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    • ZTX855STZ图

    • 深圳市科雨电子有限公司

       该会员已使用本站8年以上
    • ZTX855STZ
    • 数量3675 
    • 厂家DIODES 
    • 封装TO-92 
    • 批号21+ 
    • ★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:10元
    • QQ:1415691092QQ：1415691092 复制
    • 133-5299-5145（微信同号） QQ:1415691092
    • ZTX855STZ图

    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • ZTX855STZ
    • 数量115240 
    • 厂家ZETEX 
    • 封装NA/ 
    • 批号23+ 
    • 原厂直销，现货供应，账期支持！
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
      QQ:3007947087QQ：3007947087 复制
    • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
    • ZTX855STZ图

    • 万三科技(深圳)有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • ZTX855STZ
    • 数量660000 
    • 厂家Diodes(达尔（美台）) 
    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • ZTX855STZ图

    • 深圳市婷轩实业有限公司

       该会员已使用本站6年以上
    • ZTX855STZ
    • 数量5000 
    • 厂家Diodes Incorporated 
    • 封装E-Line（TO-92 兼容） 
    • 批号23+ 
    • 进口原装现货热卖
    • QQ:2881943288QQ：2881943288 复制
      QQ:3026548067QQ：3026548067 复制
    • 0755-89608519 QQ:2881943288QQ:3026548067
    • ZTX855STZ图

    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • ZTX855STZ
    • 数量60000 
    • 厂家一级代理 
    • 封装一级代理 
    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
    • QQ:3007226851QQ：3007226851 复制
      QQ:3007226849QQ：3007226849 复制
    • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
    • ZTX855STZ图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • ZTX855STZ
    • 数量36218 
    • 厂家DIODES-美台 
    • 封装TO-92-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥3.6元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025

    产品型号ZTX855STZ的Datasheet PDF文件预览

    NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
    HIGH CURRENT TRANSISTOR  
    ISSUE 2 – MARCH 94  
    ZTX855  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    *
    *
    150 Volt VCEO  
    4 Amps continuous current  
    Up to 10 Amps peak current  
    Very low saturation voltage  
    Ptot= 1.2 Watt  
    C
    B
    E
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    ICM  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Collector-Base Voltage  
    250  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    150  
    V
    6
    V
    Peak Pulse Current  
    10  
    4
    A
    Continuous Collector Current  
    Practical Power Dissipation*  
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    IC  
    A
    Ptotp  
    1.58  
    W
    W
    °C  
    Ptot  
    1.2  
    Tj:Tstg  
    -55 to +200  
    *The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
    P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    = 25°C unless otherwise stated)  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Collector-Base Breakdown  
    Voltage  
    V(BR)CBO  
    V(BR)CER  
    V(BR)CEO  
    V(BR)EBO  
    ICBO  
    250  
    250  
    150  
    6
    375  
    375  
    180  
    8
    V
    V
    V
    V
    IC=100µA  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltag  
    IC=1µA, RB ≤1KΩ  
    IC=10mA*  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltage  
    Emitter-Base Breakdown  
    Voltage  
    IE=100µA  
    Collector Cut-Off Current  
    Collector Cut-Off Current  
    Emitter Cut-Off Current  
    50  
    1
    nA  
    µA  
    VCB=200V  
    VCB=200V, Tamb=100°C  
    ICER  
    R ≤1KΩ  
    50  
    1
    nA  
    µA  
    VCB=200V  
    VCB=200V, Tamb=100°C  
    IEBO  
    10  
    nA  
    VEB=6V  
    Collector-Emitter Saturation  
    Voltage  
    VCE(sat)  
    20  
    35  
    60  
    210  
    40  
    60  
    100  
    260  
    mV  
    mV  
    mV  
    mV  
    IC=100mA, IB=5mA*  
    IC=500mA, IB=50mA*  
    IC=1A, IB=100mA*  
    IC=4A, IB=400mA*  
    Base-Emitter  
    Saturation Voltage  
    VBE(sat)  
    960  
    1100 mV  
    IC=4A, IB=400mA*  
    2-300  
    ZTX855  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    = 25°C)  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Base-Emitter  
    Turn-On Voltage  
    VBE(on)  
    0.88  
    1
    V
    IC=4A, VCE=5V*  
    Static Forward  
    Current Transfer  
    Ratio  
    hFE  
    100  
    100  
    35  
    200  
    200  
    55  
    IC=10mA, VCE=5V  
    IC=1A, VCE=5V*  
    IC=4A, VCE=5V*  
    IC=10A, VCE=5V*  
    300  
    10  
    Transition Frequency  
    fT  
    90  
    22  
    MHz  
    pF  
    IC=100mA, VCE=10V  
    f=50MHz  
    Output Capacitance  
    Switching Times  
    Cobo  
    VCB=20V, f=1MHz  
    ton  
    toff  
    66  
    2130  
    ns  
    ns  
    IC=1A, IB!=100mA  
    IB2=100mA, VCC=50V  
    *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    MAX.  
    UNIT  
    Thermal Resistance: Junction to Ambient  
    Junction to Case  
    Rth(j-amb)  
    Rth(j-case)  
    150  
    50  
    °C/W  
    °C/W  
    4.0  
    3.0  
    2.0  
    1.0  
    D.C.  
    150  
    t
    1
    D=t  
    1/tP  
    100  
    50  
    0
    tP  
    D=0.6  
    D=0.2  
    D=0.1  
    D=0.05  
    Single Pulse  
    -40 -20  
    0
    20  
    0.0001 0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    40 60 80 100 120 140 160 180 200  
    T -Temperature (°C)  
    Pulse Width (seconds)  
    Derating curve  
    Maximum transient thermal impedance  
    3-301  
    ZTX855  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    0.8  
    0.6  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    300  
    200  
    100  
    0.8  
    0.4  
    VCE=5V  
    VCE=10V  
    IC/IB=10  
    IC/IB=50  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    0.2  
    0
    100  
    0.01  
    0.1  
    10  
    1
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    IC - Collector Current (Amps)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    CE(sat)  
    V
    C
    v I  
    FE  
    h
    C
    v I  
    VCE=5V  
    2.0  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    IC/IB=10  
    IC/IB=50  
    1
    1
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    10  
    100  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    10  
    100  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(sat)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(on)  
    C
    V
    v I  
    V
    v I  
    C
    Single Pulse Test at Tamb=25°C  
    10  
    1
    D.C.  
    1s  
    100ms  
    10ms  
    1.0ms  
    0.1ms  
    0.1  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000  
    VCE - Collector Voltage (Volts)  
    Safe Operating Area  
    3-302  
    配单直通车
    ZTX855STZ产品参数
    型号:ZTX855STZ
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Transferred
    包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.75
    风险等级：5.16
    最大集电极电流 (IC)：4 A
    集电极-发射极最大电压：150 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：35
    JESD-30 代码：R-PSIP-W3
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：200 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：IN-LINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：NPN
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：WIRE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：90 MHz
    VCEsat-Max：0.26 V
    Base Number Matches：1
    •  
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