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产品型号ZTX855的概述

芯片ZTX855的概述 ZTX855是一款广泛应用于电子设备的NPN型晶体管，属于小信号晶体管系列。它主要用于放大与开关作用，适用于低功耗电子电路，尤其是在音频放大器和信号处理领域。ZTX855由国际多家知名半导体制造厂商生产，其优越的性能和稳定的质量使得它在广大电子工程师中保持相当的受欢迎程度。芯片ZTX855的详细参数 ZTX855具有多种电气参数，适应于不同的应用需求。以下是其主要技术参数： - 晶体管类型: NPN - 最大集电极-基极电压 (Vce): 50V - 最大集电极-发射极电压 (Vce): 55V - 最大基极-发射极电压 (Vbe): 5V - 最大集电极电流 (Ic): 800mA - 最大功耗 (Ptot): 625mW - 直流增益 (hFE): 100至600（取决于工作点） - 封装类型: TO-92 - 工作温度范围: -55℃至+150℃ 芯片...

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 2 MARCH 94

ZTX855

FEATURES

*

150 Volt V_CEO

4 Amps continuous current

Up to 10 Amps peak current

Very low saturation voltage

P_tot= 1.2 Watt

C

B

E

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

V

Collector-Base Voltage

250

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

150

V

6

V

Peak Pulse Current

10

4

A

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

A

P_totp

1.58

W

°C

P_tot

1.2

T_j:Tstg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

250

150

6

375

180

8

V

I_C=100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltag

IC=1µA, RB ≤1KΩ

I_C=10mA*

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

I_E=100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

50

1

nA

µA

V_CB=200V

V_CB=200V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

50

1

nA

µA

V_CB=200V

V_CB=200V, T_amb=100°C

I_EBO

10

nA

V_EB=6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

20

35

60

210

40

60

100

260

mV

I_C=100mA, I_B=5mA*

I_C=500mA, I_B=50mA*

I_C=1A, I_B=100mA*

I_C=4A, I_B=400mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

960

1100 mV

I_C=4A, I_B=400mA*

2-300

ZTX855

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Base-Emitter

Turn-On Voltage

V_BE(on)

0.88

1

V

IC=4A, V_CE=5V*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

h_FE

100

35

200

55

I_C=10mA, V_CE=5V

I_C=1A, V_CE=5V*

I_C=4A, V_CE=5V*

I_C=10A, V_CE=5V*

300

10

Transition Frequency

f_T

90

22

MHz

pF

I_C=100mA, V_CE=10V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

V_CB=20V, f=1MHz

t_on

t_off

66

2130

ns

I_C=1A, I_B!=100mA

I_B2=100mA, V_CC=50V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX.

UNIT

Thermal Resistance: Junction to Ambient

Junction to Case

R_th(j-amb)

R_th(j-case)

150

50

°C/W

4.0

3.0

2.0

1.0

D.C.

150

t

1

D=t

1/tP

100

50

0

t_P

D=0.6

D=0.2

D=0.1

D=0.05

Single Pulse

-40 -20

0

20

0.0001 0.001

0.01

0.1

1

10

100

40 60 80 100 120 140 160 180 200

T -Temperature (°C)

Pulse Width (seconds)

Derating curve

Maximum transient thermal impedance

3-301

ZTX855

TYPICAL CHARACTERISTICS

0.8

0.6

1.6

1.4

1.2

1.0

300

200

100

0.8

0.4

V^CE=5V

V^CE=10V

I^C/I^B=10

I_C/I_B=50

0.6

0.4

0.2

0

0.2

0

100

0.01

0.1

10

1

0.01

0.1

1

10

100

IC - Collector Current (Amps)

CE(sat)

V

C

v I

FE

h

C

v I

V^CE=5V

2.0

1.5

1.0

0.5

1.5

1.0

0.5

I^C/I^B=10

I^C/I^B=50

1

0.001

0.01

0.1

10

100

0.001

0.01

0.1

10

100

IC - Collector Current (Amps)

BE(sat)

I^C- Collector Current (Amps)

BE(on)

C

V

v I

V

v I

C

Single Pulse Test at T^amb=25°C

10

1

D.C.

1s

100ms

10ms

1.0ms

0.1ms

0.1

0.01

0.1

1

10

100

1000

VCE - Collector Voltage (Volts)

Safe Operating Area

3-302

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型号:	ZTX855
是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92
包装说明：	GREEN, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	0.89
最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

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