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产品型号ZTX851STZ的概述

ZTX851STZ芯片的概述 ZTX851STZ是一种高性能的NPN型晶体管,广泛应用于模拟和数字电路中。作为一种通用晶体管,ZTX851STZ在开关和放大应用中表现出色,其特性使其适用于高频信号处理、音频放大器和逻辑电路等多个领域。ZTX851STZ的开发旨在满足电子产品日益增长的性能需求,特别是在小型化和集成度更高的现代电路中。 ZTX851STZ的详细参数 在对ZTX851STZ的详细参数进行分析时,我们可以从几个关键方面进行考虑,包括电气特性、机械特性以及环境条件。以下是ZTX851STZ的一些主要参数: - 类型: NPN型晶体管 - 最大集电极-发射极电压 (V_CE): 45V - 最大集电极电流 (I_C): 1.5A - 最大功耗 (P_T): 625mW - 直流增益 (h_FE): 100-300(在I_C=100mA时) - 频率特性 (f_T): 150MHz...

产品型号ZTX851STZ的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
ZTX851STZ产品参数
型号:ZTX851STZ
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
零件包装代码:TO-92
包装说明:TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1
Samacsys Description:Diodes Inc ZTX851STZ NPN Bipolar Transistor, 5 A, 60 V, 3-Pin E-Line
最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25
JESD-30 代码:R-PSIP-W3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHz
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