光纤通信具有高速、大容量、长距离、低损耗、强抗干扰能力等特点，适合多种综合数据业务，是未来宽带网络的发展方向。 我国的信息化建设正处于大发展时期，对光纤、光缆、高速光电器件及光传输设备的需求量很大，市场前景广阔，国内已建的2.5 Gbit／s(STM-16)SDH骨干网已经不能满足爆炸增长的信息需求，10 Gbit／s(STM-64)光传输系统成为我国近期产业化的重点。为了提高信道利用率，使多个信号沿同一信道传输而互相不干扰，高速复接器的设计对于高速光纤传输系统的实现至关重要。复接器的速度是影响整个光纤传输系统速度的一个关键因素。在10Gbit／s速率以上，复接电路涉及到一系列高速电路，在电路设计、测试、封装等方面都有很大的挑战性。 CMOS工艺具有价格便宜、集成度高、功耗低的特点。随着CMOS工艺的发展，器件特征频率大幅提高，采用CMOS工艺实现超高速集成电路成为可能。本文给出了使用CMOS工艺设计的单片集成超高速4：1复接器。 1 系统结构 复接器有串行、并行、和树形3种基本结构。N：1串行结构复接器结构简单，容易实现，但是工作在高速状态的器件多，它的速度受到了限制。由于需要大电流来支持高速度，所以串行结构的电路功耗较大。N：1并行结构复接器需要N个不同相位的时钟，N个相位准确的时钟的产生难度高，对于N≥4的高阶复接器，因为或门的扇入系数大，导致或门速度降低，所以工作速率的大幅度提高比较困难。 树形结构复接器中工作在最高速率的电路只有最后一级2：1复接器和第1级分频器，其他电路均工作在较低速状态，所以功耗比较小。但电路规模在3种结构的电路中最大。树形结构复接器的速度取决于

集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分，将设计基本分为两部分：芯片硬件设计和软件协同设计。芯片硬件设计包括：1.功能设计阶段。设计人员产品的应用场合，设定一些诸如功能、操作速度、接口规格、环境温度及消耗功率等规格，以做为将来电路设计时的依据。更可进一步规划软件模块及硬件模块该如何划分，哪些功能该整合于SOC 内，哪些功能可以设计在电路板上。2.设计描述和行为级验证供能设计完成后，可以依据功能将SOC 划分为若干功能模块，并决定实现这些功能将要使用的IP 核。此阶段将接影响了SOC 内部的架构及各模块间互动的讯号，及未来产品的可靠性。决定模块之后，可以用VHDL 或Verilog 等硬件描述语言实现各模块的设计。接着，利用VHDL 或Verilog 的电路仿真器，对设计进行功能验证(functionsimulation，或行为验证 behavioral simulation)。注意，这种功能仿真没有考虑电路实际的延迟，但无法获得精确的结果。3.逻辑综合确定设计描述正确后，可以使用逻辑综合工具(SYNTHESIZER)进行综合。综合过程中，需要选择适当的逻辑器件库(logic cell library)，作为合成逻辑电路时的参考依据。硬件语言设计描述文件的编写风格是决定综合工具执行效率的一个重要因素。事实上，综合工具支持的HDL 语法均是有限的，一些过于抽象的语法只适于作为系统评估时的仿真模型，而不能被综合工具接受逻辑综合得到门级网表。4.门级验证(Gate-Level Netlist Verification)门级功能验证是寄存器传输级验证。主要的工作是要确认经综合后的电路是否

可以使用由三星电子生产的KA2107集成电路设计一个非常简单的音调控制电子电路项目。这音调控制电子电路项目是很简单的，需要很少的外部电子零件。正如你可以看到在KA2107音调控制电路项目是用于立体声应用设计电路图，它有一些额外的功能如音量控制和渠道之间的平衡控制。调整10K电位器(低音和颤抖)，您将修改的高与低的输出信号的频率。 这个电子电路项目，必须从一个简单的12伏直流电源供电电路供电，但它工作正常，8伏或14伏直流电源电路也。

在本电路中的音频系统是基于TDA2052单片集成电路Heptawatt包 。TDA2052 TDA2052可以使用音频HI - FI音响系统，电视和其他音频应用。能够提供有4个或高功率8欧姆负载阻抗(宽电压范围的高输出电流能力)。TDA2052 IC放大器的主要特点是：高输出功率，AC短路保护，热关闭掉电保护，ESD保护， Mute/Stand- 按功能。Tda2052可以单独使用像原理波纹管或在多系统。音响系统使用三个TDA2052芯片和5个扬声器(一个低音，两个高音喇叭和两个midranges)。 对于这个音响系统，我们需要的是双20伏电源和5伏的立场供应功能。输入的每个音频IC 芯片是放在音频过滤器，过滤用喇叭(低音，低通midranges和高音高通)的音频信号，而其余的300赫兹到20KHz被发送到两个独立的重低音播放20到300赫兹的频率范围， 立体效果的渠道。如果一个放大器削波失真的影响他人放大器不会受到影响。

凌力尔特的LTM4627集成电路设计，可以设计一个很简单的，高效率的15A开关模式DC / DC电源。 LTM4627电源电路包括在几乎所有需要的组件的软件包：开关控制器，功率FET，电感器和补偿元件，这样高的电源开关模式DC稳压器IC需要几个额外外部的电子元件。要求这种开关电源电路的输入电压范围，4.5V至16V之间，将提供一个非常稳定的输出电压为1.2伏。LTM4627支持0.6V的输出电压范围为5V，由一个外部电阻设置，所以你可以修改输出电压高开关频率和电流模式架构能在不牺牲稳定的一个非常快的电压和负载变化的瞬态响应。

　　一个很简单的宽带放大器电路可以使用MAR - 6迷你电路制造的集成电路设计。这MAR - 6的VHF - UHF宽频带放大器电路将提供至少9分贝稳定放大到2GHz，结合低噪声系数(约3dB)。   　　在一个非常小的圆柱包约2mm，直径和2mm高。90 °(其中有两个是接地)，它装有四个径向引线，是基本上千方百计和低价值负载双晶体管放大器来实现的需要宽的带宽，并能够推动共轴电缆 。因为MAR - 6是用来接收通过信号输出引脚的权力，它非常适合作为刊头放大器使用 。它需要约3.5V直流，工作电流在周围16毫安 。 　　正如你可以看到刊头放大器电路图电子项目，需要很少的外部电子零件，因此，如果您将使用SMD元件，你就会有一个非常紧凑的设计。通电时，LED应焕发出令人放心，你应该能够测量约6.8 - R1的7V直流接近IC2和C5。如果LED不发光，你没有电压读数，有机会，你的有线与直流输入极性反接。如果LED不发光，但有几乎完整的插件包的电压，你在R1 “ 已经几乎肯定有线LED在向后。

　　基于TDA0161单片集成电路设计金属机身检测通过检测高频涡流损耗的变化，这些金属探测器电路图。对于探测金属，TDA0161需要一个外部LC调谐电路。   　　输出信号是由供电电流的变化。这个电流与电源电压无关，是高还是低的存在或缺乏密切的金属物体。本金属探测器电路使用两个LED，提供在金属线圈的周围，存在或不存在的视觉指示。要调整你需要的电路，以确保没有金属线圈附近，然后设置“中间位置”微调。之后，你需要调整课程的调整，打开LED，调整微调关闭LED。   　　这个探测器的电子电路工作在较大范围内的4 -35伏的输入电压。如果您想要，您可以使用其他值CX电容和L1电感器(更改此值会影响振荡频率和检测范围)。

　　使用TDA7275A线性集成电路设计minidip塑料包，可以设计一个很简单的速度调节器，可用于小型直流电动机调速的电子项目。   　　TDA7275A直流调速器项目拟作为电唱机为直流电动机的速度调节使用，磁带和录音机，这直流电机调速控制电路项目可以提供的最大输出电流为1.5安培。电源电压范围是接受这个直流电动机的速度调节器项目8和18伏之间。V2是典型的电机“运行”(Acc.或打开下面的数据)和1个电机“停止”(根据以下数据或接地)伏1.5伏。

　　一个非常简单的步进电机驱动电路设计，可以使用NJM3771步进电机驱动集成电路设计由新日本无线有限公司这步进电机驱动的电子项目是非常简单的的设计和要求极少的外部元件。NJM3771集成电路 ，尤其是发展在微结合与匹配的双通道DAC(数字-模拟转换器)NJU39610的应用程序使用NJM3771包含时钟振荡器，这是常见的两个驱动器通道;一套比较器和触发器实现开关控制; 两个H桥内部再循环二极管。       本步进电机驱动器项目支持范围广阔的输入电压：+5 V的逻辑和+10到+45 V供电电机。最大输出电流是由该电路支持每通道约650毫安。NJM3771步进电机驱动器具有可选的慢速改善高转速的微电流衰减 。参考输入电压和感应电阻RS值主要取决于电机绕组的输出电流检测电阻两端的电压反馈到比较通过一个低通滤波器部分，以防止错误切换由于开关瞬态(建议过滤器元件值，1千欧和820 pF的)，这驱动IC是双极电机，即电机设计，只有每一个阶段，但单极电机绕组，绕组中心抽头，可以也可以使用。

　　使用TDA7275A线性集成电路设计minidip塑料包，可以设计一个很简单的速度调节器，可用于小型直流电动机调速的电子项目。   　　TDA7275A直流调速器项目拟作为电唱机为直流电动机的速度调节使用，磁带和录音机，这直流电机调速控制电路项目可以提供的最大输出电流为1.5安培。电源电压范围是接受这个直流电动机的速度调节器项目8和18伏之间。V2是典型的电机“运行”(Acc.或打开下面的数据)和1个电机“停止”(根据以下数据或接地)伏1.5伏。

在21世纪，微电子技术将从‘三吉’（G，即109）时代走向‘三太’（T，即l012）时代：信号发生和获取由GHz到THz，信号处理和传输由吉位每秒到太位每秒，信号存储和提取由吉位到太位。半导体技术的基础，如器件设计、微细加工、多层金属化互连线等，随着体硅CMOS集成电路的特征尺寸缩小到纳米尺度以后将面临着许多新的挑战：如纳米级图形的光学光刻极限、约2nm栅氧化层的物理极限，为了改善互连线的性能而需要采用铜等新材料和低介电常数的材料。工艺技术问题还有很多器件物理问题需要解决，主要是：电源电压和阈值电压缩小问题、短沟道效应、栅氧化层的可靠性、量子效应、杂质数起伏的影响以及互连线延迟、连线之间的串扰等问题。 集成电踣的工艺技术不断推动集成电路CY7C4245-15JXCT设计方法学的变革，工艺技术的每一次变革都推动了集成电路设计技术的一次飞跃。到目前为止，集成电路的设计技术已经历了五代。20世纪70年代到80年代之交，3～5μm工艺是集成电路的主体技术，第一代ICCAD技术是以版图输入、设计检查为特点；80年代中期，集成电路进入1.5～3μm工艺阶段，推动了以门阵列和标准单元为主的半定制设计方法的出现；80年代末，90年代初，0.6μmCMOSFP-GA和EPLD出现，推动了可编程设计方法的出现；90年代中期，0.35μm的深亚微米CMOS工艺推动了第四代设计技术的产生，即以CPU（或DSP）核为核心的集成系统设计方法；20世纪末，21世纪初，出现了片上系统(SystemonaChip，SoC)的设计方法。SoC是采用称为Top-Down的设计方法，即从系统的顶层设计出发，把模型算法

0 引言 随着数字技术的不断发展，数字集成电路在各个领域的应用越来越广泛。本文介绍一种用数字集成电路、霍尔集成电路设计的里程表。该里程表具有电路结构简单、计量精度高、工作稳定可靠、改变设计量程方便、成本低等特点。我们曾将该里程表安装于某电动车上测试，取得了满意的效果。 1 工作原理 里程表的工作原理框图如图1所示。霍尔集成电路完成从非电量到电量的转换，将车轮转动信号转换为电信号。此信号幅值较小，经过比较器使其变成幅值较大的脉冲信号。该脉冲信号由施密特触发器整形后送给计数器计数。计数器输出的8421BCD码经译码器译码后驱动LED显示器显示出计量结果。根据该框图设计的里程表电路如图1所示。 2 主要单元电路的设计 2．1 霍尔集成电路传感器 传感器是里程表的重要部件，它的性能对整机电路的工作起着极其重要的作用。这里我们选用CS3120开关型霍尔集成电路。这种集成电路具有使用寿命长、无触点磨损、无火花干扰、输出电阻小、功耗低、灵敏度高、温度特性好等特点。电路内部由霍尔元件、电压调整器、差分放大器、输出级等组成，采用塑料封装成三端器件，其功能图如图2所示。 稳压部分使电路能在较宽的电源电压范围内工作，开路输出使电路很容易地与众多的逻辑部件连接。图3是这种开关型霍尔集成电路的转移特性曲线。由图3看出，当外加磁场强度B 上升到导通点BOP时，霍尔开关输出由高电平降为低电平；当B由大变小降至BRP时，输出再由低电平跳变为高电平。 实际应用时将霍尔传感器做成如图4所示的结构。铁杆与磁钢粘牢后固定于车轮的适当位置。霍尔集成电路固定在车架上，与磁钢的垂直距离为2 mm～3 mm。这样，车

0 引 言 光纤通信具有高速、大容量、长距离、低损耗、强抗干扰能力等特点，适合多种综合数据业务，是未来宽带网络的发展方向。我国的信息化建设正处于大发展时期，对光纤、光缆、高速光电器件及光传输设备的需求量很大，市场前景广阔，国内已建的2.5 Gbit／s(STM-16)SDH骨干网已经不能满足爆炸增长的信息需求，10 Gbit／s(STM-64)光传输系统成为我国近期产业化的重点。为了提高信道利用率，使多个信号沿同一信道传输而互相不干扰，高速复接器的设计对于高速光纤传输系统的实现至关重要。复接器的速度是影响整个光纤传输系统速度的一个关键因素。在10Gbit／s速率以上，复接电路涉及到一系列高速电路，在电路设计、测试、封装等方面都有很大的挑战性。 CMOS工艺具有价格便宜、集成度高、功耗低的特点。随着CMOS工艺的发展，器件特征频率大幅提高，采用CMOS工艺实现超高速集成电路成为可能。本文给出了使用CMOS工艺设计的单片集成超高速4：1复接器。 1 系统结构 复接器有串行、并行、和树形3种基本结构。N：1串行结构复接器结构简单，容易实现，但是工作在高速状态的器件多，它的速度受到了限制。由于需要大电流来支持高速度，所以串行结构的电路功耗较大。N：1并行结构复接器需要N个不同相位的时钟，N个相位准确的时钟的产生难度高，对于N≥4的高阶复接器，因为或门的扇入系数大，导致或门速度降低，所以工作速率的大幅度提高比较困难。树形结构复接器中工作在最高速率的电路只有最后一级2：1复接器和第1级分频器，其他电路均工作在较低速状态，所以功耗比较小。但电路规模在3种结构的电路中最大。树形结构复接器的速度

前言随着射频和高速数字集成电路的快速发展，芯片面积越来越小，工作频率和速度越来越高，集成电路的设计已发生了深刻的变化。在封装设计领域，设计工程师们不仅要考虑封装的散热和工艺问题，还要能洞察封装中的各种寄生的电磁效应，确保封装在高速和高频状态下符合芯片的要求。同时，基于市场竞争的需要，还要避免过度设计，以最低的成本满足技术指标的要求。在芯片设计领域，设计人员不仅要面对电路复杂程度和工作速度、频率不断提高以及尺寸不断减小带来的挑战，同样要应对随之而来的电磁寄生效应对芯片性能的影响：一方面，在芯片内部电路的设计中，要仔细地处理高频、高速电路中的耦合、匹配及信号完整性问题，另一方面，也必须能够充分考虑封装寄生效应的影响，以便在电路设计时做出必要的修正，确保整个集成电路正常工作。由此可见，在高速高频集成电路设计中，对寄生电磁效应的处理是非常重要的，它已经成为缩短设计周期，降低设计和制造成本并最终决定设计成功与否的最关键因素。 电磁设计为了更好的处理高频高速集成电路中的寄生电磁效应，就必须进行仔细的电磁设计，电磁设计主要包括以下内容：1．封装及电路互联系统结构设计，通过设计减少寄生效应。2．寄生效应的提取和建模，利用提取的模型改进系统或电路设计，使整个系统在有寄生效应情况下保持正常工作。3．电磁兼容设计，通过设计降低辐射，提高抗干扰性能。用传统的设计手段进行电磁设计主要是以试验和测试为主，需要建立测试原型，但是，随着现代集成电路和封装复杂程度的提高，建立测试原型有显而易见的缺点：周期长，成本高，设计人员在设计周期的强大压力下往往不能进行充分的试验和测试，结果要么是很难达到设计指标，要么是被

              在同步设计中，通常采用时间延时平衡的方法来保证复位信号到达各个触发器的时间相同。这样需要加很多的延时缓冲器，对芯片的面积、功耗和成本等关键指标带来严重的影响，同时增加了大规模集成电路设计的复杂性。本文提出了一种适用于大规模集成电路设计的复位方法，该方法采用简单电路设计，可以不用加入延时平衡缓冲器，大大降低了芯片设计的复杂度，同时降低芯片的面积、功耗和成本等。随着集成电路设计技术的发展，单芯片电路的设计规模越来越大，设计复杂度也相应地越来越高。目前，在集成电路设计中，特别是以SoC(片上系统)芯片为代表的大规模集成电路设计中，通常都采用同步时序设计方法，即芯片内部的所有触发器都工作于相同的时钟信号，而且触发器状态的翻转也都发生在同一时刻。      图2：延时的复位信号时序图。          同步时序设计方法要求芯片内部时钟信号到达芯片内部各个触发器的时间一致。实际上，由于时钟信号到达各个触发器所经历路径的不同，将会导致各个触发器上时钟信号的延时都不太一致。为了保证时钟沿到达各个触发器的时间相同，设计人员通常需要对时钟经历的各个路径时进行补偿，即进行时钟树的平衡。 同样的，在芯片复位电路的设计中，复位信号的延时也将会对电路的数字逻辑产生影响。如图1所示的电路，由于三个不同的电路模块的复位信号输

现阶段全球EUV光刻技术销售市场的主导地位，已经紧紧掌握在一家西班牙企业阿斯麦手中。值得注意的是，在集成ic问世的整个过程中，极为关键的机械设备不仅拥有光刻技术，而且还拥有支撑8848亿我国市场的重要专用工具EDA。近年来，国内芯片产业链的经营规模迅速扩大。根据最新数据，2020年中国集成电路芯片营业收入达到8848亿元，年均增长率为20%，相当于当前世界产业链增长率的三倍以上。不难看出，中国已经成为世界上最大、最具发展潜力的AD693AD集成电路芯片销售市场。但是中国集成电路芯片行业的技术实力并不高，很多高档重要的机械设备长期依赖国外进口。例如EUV光刻技术。由于众所周知的原因，越来越多的普通客户开始关注这种芯片制造全过程中不可缺少的高档机械设备。而且现阶段全球EUV光刻技术销售市场的主导地位，已经紧紧掌握在一家西班牙企业阿斯麦手中。但阿斯麦并非一家简单的西班牙公司，背后拥有 过多的英国资产。值得注意的是，在集成ic问世的整个过程中，极为关键的机械设备不仅拥有光刻技术，而且还拥有支撑8848亿我国市场的重要专用工具EDA。说白了，EDA是指ic设计阶段，是一款极其重要的工业绘图软件，也是全球半导体材料的核心技术，整个产业链底层。材料表明，电子设备室内设计师根据EDA专用工具在电子控制系统设计过程中的许多工作非常方便高效。如果没有EUV光刻技术，就没有高精度加工工艺的圆晶；如果没有EDA，就不在乎圆晶的精度。值得注意的是，EDA不仅可以 应用于ic设计阶段，还可以广泛应用于机械设备、电子设备、通信、航天甚至国防、微生物、医药等关键行业。不幸的是，在EDA专用工具上，我国的高宽比

随着集成电路产业的不断发展，ADG406BP芯片的产值也是连年飙升，而中国芯片的进口额也是水涨船高。根据中国海关数据显示，2018年我国进口芯片数量为4175．7亿件，同比增长10．8％，进口金额达到3120．58亿美元，同比增长19．8％，这是中国芯片进口额首次突破3000亿美元，位居中国进口类产品第一名。虽然中国芯片目前的市场份额不大，但是发展势头是很猛的，在2019中国芯应用创新高峰论坛上，深圳市半导体行业协会常军锋秘书长预测，2019年中国集成电路设计业销售额将跨越3000亿元大关，芯片设计企业达1780家，深圳设计产业继续领衔全国，突破1000亿大关，全球5000亿美金的半导体市场，中国占有率还不足，但是国产芯片机遇与挑战并存，现在在国家大基金和全球芯片产业转移大形势下，天时地利人和，中国芯产业正步入加速期。中国集成电路设计行业的发展现状芯片领域是一个周期长而且投资大的产业，短时间内见不到效果，企业的发展也是受到市场环境影响巨大，发展芯片产业需要国家、企业和人才等共同的促进，这是急不来的。深圳半导体行业协会秘书长常军锋先生表示，目前芯片产业的贸易逆差是非常大的，2018年全球集成电路的产值是4779亿，进口量预计2019年将超3000亿，目前以深圳集成设计业为例，中国的高端芯片是很缺乏的，还有包括IP、EDA、材料、设备等都是缺失的领域，这是中国产业的现状。在大的国际环境下，中美贸易战所打击的，正是中国缺乏核心技术的领域，这也反映出中国科技和美国科技的差距。其实，早在2000年，我国政府就开始对集成电路进行重点的布局，包括市场化运作，政策方面，2014年专项集成电路政

众所周知，在集成电路设计中其中的一种重要的运行模式Fabless，它是Fabrication(制造)和less(无、没有)的组合，是指“没有制造业务、只专注于设计”BP5068A24的集成电路设计的一种运作模式，也用来指代未拥有芯片制造工厂的IC设计公司，经常被简称为“无晶圆厂”(晶圆是芯片\硅集成电路的基础，无晶圆即代表无芯片制造);通常说的IC design house(IC设计公司)即为Fabless。本文首先详解半导体芯片行业的三种运作模式，分别有IDM、Fabless和Foundry模式。其次介绍了半导体芯片及半导体芯片产业链重要环节，具体的跟随小编一起来了解一下。半导体芯片行业的运作模式1、Fabless(无工厂芯片供应商)模式主要的特点如下：只负责芯片的电路设计与销售;将生产、测试、封装等环节外包。主要的优势如下：资产较轻，初始投资规模小，创业难度相对较小;企业运行费用较低，转型相对灵活。主要的劣势如下：与IDM相比无法与工艺协同优化，因此难以完成指标严苛的设计;与Foundry相比需要承担各种市场风险，一旦失误可能万劫不复。这类企业主要有：海思、联发科(MTK)、博通(Broadcom)。2、IDM(Integrated Device Manufacture)模式主要的特点如下：集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身;早期多数集成电路企业采用的模式;目前仅有极少数企业能够维持。主要的优势如下：设计、制造等环节协同优化，有助于充分发掘技术潜力;能有条件率先实验并推行新的半导体技术(如FinFet)。主要的劣势如下：公司规模庞大，管理成本较高;运

导读：昨天省委宣传部举行“壮丽70年·奋斗新时代”——湖北省庆祝新中国成立70周年系列新闻发布会第五场：武汉——产业之“芯”、区域之“心”、动能之“新”。会上，武汉市发改委表示，武汉围绕“一芯两带三区”区域和产业发展布局打造产业新高地，集成电路设计产业增速居全国前三。集聚芯片企业100余家武汉已集聚芯片企业100余家，正在形成以存储芯片、光电子芯片、红外芯片、物联网芯片为特色的国家级“芯”产业高地。研制出具有完全知识产权的红外探测器芯片，红外热成像技术进入世界第一梯队。武汉集成电路设计产业增速位居香港、杭州之后，为全国第三。武汉以信息光电子产业为主攻方向，以“芯”产业为引领，正在打造“芯屏端网”万亿产业集群。目前，武汉正在布局互联网+、5G通信、网络安全产品和服务等下一代信息网络产业集群。五大产业基地吸引投资5000亿元武汉紧盯新一轮科技革命和产业变革，以培育具有核心竞争力的主导产业为主攻方向，策划布局了存储器、商业航天、网络安全人才与创新、新能源和智能网联汽车4个国家级产业基地，今年又启动了大健康产业基地建设，通过技术和产业的跨界融合发展，加快构建高新技术产业迭代发展的生态矩阵。据不完全统计，这五大基地吸引投资5000亿元。武汉攻坚关键核心技术，强化科技创新，一批科技成果达到世界先进水平，神舟、蛟龙、天宫、天眼、北斗、大飞机、高铁、“西电东送”、地球深部探测等国家重大战略、重要工程和重大装备都有武汉研发的身影。与省内城市共建20多个“园外园”围绕区域之“心”，武汉开发区、东湖高新区、临空港经济开发区与周边地区合作共建“园外园”20多个，大批武汉企业主动布局全省。武汉还构建了五

7月9日，中国国家知识产权局举办第三季度例行新闻发布会，集中发布专利、商标、地理标志、集成电路布图设计的半年统计数据，以及这些数据体现出的中国知识产权事业发展趋势和进展情况。数据显示，2019年上半年，我国主要知识产权指标符合事业发展预期，知识产权综合实力稳步提升。其中，集成电路布图设计方面的数据尤为亮眼：2019年上半年，共收到集成电路布图设计登记申请2904件，同比增长45.7%；发证2487件，同比增长52.0%。国家知识产权局战略规划司司长葛树表示，集成电路对中国实现制造业升级与产业结构调整起着重要作用，近年来企业高度重视集成电路布图设计的工作。这位司长说，国家知识产权局的集成电路布图设计审批流程不断优化，审查效率不断提高，保证了集成电路布图设计申请注册及时完成，也为创新主体提供了更好的服务。报道称，2019年上半年，中国主要知识产权指标符合事业发展预期。葛树说，知识产权综合实力稳步提升，这反过来也提升了国家的创新开放水平。

导读：近日，上交所公布第三批上会企业名单，澜起科技、杭可科技和天宜上佳3家公司将于6月13日接受科创板股票上市委员会的审核。作为第三批上会企业中唯一的集成电路设计企业，澜起科技的主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案，目前主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。根据此前的招股书显示，澜起科技已经成为全球可提供从DDR2到DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一。其发明的DDR4全缓冲“1+9”架构被采纳为国际标准，相关产品已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，占据全球市场的主要份额。据了解，澜起科技内存接口芯片的下游客户为三星电子、海力士、美光科技为代表的内存模组制造商。2018年，澜起科技内存接口芯片业务销售收入占比达到99.49%，是该公司的核心收入来源。值得注意的是，澜起科技还拟公开发行不超过11,298.1389万股A股普通股股票，使用募集资金23亿元用于与公司主营业务相关的项目，包括新一代内存接口芯片研发及产业化项目，津逮服务器CPU及其平台技术升级项目，以及人工智能芯片研发项目。从募投项目来看，未来澜起科技不仅将进一步强化在DDR4上的技术优势，还将推进新一代DDR5内存芯片接口的研发和产业化，同时全面布局用于云端数据中心的AI芯片。澜起科技也在招股书中透露其未来发展战略称，未来三年，将通过持续不断的研发创新，提升公司在细分行业的市场地位和影响力。例如在内存接口芯片业务领域，澜起科技规划在未来三年完成第一代DDR5内存接口芯片的研发和产业化；在数据中心业务领域，持续升级津逮服务器CPU及其平台；在人工智

11月28日上午，上海集成电路设计产业园正式揭牌，上海市政府与紫光集团有限公司签署战略合作框架协议。紫光集团有限公司、上海韦尔半导体股份有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、阿里巴巴(中国)有限公司等企业和项目首批入驻园区。上海市委书记李强，上海市委副书记、市长应勇会见了紫光集团董事长赵伟国等相关企业负责人。李强对紫光集团等企业入驻上海集成电路设计产业园并签署相关合作协议表示欢迎。他说，集成电路是上海重点聚焦的关键领域之一，产业链完整、企业集聚度高、各类人才集中，我们将厚植产业优势，努力把集成电路打造成为“上海制造”的重要代表，更好服务国家战略。紫光集团等都是集成电路设计领域的知名企业，与上海的发展战略高度契合。我们欢迎集成电路等领域高科技企业投资上海、融入上海、深耕上海，共享机遇，共赢发展。我们将全力打造国际一流的营商环境，为各类企业在沪发展搭建更大舞台、创造更好条件、提供更优服务。应勇为上海集成电路设计产业园揭牌并见证签约，对紫光集团等企业入驻上海集成电路设计产业园表示祝贺。他说，上海集成电路产业链完整、产业集中度高、综合技术能力强，我们将大力支持集成电路产业发展，着力优化营商环境，推动各类企业在沪更好发展。赵伟国和上海韦尔公司董事长虞仁荣、兆易创新公司董事长朱一明、阿里巴巴集团副总裁周明等感谢上海市委、市政府对企业发展的支持。他们表示，上海集成电路产业基础坚实、人才集聚，发展前景十分广阔，将进一步聚焦重点关键领域，加大创新研发投入，助力上海集成电路产业发展，更好服务国家战略。上海市领导翁祖亮、诸葛宇杰、吴清参加相关活动。上海韦尔公司、兆易创新公司、阿里巴巴集团也分别与浦

据介绍，珠海高新区作为国家火炬计划软件产业基地、省软件与集成电路战略性新兴产业基地，软件和集成电路设计产业已成为该区“4+2”现代产业格局的重要组成部分。2015年，该区软件和信息技术服务业实现主营业务收入357.39亿元，同比增长27.26%。羊城晚报记者获悉，珠海高新区将支持软件和集成电路设计企业加强资质能力建设，对年销售额超过500万元的软件和集成电路设计企业，首次获得开发能力成熟度模型集成（CMMI）3级以上认证的，给予奖励资金20万元。对首次获得国家系统集成资质三级以上的企业，给予奖励资金10万元。为有效降低集成电路企业新产品研发流片成本和风险，缩短产品的研制周期,提高产品的可靠性，珠海高新区对集成电路设计企业拥有的自主知识产权芯片产品，按首次流片费用的30％给予补贴，每个企业年度补贴金额最高不超过100万元。珠海高新区还将对年销售额超过5000万元的集成电路设计企业，独立购买EDA软件的，按实际购买经费的10%给予补贴，每个企业年度补贴金额最高不超过100万元。此外，为加强珠海高新区区软件和集成电路设计类公共服务平台能力，为区内企业提供高质、安全、便捷和低成本的技术服务，该区对获得国家认可委员会认可实验室资质的，给予30万元资质认证补贴。珠海高新区表示，对申报材料不实、恶意骗取财政资金的企业，依法追回已奖补资金，其行为纳入征信系统，列入企业信用记录和信用报告。

近日，“2015年中国半导体市场年会暨第四届中国集成电路产业创新大会”在合肥召开。大唐电信科技股份有限公司旗下大唐半导体设计有限公司荣获由中国半导体行业协会授予的“2015年中国十大集成电路设计企业”殊荣。大唐电信总工程师、大唐半导体副总裁刘迪军在论坛上作了《国产芯片技术与移动互联网生态圈打造》的主题演讲。据了解，作为国内领先的集成电路设计企业，大唐半导体积极推动芯片国产化进程，在智能终端芯片领域，28nmTD-LTE智能终端芯片已实现规模商用；在智能卡安全芯片领域，首家实现国内0.13umEEPROM工艺双界面芯片商用，并为国家二代证卡、社保卡、金融卡等项目累计供货十几亿只芯片；在汽车电子芯片领域，实现车灯调节控制芯片商用，并完成门驱动汽车芯片的研发设计。目前，大唐半导体通过业务整合，构建了统一业务平台，统一公共研发平台，统一市场营销和供应链管理体系，初步形成“4BU+1”的发展模式，即终端芯片、安全芯片、汽车与工业电子、融合通信四大业务板块加公共研发平台，将集成电路设计产业做实做强，力争3—5年实现收入规模增长，进入国家集成电路设计产业前列。

近日，中国半导体行业协会主办的 “中国集成电路设计业2014年会暨中国内地与香港集成电路产业协作发展高峰论坛”在香港隆重召开。会议期间召开了中国半导体行业协会设计分会全体理事成员工作会议，议定“中国集成电路设计业2015年会”主办城市，市科委会同滨海新区政府在会议上发表申办主旨演讲，经全体理事单位投票表决，我市成功获得“中国集成电路设计业2015年会”主办权。“中国集成电路设计业2015年会” 由中国半导体行业协会与国家核高基重大科技专项专家组主办，是IC设计行业企业聚集度最高、影响力最大的全国峰会。该次年会将于2015年年末在津举办，为期2天，届时将有来自全国各地政府、集成电路设计企事业单位及行业组织代表1400余人参加。此次香港会议发布了《中国集成电路设计业2014产业发展报告》，对全国681家半导体设计企业的统计显示，2014年全行业销售额有望达到982.5亿元，约合159.76亿美元，同比增长12.35%，占全球集成电路设计业的比重预计为18.8%，比2013年的16.73%提升了2.07%。天津市2014年集成电路设计产业产值稳步增长，达39.45亿元，保持全国各省市排名前五位。2015年是“天津市促进集成电路产业发展三年行动计划”的开局之年，市科委将会同滨海新区政府积极组织筹备好“中国集成电路设计业2015年会”，并借助承办行业年度盛会之机，通过组织实施天津市集成电路设计重大科技专项等举措，促进我市集成电路设计业的开放创新和国内外企业、人才与技术的引进。

各有关单位： 为贯彻落实《集成电路设计企业认定管理办法》（工信部联电子〔2013〕487号），规范北京市集成电路设计企业认定与年审工作，促进我市集成电路设计产业健康有序发展，我们制定了《北京市集成电路设计企业认定管理实施细则》，现予以发布，请遵照执行。 第一章 总则 第一条 为进一步规范和促进集成电路设计产业发展,落实国家优惠政策，加强对本市集成电路设计企业认定工作的管理, 依据《集成电路设计企业认定管理办法》（工信部联电子〔2013〕487号），结合本市实际情况，制定本细则。 第二条 本细则所称集成电路设计企业，是指在本市行政区域内依法设立的从事集成电路功能研发、设计及相关服务，并符合财税〔2012〕27号文件有关规定的企业。 第三条 北京市经济和信息化委员会（以下简称“市经济信息化委”）负责在本市设立的集成电路设计企业认定或年审的受理，以及申报材料的真实性审核工作。 第四条 市经济信息化委委托中介专业机构承担本市集成电路设计企业申请认定和年审的具体工作，包括材料初审、组织专家评审、证书发放等。北京半导体行业协会组织开展相关政策的宣传、辅导、咨询工作，开展政策实施情况评估和诚信体系建设等工作。 第五条 市经济信息化委、市发展改革委、市财政局、市国税局、市地税局建立会商机制，协调解决本细则实施过程中遇到的问题。 第六条 按照《中华人民共和国政府信息公开条例》有关规定,市经济信息化委对集成电路设计企业认定和年审的法律依据、流程和认定结果等相关信息进行公开，并与相关部门共享。 第二章 认定条件和程序 第七条 申请认定的集成电路设计企业须符合下列条件： （一）在本市行政区域内注册成立

近日，《滨海新区加快发展集成电路设计产业的意见》和《天津市滨海新区集成电路产业集群化发展战略规划》经审议通过，即日起实施。据了解，今后滨海新区每年将投入2亿元专项资金，从鼓励落户、人才培育、平台支撑、金融扶持等八大方面，将新区集成电路产业打造成为国家重要的集成电路设计产业引领示范区。预计到2020年，新区集成电路设计产业集群发展格局将基本形成，届时，集成电路设计企业将近百家，年销售收入可达200亿元。

深圳自2009年发力战略性新兴产业以来成效卓著。从深圳集成电路设计产业化基地获悉，在信息化高端领域——集成电路设计行业（即IC设计行业），深圳成功跻身全国前三，IC设计企业销售额约占全国两成，在全国十大IC设计企业中，深圳海思、国民技术的排名高居前五位。 来自深圳IC基地的统计显示，深圳IC设计企业数量约为140家，约占全国的1/4，与之对应的是，深圳IC设计业销售额也占全国份额的1/4强。2005年，海思与AM25S374PC中兴微电子分别从华为和中兴通讯独立出来后，深圳出现了上亿元的IC设计企业。此后，深圳步入亿元门槛的IC设计企业进一步增加，销售额提高到5000万以上的企业数量也逐渐增多。 深圳IC设计产业自2003年步入高速发展期，当时IC设计产业销售额仅为6亿，现在该项数据高达135亿，跻身全国前三，年平均增幅约在48％左右。并在2010年首次突破百亿大关。 IC设计行业的技术门槛非常高，其话语权一直被欧美等发达国家所把持。不过，深圳IC设计企业在技术上也有突破，设计能力追赶欧美领先水平。据深圳IC基地有关负责人介绍，从主流产品特征线宽分布看，深圳量产的芯片主要采用大于0.13μm工艺，使用等于和小于0.13μm工艺的企业占四成，总体的设计能力增强。在数字芯片中，中兴微电子、芯邦科技、华芯飞、力合微电子和安凯的设计能力已经达到90nm和65nm的工艺水平，而海思已经开始40nm甚至更低工艺节点的设计，代表着深圳的高端设计水平。 不仅如此，深圳IC设计产业结构也趋向合理，IC设计从通信和消费走向多元化。专家称，伴随着深圳电子信息产业的升级换代，深圳IC设计的产品线也从早

国内集成电路产业规模与终端产品制造业不相适应。中国是全球最大的电子制造产业基地，但中国集成电路芯片80％依靠进口，尽管中国集成电路产业在全球的份额也在不断增长，但其比例仍然远远落后于终端产品。 在与国际半导体巨头的同台竞争中，本土集成电路设计企业较好地贴近了国内高度分散的市场，提供针对性的定制化服务，使中国集成电路设计业在全球半导体市场增长MAX708SESA放缓的大背景下实现了持续快速发展。 2011年中国集成电路产业促进大会日前在山东济南召开。工业和信息化部软件与集成电路促进中心在会上发布的报告认为，在全球经济不景气的情况下，我国本土集成电路企业却得到了不错的增长态势。该中心预计，今年我国集成电路设计业销售额将达到686.81亿元，占全球比重上升至13.89%。 该中心抽样调查了全国42家重点集成电路设计企业，结果显示，2011年绝大部分企业的集成电路设计销售额实现了增长，平均增长率达40.88%，其中有6家企业的销售额实现翻番。

近日，中国半导体行业协会集成电路设计分会会员大会与“2011ICCAD”同期召开，在此次会议上，灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）入选为中国半导体行业协会集成电路设计分会理事。 灿芯半导体总裁兼CEO职春星博士说：“灿芯MAX749半导体自成立以来，一直在不断地成长壮大，从0.18um芯片设计服务开始，目前已经成功tapeout了40nm芯片。我们很高兴入选为集成电路设计分会的理事，感谢各位代表及协会对我们的肯定！同时，我们也希望能够通过自己的力量，为中国半导体行业做一些实事。” 灿芯半导体销售与市场副总裁徐滔先生说：“参加此次盛会感触颇深，中国半导体的发展非常迅速，每年都有新的变化，每年都会推陈出新，半导体产业链上下游之间通力合作，为半导体的发展推波助澜。灿芯半导体成立于2008年7月，通过三年的努力，赢得了大家的认可，这使我们信心倍增。能入选集成电路设计分会的理事，是我们的荣幸，也是行业对我们成绩的肯定。希望我们的服务能够得到更多客户的认可和肯定！”

一、产品描述v24a15m400bg2是一款高性能电力管理芯片，具有广泛的应用领域。采用先进的技术结构和设计原理，具备稳定可靠的工作特点。该芯片具有多种型号分类和丰富的参数规格，方便用户选择适合自己需求的产品。拥有简单易用的引脚封装，使其在市场上具备很高的竞争力。本文将对v24a15m400bg2的技术结构、设计特点、工作原理、芯片类型、参数规格、引脚封装、市场应用以及发展趋势进行详细分析。二、技术结构采用先进的封装技术和集成电路设计，具有紧凑的结构和高度集成的特点。它由多个功能模块组成，包括电压调节模块、电流控制模块、温度监测模块等。这些模块相互协作，实现对电力的精确管理和控制。三、设计特点1、高效能：该芯片采用高效能的设计方案，能够实现更高的效率和更低的功耗。2、稳定性：采用先进的稳定性设计，能够在各种工作条件下保持稳定的电力输出。3、可编程性：具备可编程功能，用户可以根据实际需求进行自定义设置。4、多保护功能：拥有多种保护功能，如过压保护、过流保护、过温保护等，能够有效保护设备和电路的安全。四、工作原理基于先进的电力管理技术。通过对输入电压和输出电流的监测和控制，实现对电力的精确调节。同时，该芯片还具备多种保护机制，能够在异常情况下及时切断电力输出，保护设备和电路的安全。五、芯片类型属于电力管理芯片的一种，它专门用于电力管理和控制领域。该芯片采用了先进的集成电路设计和制造工艺，具备高度的可靠性和稳定性。六、参数规格1、输入电压范围：12v-24v2、输出电压范围：0v-15v3、输出电流范围：0a-4a4、工作温度范围：-40℃-85℃5、封装类型：bga封装七、引脚封装