ZTX851STOA原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义引脚图及功能-中国IC网-芯三七

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 2 AUGUST 94

ZTX851

FEATURES

60 Volt V_CEO

5 Amps continuous current

Up to 20 Amps peak current

Very low saturation voltage

P_tot=1.2 Watts

APPLICATIONS

Emergency lighting circuits

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

150

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_totp

P_tot

1.58

°C

1.2

T_j:T_stg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

150

220

I_C=100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltag

IC=1µA, RB ≤1KΩ

I_C=10mA*

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

µA

V_CB=120V

V_CB=120V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

µA

V_CB=120V

V_CB=120V, T_amb=100°C

I_EBO

V_EB=6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

100

200

I_C=0.1A, I_B=5mA*

I_C=1A, I_B=50mA*

I_C=2A, I_B=50mA*

I_C=5A, I_B=200mA*

100

150

250

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

920

1050 mV

I_C=4A, I_B=200mA*

3-294

ZTX851

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Base-Emitter

Turn-On Voltage

V_BE(on)

840

950

IC=4A, V_CE=1V*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

h_FE

100

200

120

I_C=10mA, V_CE=1V

I_C=2A, V_CE=1V*

I_C=5A, V_CE=1V*

I_C=10A, V_CE=1V*

300

Transition Frequency

f_T

130

MHz

I_C=100mA, V_CE=10V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

t_on

t_off

1100

I_C=1A, I_B!=100mA

I_B2=100mA, V_CC=10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX.

UNIT

Thermal Resistance: Junction to Ambient

Junction to Case

R_th(j-amb)

R_th(j-case)

150

°C/W

4.0

3.0

2.0

1.0

D.C.

150

D=t

1/tP

100

t_P

D=0.6

D=0.2

D=0.1

D=0.05

Single Pulse

-40 -20

0.0001 0.001

0.01

0.1

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-295

ZTX851

TYPICAL CHARACTERISTICS

0.8

0.6

1.6

1.4

1.2

1.0

300

200

100

0.8

0.4

I^C/I^B=10

I^C/I^B=50

V^CE=5V

V^CE=1V

0.6

0.4

0.2

0.01

100

0.1

0.01

0.1

100

I^C- Collector Current (Amps)

IC - Collector Current (Amps)

CE(sat)

v I

V^CE=1V

2.0

1.5

1.0

0.5

1.5

1.0

0.5

I^C/I^B=10

I_C/I_B=50

0.001

0.01

0.1

100

0.001

0.01

0.1

100

I^C- Collector Current (Amps)

IC - Collector Current (Amps)

BE(on)

VBE(sat) v IC

v I

Single Pulse Test at T^amb=25°C

100

D.C.

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

0.1

100

VCE - Collector Voltage (Volts)

Safe Operating Area

3-296

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ZTX851STOA产品参数

型号:	ZTX851STOA
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12
最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

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