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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装TO-92-3 
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  • ▉▉¥8.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 封装TO-92-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥9一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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产品型号ZTX790A的Datasheet PDF文件预览

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 2 – APRIL 94  
ZTX790A  
FEATURES  
*
*
*
40 Volt VCEO  
Gain of 200 at IC=1 Amps  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Darlington replacement  
Siren driver  
C
B
E
Battery powered circuits  
Motor drivers  
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-50  
-40  
-5  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
-6  
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
IC  
-2  
A
Ptotp  
Ptot  
1.5  
W
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-50  
-40  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-0.1  
-0.1  
VCB=-30V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=-4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-0.25  
-0.45  
-0.75  
V
V
V
IC=-500mA, IB=-5mA*  
IC=-1A, IB=-10mA*  
IC=-2A, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-1.0  
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-0.75  
V
IC=-1A, VCE=-2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
300  
250  
200  
150  
800  
IC=-10mA, VCE=-2V  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
3-279  
ZTX790A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Transition Frequency  
fT  
100  
MHz  
IC=-50mA, VCE=-5V  
f=50MHz  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cibo  
225  
24  
pF  
pF  
VEB=-0.5V, f=1MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
Cobo  
ton  
toff  
35  
600  
ns  
ns  
IC=-500mA, IB1=-50mA  
IB2=-50mA, VCC=-10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
THERMAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
Rth(j-amb)1  
MAX.  
UNIT  
Thermal Resistance: Junction to Ambient1  
Junction to Ambient2  
Junction to Case  
175  
116  
70  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Rth(j-amb)2  
Rth(j-case)  
†
† Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.  
2.5  
2.0  
200  
D=1 (D.C.)  
t
1
D=t1/tP  
Case temperature  
t
P
1.5  
100  
D=0.5  
1.0  
0.5  
0
D=0.2  
D=0.1  
Single Pulse  
0
0.0001 0.001  
-40 -20  
0
20  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
40 60 80 100 120 140 160 180 200  
T -Temperature (°C)  
Pulse Width (seconds)  
Derating curve  
Maximum transient thermal impedance  
3-280  
ZTX790A  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.8  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+175°C  
IC/IB=100  
IC/IB=40  
IC/IB=10  
Tamb=25°C  
IC/IB=100  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0.2  
0
0.01  
0.1  
1
10  
0.01  
0.1  
1
10  
IC - Collector Current (Amps)  
IC - Collector Current (Amps)  
CE(sat)  
V
C
CE(sat)  
V
C
v I  
v I  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
+175°C  
+100°C  
+25°C  
-55°C  
VCE=2V  
IC/IB=100  
1.6  
1.6  
1.4  
1.2  
750  
500  
250  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.6  
0.4  
0.2  
0.2  
0
0
0.01  
0.1  
10  
1
0.01  
0.1  
1
10  
IC - Collector Current (Amps)  
IC - Collector Current (Amps)  
VBE(sat) v IC  
hFE v IC  
Single Pulse Test at Tamb=25°C  
10  
-55°C  
+25°C  
+100°C  
VCE=2V  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1
D.C.  
1s  
100ms  
10ms  
1.0ms  
0.1ms  
0.1  
0
0.01  
0.01  
0.1  
1
10  
0.1  
1
10  
100  
IC - Collector Current (Amps)  
VCE - Collector Voltage (Volts)  
VBE(on) v IC  
Safe Operating Area  
3-281  
配单直通车
ZTX790A产品参数
型号:ZTX790A
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-W3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:0.77
最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):300
JESD-30 代码:R-PSIP-W3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1
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