

0.01

0.1

I^C- Collector Current (Amps)

VBE(sat) v IC

hFE v IC

Single Pulse Test at T^amb=25°C

-55°C

+25°C

+100°C

V_CE=2V

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

D.C.

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

0.1

0.01

0.1

100

I^C- Collector Current (Amps)

V^CE- Collector Voltage (Volts)

VBE(on) v IC

Safe Operating Area

3-281

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