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    • ZTX857STZ图

    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 封装TO-92 
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    • ★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:8元
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    • ZTX857STZ图

    • 首天国际（深圳）科技有限公司

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    • 封装标准封装 
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    • ZTX857STZ图

    • 首天国际（深圳）集团有限公司

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    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • ZTX857STZ
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    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂封装 
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    • 羿芯诚只做原装长期供，支持实单
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    • 0755-82570600 QQ:2880123150
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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
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    • 0755-21006672 QQ:3008961398
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量98500 
    • 厂家DIODESINC 
    • 封装原厂封装 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-88917743 QQ:2881495751
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    • 深圳市婷轩实业有限公司

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    • ZTX857STZ
    • 数量5000 
    • 厂家Diodes Incorporated 
    • 封装E-Line（TO-92 兼容） 
    • 批号23+ 
    • 进口原装现货热卖
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    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

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    • ZTX857STZ
    • 数量62000 
    • 厂家一级代理 
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    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
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    • 深圳市欧昇科技有限公司

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    • ZTX857STZ
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    • 厂家ZETEX 
    • 封装TO-92 
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    • 百分之百进口原装现货假一赔百
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    • 深圳市正信鑫科技有限公司

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    • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • ZTX857STZ
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    • 厂家DIODES-美台 
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    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥5.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
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    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

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    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装EP3SC 
    • 批号23+ 
    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
    • QQ:GTY82dX7
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    产品型号ZTX857STZ的Datasheet PDF文件预览

    NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
    HIGH CURRENT TRANSISTOR  
    ISSUE 1 – APRIL 94  
    ZTX857  
    FEATURES  
    *
    *
    *
    *
    *
    300 Volt VCEO  
    3 Amps continuous current  
    Up to 5 Amps peak current  
    Very low saturation voltage  
    Ptot= 1.2 Watt  
    C
    B
    E
    E-Line  
    TO92 Compatible  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    VCBO  
    VCEO  
    VEBO  
    ICM  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    Collector-Base Voltage  
    330  
    Collector-Emitter Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    300  
    V
    6
    V
    Peak Pulse Current  
    5
    A
    Continuous Collector Current  
    Practical Power Dissipation*  
    Power Dissipation at Tamb=25°C  
    Operating and Storage Temperature Range  
    IC  
    3
    1.58  
    A
    Ptotp  
    Ptot  
    W
    W
    °C  
    1.2  
    Tj:Tstg  
    -55 to +200  
    *The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
    P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    amb  
    = 25°C unless otherwise stated)  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Collector-Base Breakdown  
    Voltage  
    V(BR)CBO  
    V(BR)CER  
    V(BR)CEO  
    V(BR)EBO  
    ICBO  
    330  
    330  
    300  
    6
    475  
    475  
    350  
    8
    V
    V
    V
    V
    IC=100µA  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltag  
    IC=1µA, RB ≤1KΩ  
    IC=10mA*  
    Collector-Emitter Breakdown  
    Voltage  
    Emitter-Base Breakdown  
    Voltage  
    IE=100µA  
    Collector Cut-Off Current  
    Collector Cut-Off Current  
    Emitter Cut-Off Current  
    50  
    1
    nA  
    µA  
    VCB=300V  
    VCB=300V, Tamb=100°C  
    ICER  
    R ≤1KΩ  
    50  
    1
    nA  
    µA  
    VCB=300V  
    VCB=300V, Tamb=100°C  
    IEBO  
    10  
    nA  
    VEB=6V  
    Collector-Emitter Saturation  
    Voltage  
    VCE(sat)  
    50  
    80  
    140  
    170  
    100  
    140  
    200  
    250  
    mV  
    mV  
    mV  
    mV  
    IC=0.5A, IB=50mA*  
    IC=1A, IB=100mA*  
    IC=2A, IB=200mA*  
    IC=3A, IB=600mA*  
    Base-Emitter  
    Saturation Voltage  
    VBE(sat)  
    870  
    1000 mV  
    IC=2A, IB=200mA*  
    3-303  
    ZTX857  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
    = 25°C)  
    amb  
    PARAMETER  
    SYMBOL MIN. TYP.  
    MAX. UNIT CONDITIONS.  
    Base-Emitter  
    Turn-On Voltage  
    VBE(on)  
    810  
    950  
    mV  
    IC=2A, VCE=5V*  
    Static Forward  
    Current Transfer  
    Ratio  
    hFE  
    100  
    100  
    15  
    200  
    200  
    25  
    IC=10mA, VCE=5V  
    IC=500mA, VCE=10V*  
    IC=2A, VCE=10V*  
    IC=3A, VCE=10V*  
    300  
    15  
    Transition Frequency  
    fT  
    80  
    11  
    MHz  
    pF  
    IC=100mA, VCE=10V  
    f=100MHz  
    Output Capacitance  
    Switching Times  
    Cobo  
    VCB=20V, f=1MHz  
    ton  
    toff  
    100  
    5300  
    ns  
    ns  
    IC=250mA, IB1=25mA  
    IB2=25mA, VCC=50V  
    *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    PARAMETER  
    SYMBOL  
    MAX.  
    UNIT  
    Thermal Resistance: Junction to Ambient  
    Junction to Case  
    Rth(j-amb)  
    Rth(j-case)  
    150  
    50  
    °C/W  
    °C/W  
    4.0  
    3.0  
    2.0  
    1.0  
    D.C.  
    150  
    t
    1
    D=t  
    1/tP  
    100  
    50  
    0
    tP  
    D=0.6  
    D=0.2  
    D=0.1  
    D=0.05  
    Single Pulse  
    -40 -20  
    0
    20  
    0.0001 0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    40 60 80 100 120 140 160 180 200  
    T -Temperature (°C)  
    Pulse Width (seconds)  
    Derating curve  
    Maximum transient thermal impedance  
    3-304  
    ZTX857  
    TYPICAL CHARACTERISTICS  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    300  
    200  
    100  
    0.8  
    IC/IB=10  
    IC/IB=50  
    VCE=10V  
    VCE=2V  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    0.2  
    0
    0
    0.01  
    0.1  
    10  
    1
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    IC - Collector Current (Amps)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    CE(sat)  
    V
    C
    v I  
    FE  
    h
    C
    v I  
    VCE=5V  
    2.0  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    IC/IB=10  
    IC/IB=50  
    0.1  
    0.1  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    1
    10  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    1
    10  
    IC - Collector Current (Amps)  
    IC - Collector Current (Amps)  
    BE(on)  
    VBE(sat) v IC  
    C
    v I  
    V
    Single Pulse Test at Tamb=25°C  
    10  
    1
    D.C.  
    1s  
    0.1  
    100ms  
    10ms  
    1.0ms  
    0.1ms  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000  
    VCE - Collector Voltage (Volts)  
    Safe Operating Area  
    3-305  
    配单直通车
    ZTX857STZ产品参数
    型号:ZTX857STZ
    是否无铅： 含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Active
    零件包装代码：TO-92
    包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
    针数：3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.75
    Factory Lead Time：15 weeks
    风险等级：0.8
    最大集电极电流 (IC)：3 A
    集电极-发射极最大电压：300 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：15
    JESD-30 代码：R-PSIP-W3
    JESD-609代码：e3
    元件数量：1
    端子数量：3
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：IN-LINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：NPN
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：WIRE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：80 MHz
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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