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    • 首天国际（深圳）科技有限公司

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    • 首天国际（深圳）集团有限公司

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    • ZTX853图

    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 深圳市誉兴微科技有限公司

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    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • ZTX853图

    • 深圳市婷轩实业有限公司

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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

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    • 集好芯城

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    • 深圳市正信鑫科技有限公司

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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • ▉▉￥8.5元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

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    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    产品型号ZTX853的概述

    芯片ZTX853的概述 ZTX853是一款广泛应用于电子电路中的三极管，特别是在放大和开关应用中表现优异。作为一款NPN型三极管，ZTX853特别适合高频和低噪声的应用，其主要功能在于能够有效地控制电流的流动，从而实现信号的放大或切换。由于其优良的电气特性和高可靠性，ZTX853被广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等多个领域。 芯片ZTX853的详细参数 ZTX853的参数规格包括： - 类型：NPN三极管 - 最大集电极-发射极电压（Vceo）：60V - 最大集电极电流（Ic）：3A - 最大功耗（Pd）：0.75W - 直流增益（hFE）：100 至 300（在测试条件下） - 工作温度范围（Tj）：-55℃至+150℃ - 封装：TO-220 - 频率响应：最大工作频率为200 MHz - 引脚配置：引脚1为基极，引脚2为集电极，引脚3为发射极 ZTX853的这些参数使其能...

    产品型号ZTX853的Datasheet PDF文件预览

    NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
    HIGH CURRENT TRANSISTOR  
    ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
    ZTX853  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    *
    *
    100 Volt VCEO  
    4 Amps continuous current  
    Up to 10 Amps peak current  
    Very low saturation voltage  
    Ptot=1.2 Watts  
    C
    B
    E
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    ICM  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Collector-Base Voltage  
    200  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    100  
    V
    6
    V
    Peak Pulse Current  
    10  
    4
    A
    Continuous Collector Current  
    Practical Power Dissipation*  
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    IC  
    A
    Ptotp  
    1.58  
    W
    W
    °C  
    Ptot  
    1.2  
    Tj:Tstg  
    -55 to +200  
    *The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
    P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    = 25°C unless otherwise stated)  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Collector-Base Breakdown  
    Voltage  
    V(BR)CBO  
    V(BR)CER  
    V(BR)CEO  
    V(BR)EBO  
    ICBO  
    200  
    200  
    100  
    6
    300  
    300  
    120  
    8
    V
    V
    V
    V
    IC=100µA  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltag  
    IC=1µA, RB ≤1KΩ  
    IC=10mA*  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltage  
    Emitter-Base Breakdown  
    Voltage  
    IE=100µA  
    Collector Cut-Off Current  
    Collector Cut-Off Current  
    Emitter Cut-Off Current  
    50  
    1
    nA  
    µA  
    VCB=150V  
    VCB=150V, Tamb=100°C  
    ICER  
    R ≤1KΩ  
    50  
    1
    nA  
    µA  
    VCB=150V  
    VCB=150V, Tamb=100°C  
    IEBO  
    10  
    nA  
    VEB=6V  
    Collector-Emitter Saturation  
    Voltage  
    VCE(sat)  
    14  
    100  
    160  
    50  
    150  
    200  
    mV  
    mV  
    mV  
    IC=0.1A, IB=5mA  
    IC=2A, IB=100mA  
    IC=4A, IB=400mA*  
    Base-Emitter  
    Saturation Voltage  
    VBE(sat)  
    960  
    1100 mV  
    IC=4A, IB=400mA*  
    3-297  
    ZTX853  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C)  
    amb  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Base-Emitter  
    Turn-On Voltage  
    VBE(on)  
    830  
    950  
    V
    IC=4A, VCE=2V*  
    Static Forward  
    Current Transfer  
    Ratio  
    hFE  
    100  
    100  
    50  
    200  
    200  
    100  
    30  
    IC=10mA, VCE=2V  
    IC=2A, VCE=2V*  
    IC=4A, VCE=2V*  
    IC=10A, VCE=2V*  
    300  
    20  
    Transition Frequency  
    fT  
    130  
    MHz  
    pF  
    IC=100mA, VCE=10V  
    f=50MHz  
    Output Capacitance  
    Switching Times  
    Cobo  
    35  
    VCB=10V, f=1MHz  
    ton  
    toff  
    50  
    1650  
    ns  
    ns  
    IC=1A, IB!=100mA  
    IB2=100mA, VCC=10V  
    *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    MAX.  
    UNIT  
    Thermal Resistance: Junction to Ambient  
    Junction to Case  
    Rth(j-amb)  
    Rth(j-case)  
    150  
    50  
    °C/W  
    °C/W  
    4.0  
    3.0  
    2.0  
    1.0  
    D.C.  
    150  
    t
    1
    D=t  
    1/tP  
    100  
    50  
    0
    tP  
    D=0.6  
    D=0.2  
    D=0.1  
    D=0.05  
    Single Pulse  
    -40 -20  
    0
    20  
    0.0001 0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    40 60 80 100 120 140 160 180 200  
    T -Temperature (°C)  
    Pulse Width (seconds)  
    Derating curve  
    Maximum transient thermal impedance  
    3-298  
    ZTX853  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    300  
    200  
    100  
    0.8  
    IC/IB=10  
    IC/IB=50  
    VCE=5V  
    VCE=1V  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    0.2  
    0
    100  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    IC - Collector Current (Amps)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    CE(sat)  
    V
    C
    v I  
    FE  
    h
    C
    v I  
    VCE=1V  
    2.0  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    IC/IB=50  
    1
    1
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    10  
    100  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    10  
    100  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(sat)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(on)  
    C
    V
    v I  
    V
    v I  
    C
    Single Pulse Test at Tamb=25°C  
    10  
    1
    D.C.  
    1s  
    100ms  
    10ms  
    1.0ms  
    0.1ms  
    0.1  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    VCE - Collector Voltage (Volts)  
    Safe Operating Area  
    3-299  
    配单直通车
    ZTX853产品参数
    型号:ZTX853
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Transferred
    包装说明：TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.75
    风险等级：7.61
    最大集电极电流 (IC)：4 A
    集电极-发射极最大电压：100 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：100
    JESD-30 代码：R-PSIP-W3
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：200 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：IN-LINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：NPN
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：WIRE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：130 MHz
    VCEsat-Max：0.2 V
    Base Number Matches：1
    •  
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