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    • 首天国际（深圳）科技有限公司

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    • 深圳市福田区恒科电子商行

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    • 原装现货价钱优势实单可谈
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    • 首天国际（深圳）集团有限公司

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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 原装进口正品现货，假一罚十价格优势
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    • 深圳市誉兴微科技有限公司

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    • 北京首天国际有限公司

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    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • 厂家ZETEX/DIODES 
    • 封装TO92 
    • 批号16+ 
    • 原装正品，假一罚十
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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • 支持实单/只做原装
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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • 数量30000 
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    • 代理全新原装现货，价格优势
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    • 深圳市婷轩实业有限公司

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    • 厂家Diodes Incorporated 
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    • 进口原装现货热卖
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装TO-92 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 数量15000 
    • 厂家原厂品牌 
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    • 深圳市特拉特科技有限公司

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    • 数量35000 
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 深圳市澳亿芯电子

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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 数量865000 
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    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

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    • 厂家ZETEXDIODES 
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    • 原装原厂 现货现卖
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    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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    • 厂家ZETEX 
    • 封装TO92 
    • 批号2023+ 
    • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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    • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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    • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • 封装TO-92-3 
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    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

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    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 数量30000 
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    • 批号2023+ 
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市宇川湘科技有限公司

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    • 数量12660 
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    • 0755-84534256 QQ:2885348305QQ:2885348305

    产品型号ZTX795A的概述

    ZTX795A芯片概述 ZTX795A是一款高性能的NPN晶体管，广泛应用于各种电子电路中，尤其是在音频放大、开关电路和信号处理领域。作为一种双极型晶体管，ZTX795A在电子设计中具有良好的线性特性和开关特性，能够有效地驱动负载并控制信号。由于其卓越的性能和可靠性，ZTX795A在工业制造、消费电子和通讯设备等众多领域中占据了一席之地。 ZTX795A的详细参数 ZTX795A的主要电气参数如下： 1. 集电极-基极击穿电压（V_CBO）：通常高达 60V，这使得它在多种应用中具有广泛的适用性。 2. 集电极-发射极击穿电压（V_CE）：最大可达到 50V，体现了其承受高电压的能力。 3. 发射极-基极击穿电压（V_EBO）：一般为 5V，确保晶体管在各种条件下的稳定性。 4. 集电极电流（I_C）：最大可达 1A，适用于中等功率应用。 5. 直流电流增益（h_FE）：在特定的工作点...

    产品型号ZTX795A的Datasheet PDF文件预览

    PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
    HIGH GAIN TRANSISTOR  
    ISSUE 1 – APRIL 94  
    ZTX795A  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    140 Volt VCEO  
    Gain of 250 at IC=0.2 Amps  
    Very low saturation voltage  
    C
    B
    E
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    ICM  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Collector-Base Voltage  
    -140  
    -140  
    -5  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    V
    V
    Peak Pulse Current  
    -1  
    A
    Continuous Collector Current  
    Practical Power Dissipation*  
    IC  
    -0.5  
    1.5  
    A
    Ptotp  
    Ptot  
    W
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    derate above 25°C  
    1
    5.7  
    W
    mW/°C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    Tj:Tstg  
    -55 to +200  
    °C  
    *The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
    P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    = 25°C)  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Collector-Base Breakdown  
    Voltage  
    V(BR)CBO  
    V(BR)CEO  
    V(BR)EBO  
    -140  
    -140  
    -5  
    V
    V
    V
    IC=-100µA  
    IC=-10mA*  
    IE=-100µA  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltage  
    Emitter-Base Breakdown  
    Voltage  
    Collector Cut-Off Current  
    Emitter Cut-Off Current  
    ICBO  
    -0.1  
    -0.1  
    VCB=-100V  
    µA  
    µA  
    IEBO  
    VEB=-4V  
    Collector-Emitter Saturation  
    Voltage  
    VCE(sat)  
    -0.3  
    -0.3  
    -0.25  
    V
    V
    V
    IC=-100mA, IB=-1mA*  
    IC=-200mA, IB=-5mA*  
    IC=-500mA, IB=-50mA*  
    Base-Emitter  
    Saturation Voltage  
    VBE(sat)  
    VBE(on)  
    hFE  
    -0.95  
    V
    IC=-500mA, IB=-50mA*  
    Base-Emitter  
    Turn-On Voltage  
    -0.75  
    V
    IC=-500mA, VCE=-2V*  
    Static Forward Current  
    Transfer Ratio  
    300  
    250  
    100  
    800  
    IC=-10mA, VCE=-2V*  
    IC=-200mA, VCE=-2V*  
    IC=-300mA, VCE=-2V*  
    3-285  
    ZTX795A  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C)  
    amb  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Transition Frequency  
    fT  
    100  
    MHz  
    IC=-50mA, VCE=-5V  
    f=50MHz  
    Input Capacitance  
    Output Capacitance  
    Switching Times  
    Cibo  
    225  
    15  
    pF  
    pF  
    VEB=-0.5V, f=1MHz  
    VCB=-10V, f=1MHz  
    Cobo  
    ton  
    toff  
    100  
    1900  
    ns  
    ns  
    IC=-100mA, IB1=-10mA  
    IB2=-10mA, VCC=-50V  
    *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    Rth(j-amb)1  
    MAX.  
    UNIT  
    Thermal Resistance Junction to Ambient1  
    Junction to Ambient2  
    Junction to Case  
    175  
    116  
    70  
    °C/W  
    °C/W  
    °C/W  
    Rth(j-amb)2  
    Rth(j-case)  
    †
    † Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.  
    2.5  
    2.0  
    200  
    D=1 (D.C.)  
    t
    1
    D=t1/tP  
    Case temperature  
    t
    P
    1.5  
    100  
    D=0.5  
    1.0  
    0.5  
    0
    D=0.2  
    D=0.1  
    Single Pulse  
    0
    0.0001 0.001  
    -40 -20  
    0
    20  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    40 60 80 100 120 140 160 180 200  
    T -Temperature (°C)  
    Pulse Width (seconds)  
    Derating curve  
    Maximum transient thermal impedance  
    3-286  
    ZTX795A  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.8  
    -55°C  
    +25°C  
    +100°C  
    +175°C  
    IC/IB=40  
    IC/IB=20  
    IC/IB=10  
    Tamb=25°C  
    IC/IB=40  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    0.001  
    0.2  
    0
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    IC - Collector Current (Amps)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    CE(sat)  
    V
    C
    CE(sat)  
    V
    C
    v I  
    v I  
    +100°C  
    +25°C  
    -55°C  
    -55°C  
    +25°C  
    +100°C  
    +175°C  
    VCE=2V  
    IC/IB=10  
    1.6  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    750  
    500  
    250  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    0.01  
    0.1  
    10  
    1
    0
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    IC - Collector Current (Amps)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(sat)  
    FE  
    h
    C
    v I  
    C
    v I  
    V
    Single Pulse Test at Tamb=25°C  
    1
    -55°C  
    +25°C  
    +100°C  
    VCE=2V  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0.1  
    0.01  
    D.C.  
    1s  
    100ms  
    10ms  
    1.0ms  
    0.1ms  
    0
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    0.001  
    1
    10  
    100  
    1000  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(on)  
    VCE - Collector Voltage (Volts)  
    C
    V
    v I  
    Safe Operating Area  
    3-287  
    配单直通车
    ZTX795A产品参数
    型号:ZTX795A
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：ZETEX PLC
    包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.75
    风险等级：7.42
    最大集电极电流 (IC)：0.5 A
    集电极-发射极最大电压：140 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：100
    JESD-30 代码：O-PBCY-W3
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：200 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：PNP
    最大功率耗散 (Abs)：1 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：WIRE
    端子位置：BOTTOM
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：100 MHz
    VCEsat-Max：0.3 V
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
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