PIN光电二极管是一种EP1S30F780C6光电转换器件，可以将光信号转换为电信号。它具有简单的结构、高灵敏度和快速响应等优点，在光通信、光电检测、物体识别等领域有广泛应用。一、结构：PIN光电二极管由三个区域组成：P型半导体、固有层（I区）和N型半导体。通常情况下，P型和N型半导体是高掺杂的，而固有层则是低掺杂的。三个区域形成了一个PN结，固有层是一个在两个掺杂层之间的非掺杂层。二、优缺点：优点：1、高灵敏度：PIN光电二极管的固定层能够增强电子和空穴的辐射捕获效率，从而提高了光电转换效率。2、快速响应速度：PIN光电二极管具有较低的电容和电阻，使其能够快速响应光信号的变化。3、宽频带特性：PIN光电二极管的频率响应范围广，可以用于接收高频信号。4、低噪声：PIN光电二极管的噪声水平较低，能够提供高信噪比的输出信号。缺点：1、相对较高的工作电压：PIN光电二极管需要较高的工作电压才能正常工作。2、温度敏感：PIN光电二极管的性能容易受到温度的影响。三、工作原理：PIN光电二极管的工作原理是利用内建电场增强光电转换效果。当光照射到PIN光电二极管的N型半导体区域时，光子会激发电子从价带跃迁到导带，产生电流。由于内建电场的存在，电子会被迅速收集到P型半导体区域，从而形成一个输出电流。内建电场的强度和方向可以通过外部电源调节，以改变光电转换效果。四、应用：1、光通信：PIN光电二极管可以用作光纤通信中的接收器，将光信号转换为电信号。2、光测量：PIN光电二极管可以用于测量光强度的变化，如光谱分析、光强度检测等。3、光电探测：PIN光电二极管可以用于光电探测器，如红外线探测器、光电

硅光电二极管（Silicon Photodiode）是一种用于光电转换的TS5A3159DBVR半导体器件。它可以将光能转化为电能，具有广泛的应用领域，包括通信、光电测量、光电探测等。下面将对硅光电二极管的基本结构、特点、工作原理、应用、检测方法、安装使用及发展历程进行详细介绍。一、基本结构：硅光电二极管的基本结构包括P型硅区域、N型硅区域和PN结。P型硅区域富含正电荷载流子，N型硅区域富含负电荷载流子。PN结是P型和N型材料的接触面，形成一个电势垒。当光照射到PN结时，光能被吸收，产生电子-空穴对，进而产生电流。二、特点：1、高灵敏度：硅光电二极管对光信号非常敏感，能够接收到比人眼还要微弱的光信号。2、宽波长范围：硅光电二极管能够接收到可见光和近红外光，波长范围通常为200 nm至1100 nm。3、快速响应：硅光电二极管的响应速度非常快，可以达到纳秒级别。4、低噪声：硅光电二极管的噪声水平较低，适用于精密测量和低光强应用。三、工作原理：硅光电二极管的工作原理基于内光电效应。当光照射到窗口层时，光子的能量会激发PN结中的载流子，从而改变PN结的电流。这个电流变化可以通过外部电路进行测量和分析。四、应用：硅光电二极管广泛应用于光电测量、光通信和光电转换等领域。具体应用包括：1、光电测量：用于光强测量、光谱分析、光功率检测等。2、光通信：用于接收光信号、光传感器和光通信系统中的光电转换器件。3、光电转换：用于太阳能电池、光电耦合器、光电调制器等。五、检测方法：硅光电二极管的检测方法通常包括以下几种：1、光电流检测法：通过测量硅光电二极管在光照下产生的光电流来检测光信号的强度。通常

雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode，简称APD）是一种具有内部增益特性的光电二极管，用于检测低光强度信号。它在光信号接收和检测中具有较高的灵敏度和低噪声特性，常用于光通信、光谱分析、光电子显微镜等领域。一、基本结构：雪崩光电二极管的基本结构与普通光电二极管相似，由P型和N型半导体材料构成。但与普通光电二极管不同的是，APD在P-N结附近添加了高掺杂的区域，称为雪崩区。雪崩区的高电场强度可以使载流子获得较高的能量，从而产生雪崩效应，形成电子-空穴对。二、工作原理：当光子进入APD，被吸收并转化为电子-空穴对。在雪崩区的高电场作用下，电子-空穴对会经历倍增过程，即每个载流子在撞击离子晶格时会产生更多的电子-空穴对。这种雪崩效应可以显著增加载流子的数量，从而提高光电二极管的灵敏度。最终，产生的电荷被收集到电极上形成电流输出。三、主要特性：1、内部增益：APD通过雪崩效应实现内部增益，可以将输入光信号放大，提高信噪比。2、高灵敏度：由于内部增益的作用，APD对低光强信号的检测具有较高的灵敏度。3、低噪声：APD具有较低的噪声水平，使其能够检测到微弱的光信号。4、宽波长范围：APD对于不同波长的光信号都具有较高的灵敏度，可用于多种波长的光信号检测。5、快速响应：APD具有较短的响应时间，适用于高速通信和快速检测应用。四、应用：1、光通信：APD可用于接收光纤通信中的弱光信号，提高通信距离和传输速率。2、光谱分析：APD可用于光谱仪等仪器，用于测量和分析不同波长的光信号。3、光电子显微镜：APD可用于光电子显微镜中，用于检测和放大显微镜所观察到的微弱光信号。五、发展趋

一、什么是光电二极管光电二极管（Photodiode）是一种能够将光能转换为电能的半导体器件。其结构类似于普通二极管，但在P-N结上面有一层反型掺杂。当光照射到光电二极管上时，光子的能量被转化为电子，进而在P-N结中形成电流，从而实现光电转换。二、光电二极管的原理光电二极管的原理可以归纳为两个方面：1、光电效应原理当光照射到半导体材料上时，光子可以被电子吸收，从而将光子的能量转化为电子能量。当光子能量大于半导体带隙能量时，就会产生电子空穴对。在光电二极管中，这些电子会被推向反型掺杂层，而空穴则被推向正型掺杂层，从而形成一个电势差，产生电流。2、PN结原理光电二极管TPS54231DR的结构是由P型半导体和N型半导体组成。在P-N结处，存在一个电场，当光照射到P-N结时，光子的能量被吸收，使得电子从N型半导体跃迁到P型半导体。这个跃迁的过程会带来电流，这就是光电二极管的工作原理。三、光电二极管的种类1、PIN型光电二极管PIN型光电二极管是一种具有高灵敏度和宽带宽的光电二极管。其结构是由P型半导体和N型半导体之间夹一层中性区域组成。中性区域的存在使得PIN型光电二极管的电容较小，从而提高了其响应速度和灵敏度。因此，PIN型光电二极管是一种广泛应用于光通信、光电子学和光谱学等领域的高性能光电二极管。2、APD型光电二极管APD型光电二极管是一种具有内部增益的光电二极管。其结构与PIN型光电二极管类似，但在N型半导体中加入了高掺杂的区域，形成了一种内部放大器。这种结构使得APD型光电二极管具有高增益和高灵敏度的特点，可以用于弱光检测和光通信等高性能应用。3、PSD型光电二极管PSD型

说明HSDL-9001是一种低成本的模拟输出环境低成本微型四平面引线（QFN）无铅表面贴装封装中的光光电二极管。它由一个光电二极管组成，在人体内达到峰值在550纳米处发光旋涡。因此，它提供了卓越的响应性，接近响应它提供了HSDL-9000数字输出的替代设计无限环境光照传感器光探测阈值控制。都是HSDL-9000HSDL-9001是以下应用的理想选择环境光的测量用来控制显示背光。移动应用程序，如手机和掌上电脑会产生大电流从显示屏背光将受益于将HSDL-9000和HSDL-9001纳入他们的设计是为了降低功耗明显地。特征卓越的反应能力，在人体内达到顶峰550nm下的光度曲线对人眼的密切反应微型QFN表面贴装组件高度0.60 mm宽度2.00 mm深度1.50 mm无限环境光检测阈值控制保证温度性能-40oC至85oCVCC电源2.7至3.6 V无铅和符合RoHS应用检测环境光以控制显示器背光移动设备：移动电话、PDA计算设备：笔记本电脑、网页消费设备：电视、摄像机、数码相机日光和人工光暴露装置电气和光学规范除非另有说明，否则规格（最小值和最大值）保持在推荐的操作条件下。未指定测试条件可能在其工作范围内的任何地方。除非另有说明，否则所有典型值（典型值）均为25°C，VCC为3.0 V。笔记：1.CIE标准光源（白炽灯）的照度。2.荧光灯用作光源。然而，在大规模生产中，白光LED被取代了。回流焊外形是标称对流回流焊工艺的温度分布。温度分布被划分分成四个加工区不同的时间温度变化率。时间价格详见上表。测量温度在要打印的组件处电路板连接。在工艺区P1，PC板和I/O引脚加热至温度160°C至

光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。 光电二极管与光电三极管外壳形状基本相同，其判定方法如下： 遮住窗口，选用万用表R*1K挡，测两管脚引线间正、反向电阻，均为无穷大的为光电三极管。正、反向阻值一大一小者为光电二极管。 光电二极管检测：首先根据外壳上的标记判断其极，外壳标有色点的管脚或靠近管键的管脚为正极，另一管脚为负载。如无标记可用一块黑布遮住其接收光线信号的窗口，将万用表置R*1 K挡测出正极和负极，同时测得其正向电阻应在10K~20K间，其反向电阻应为无穷大，表针不动。然后去掉遮光黑布，光电二极管接收窗口对着光源，此时万用表表针应向右偏转，偏转角度大小说明其灵敏度高低，偏转角度越大，灵敏度越高。 光电三极管检测：光电三极管管脚较长的是发射极，另一管脚是集电极。检测时首先选一块黑布遮住起接收窗口，将万用表置R*1K挡，两表笔任意接两管脚，测得结果其表针都不动（电阻无穷大），在移去遮光布，万用表指针向右偏转至15K~35K，其向又偏转角度越大说明其灵敏度越高。 检测结果凡符合以上规律的光电二极管、光电三极管可初步认为其能满足使用需要。

光纤数据接收器电路

　　一个光电二极管DL饲料高增益红外遥控前置放大器1C，CA3237E。U2是一种调频锁相环探测器调整到100千赫左右。U3和检测器的输出被放大，它可以驱动一个扬声器或耳机。 　　

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款具有高发光灵敏度和快速开关时间的高速硅PIN光电二极管——TEFD4300和TEFD4300F，二极管采用透明和黑色树脂T1塑料封装，扩大了Vishay的光电子产品组合。TEFD4300和TEFD4300F采用3mm透镜，具有高达17μA的反向光电流和±20°的半灵敏度角。 今天发布的器件特别适合仪表应用中的数据传输、光中断器、光学开关、编码器和位置传感器。对于红外和可见光源，采用透明外壳的TEFD4300的感光波长为350nm～1120nm。对于波长770nm～1070nm的红外光源，采用黑色树脂外壳的TEFD4300F带有一个匹配850nm～950nm红外发射器的日光阻挡滤镜。 在低负载电阻情况下，光电二极管的开关时间可以达到10ns，光电流的温度系数为0.1%/K，温度范围-40℃～+100℃，峰值灵敏度的波长为950nm。器件的封装与VSLB3940、TSUS4300和TSAL4400红外发射器系列相匹配。 光探测器支持无铅工艺，符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC，达到Vishay绿色环境标准。 TEFD4300和TEFD4300F现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为四周到六周。

Vishay Intertechnology， Inc宣布，推出新款具有高发光灵敏度和快速开关时间的高速硅PIN光电二极管---TEFD4300和TEFD4300F，二极管采用透明和黑色树脂T1塑料封装，扩大了Vishay的光电子产品组合。TEFD4300和TEFD4300F采用3mm透镜，具有高达17µA的反向光电流和±20°的半灵敏度角。今天发布的器件特别适合仪表应用中的数据传输、光中断器、光学开关、编码器和位置传感器。对于红外和可见光源，采用透明外壳的TEFD4300的感光波长为350nm～1120nm。对于波长770nm～1070nm的红外光源，采用黑色树脂外壳的TEFD4300F带有一个匹配850nm～950nm红外发射器的日光阻挡滤镜。 在低负载电阻情况下，光电二极管的开关时间可以达到10ns，光电流的温度系数为0.1%/K，温度范围−40℃～+100℃，峰值灵敏度的波长为950nm。器件的封装与VSLB3940、TSUS4300和TSAL4400红外发射器系列相匹配。 光探测器支持无铅工艺，符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC，达到Vishay绿色环境标准。 TEFD4300和TEFD4300F现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为四周到六周。

摘要：本文阐述了如何使用DS1841对数电位器调节APD偏置电路的输出范围。为了使调节过程更简单，本文还提供了电子数据表。 APD偏置电路 DS1841可受温度控制的非易失(NV)、I2C对数电位器包含了一个7位对数变化的电阻器。通过与升压型DC-DC转换器相配合，DS1841能够调节施加在雪崩光电二极管的偏置电压。利用三个外部电阻(RSER、RTOP和RPAR)调节输出范围(图1)。 图1.利用DS1841和升压型DC-DC转换器(此处为MAX5026或MAX1523)构成的APD偏置电路 调节APD偏置电压范围 利用电子数据表DS1841 APD偏置电压调节(xls)可以方便地调节APD偏置电压。该电子数据表包含四个输入变量：RTOP、RSER、RPAR以及VFB。输入这些电阻值后，电子数据表即可计算出四个输出值：VAPD (最大值)、VAPD (最小值)、STEP (最大值)和STEP (平均值)。此外还生成了两个曲线图：APD偏置与DAC码关系曲线和每级电压与DAC码的关系曲线图。图2所示界面给出了四个变量以及通过输入值而生成的图形。表1定义了电子数据表所使用的参数。 图2.该电子数据表界面包含了四个数据输入变量(见左上角) 表1.使用DS1841调节APD偏置电压范围时的变量定义

摘要：本文提供的参考设计用于实现APD偏置电源及其电流监测。基于MAX15031 DC-DC转换器，该电路能够将2.7V至11V范围的输入电压经过DC-DC电源转换器后得到一个70V、4mA电源。 下面列出了参考设计的主要规格、详细的原理图(图1)以及材料清单(表1)。 设计规格与配置 2.7V至11V较宽的输入电压范围 70V输出电压 4mA输出电流 400kHz固定开关频率 -40°C至+125°C工作温度范围 微型、8mm x 12mm电路板尺寸 参考设计原理图 图1所示为参考设计的原理图，输入电压范围为2.7V至5.5V。将CP引脚连接到VIN、去掉电荷泵电容(C3)，该电路可接受5.5V至11V输入范围。 图1.MAX15031升压转换器原理图，FSW = 400kHz (固定)。 表1.材料清单(BOM) Designator Value Description Part Footprint Manufacturer Quantity 表示本设计性能的波形图 图2和图3给出了图1所示电路的工作性能，从LX节点的电压波形可以看出，转换器工作在非连续模式。输入(VIN)保持为3.3V，电路设计为产生70V输出电压(VOUT)。 图2.3.3V输入时的VIN (通道1)、VOUT (通道2)和APD (通道3)。 图3.VIN = 3.3V、APD电流为4mA时的LX节点电压(通道1)、VOUT (通道2)和APD输出(通道3)。 图4.VIN = 3.3V、APD电流为4mA时的输入纹波(通道1)和输出纹波(通道2)。 图4给出了输入电压为3.3V、

雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度、高速度的光电二极管。施加反向电压时，能启动其内部的增益机构。APD的增益可以由反向偏置电压的幅度来控制。反向偏置电压越大增益就越高。APD在电场强度的作用下工作，光电流的雪崩倍增类似于链式反应。APD应用于对光信号需要高灵敏度的各种应用场合，例如光纤通讯、闪烁（scintillation）探测等。 对APD的测量一般包括击穿电压、响应度和反向偏置电流等。典型APD的最大额定电流为10-4到10-2A，而其暗电流则可低达10-12到10-13A的范围。最大反向偏置电压随APD的材料而变化，铟砷化镓（InGaAs）材料的器件可达100V，硅材料的器件则可高达500V。 测试介绍 测量APD的反向偏置电流需要一种能够在很宽范围内测量电流并且能输出扫描电压的仪器。由于这种要求，吉时利6487型皮安计电压源或者6430型亚飞安（Sub-Femtoamp）源-表等仪器对于这类测量工作是非常理想的。 图1所示为6430型亚飞安源-表连接到一个光电二极管上。该光电二极管安放在一个电屏蔽的暗箱中。为了对敏感的电流测量进行屏蔽，使其不受静电干扰的影响，将此暗箱与6430型亚飞安源表的低端相连。 图2示出使用6430型数字源表测量得到的铟砷化镓（InGaAs）材料APD的电流与反向扫描电压的关系曲线，注意其电流测量的范围很宽。随着光的增强，雪崩区域变得更加明显。击穿电压将引起电流自由流动，因为这时会形成电子空穴对，而不再需要光照射二极管来产生电流。

光电二极管" 英文通常称为 Photo-Diode 光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号。那么，它是怎样把光信号转换成电信号的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度约大，反向电流也约大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 2、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源|稳压

本文介绍了发光二极管的多种形式封装结构及技术，并指出了其应用前景。 1 引言LED是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，发光响应时间极短，光色纯，结构牢固，抗冲击，耐振动，性能稳定可靠，重量轻，体积小，成本低等一系列特性，发展突飞猛进，现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的LED产量约占世界总量的12％，“十五”期间的产业目标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度AiGslnP的LED外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度LED管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的LED的中批量生产。据预测，到2005年国际上LED的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。 在LED产业链接中，上游是LED衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为led芯片设计及制造生产，下游归LED封装与测试，研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型LED走向实用、走向市场的产业化必经之路，从某种意义上讲是链接产业与市场的纽带，只有封装好的才能成为终端产品，才能投入实际应用，才能为顾客提供服务，使产业链环环相扣，无缝畅通。 2 LED封装的特殊性 LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。LED的核

光电二极管（Photodiode）是一种能够将光信号转化为电信号的半导体器件。它通过DCP010512BP光电转换效应，将入射的光能量转化为电能，进而产生电流。光电二极管广泛应用于光电探测、通信、光电测量等领域。以下将详细介绍光电二极管的工作原理及主要特性。1. 光电二极管的工作原理：光电二极管采用了PN结，其工作原理主要基于内建电场（built-in electric field）和光电效应（photoelectric effect）。光电效应是指当光子与物质相互作用时，能量被转移给物质，使电子从价带上跃迁至导带，形成一个光生载流子。当光子能量大于或等于材料的带隙能量时，光生载流子的产生就会显著增加。在PN结中，P区富集杂质，N区则为掺杂杂质。当在PN结两侧分别施加正向偏置和反向偏置时，即Vd>0和Vd<0，光电二极管便可工作。正向偏置时，由于P区具有较多的载流子，光电二极管将成为一个导通状态，有较大的反向电流。当有光照射到PN结上时，光生载流子增多，导致电流增大。反向偏置时，P区与N区的电场形成一个势垒，使得光电二极管处于截止状态，只有极小的反向饱和电流。当有光照射到PN结上时，光生载流子在电场力的驱使下移动，从而产生一个微弱的反向电流。2. 光电二极管的主要特性：（1）光电响应速度：光电二极管具有较快的响应速度，可以实现高频率的信号接收和传输。这取决于光生载流子的生成、扩散和收集速度。（2）谱响应范围：不同类型的光电二极管对于不同波长的光具有不同的响应能力。常见的光电二极管包括可见光和红外线等。波长范围决定了光电二极管的应用领域。（3）量子效率：量子效率是指光

光电二极管（Photodiode）是一种能够将光信号转化为电信号的半导体器件。它是基于光电效应原理工作的，当光照射到BZX84C5V1-7-F光电二极管的P-N结上时，会激发出载流子，产生电流。光电二极管广泛应用于光电检测、通信、光电测量等领域。光电二极管的结构与普通二极管相似，由P型和N型半导体材料组成。其中P型材料掺入了少量的N型杂质，N型材料掺入了少量的P型杂质。这样形成的P-N结上，形成了一个电场，当没有光照射时，电子和空穴会在电场作用下发生扩散运动，形成内部电流。但当有光照射到光电二极管上时，光子的能量被吸收，激发出载流子，进而增大了内部电流。光电二极管的参数包括响应频率、光谱响应、峰值波长、光电流等。响应频率表示光电二极管对光信号的快速响应能力，一般与载流子的寿命有关。光谱响应表示光电二极管对不同波长光的响应情况，它受到材料的能带结构和掺杂杂质的影响。峰值波长表示光电二极管对光的最大响应波长，通常与材料的带隙能量有关。光电流表示光照射到光电二极管上时产生的电流大小，它与光照强度成正比。光电二极管的工作原理可以分为两种模式：正向偏置模式和反向偏置模式。在正向偏置模式下，光电二极管的P端接在正电压，N端接在负电压，这时内部电场会抑制扩散运动，使光电二极管处于截止状态，没有输出电流。而在反向偏置模式下，光电二极管的P端接在负电压，N端接在正电压，内部电场会助推扩散运动，从而增大输出电流。光电二极管具有灵敏度高、响应速度快、体积小等优点，因此在许多领域得到了广泛应用。以下是一些典型的应用领域：1、光通信：在光纤通信中，光电二极管用于将光信号转化为电信号进行处理和解码。2、光

红外雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode, APD）是一种利用半导体材料的雪崩击穿效应来增强光电转换效率的光电器件。它具有高增益、高灵敏度和低噪声等优点，广泛应用于光通信、光测量、光谱分析等领域。本文将介绍红外雪崩光电二极管的工作原理、结构和性能，并探讨其发展趋势。一、红外雪崩光电二极管的工作原理红外雪崩光电二极管是在标准的TPS25200DRVR光电二极管结构上引入雪崩击穿效应而形成的一种增强型光电二极管。其工作原理可以简单描述为以下几个步骤：1、光电转换：当入射光照射到红外雪崩光电二极管的P-N结区域时，光子能量会被半导体材料吸收，并激发出电子-空穴对。2、载流子增强：在正向偏置的情况下，电子和空穴会被电场加速，形成电子和空穴的雪崩增殖过程。这个过程中，电子和空穴会与晶格原子相互碰撞，并激发出更多的电子-空穴对。3、电子-空穴对的收集：由于电子和空穴的雪崩增殖效应，电流的增加速度远大于标准光电二极管。这使得红外雪崩光电二极管具有高增益和高灵敏度的特点。4、电流放大：通过外部电路，可以将红外雪崩光电二极管输出的微弱电流放大到可以测量和处理的水平。二、红外雪崩光电二极管的结构红外雪崩光电二极管的结构与标准的光电二极管相似，主要包括P-N结、增强层和电极。1、P-N结：红外雪崩光电二极管的P-N结是由不同半导体材料的P型和N型区域组成。这种结构可以实现光电转换，并提供雪崩击穿效应所需的电场。2、增强层：增强层是红外雪崩光电二极管的核心部分，用于实现电子和空穴的雪崩增殖过程。在增强层中，采用了高掺杂的材料，以提高载流子的增殖效率。3、电极：红外雪崩光电二极管的电

光电二极管和光电晶体管是光电器件中的两个重要组成部分。它们可以将光信号转换为电信号，广泛应用于光通信、光电测量、光电检测等领域。下面是关于光电二极管和光电晶体管的硬核科普，希望对你有所帮助。一、光电二极管基本概念光电二极管（Photodiode）是一种将光能直接转换为电能的器件。它由PN结构组成，当光照射到PN结上时，会产生光生载流子，从而改变PN结的电流特性。一般情况下，光电二极管工作在反向偏置状态下，也就是在正向电压下，可以将光信号转换为电流信号输出。光电二极管的工作原理是光电效应。光电效应是指当光照射到半导体材料上时，能量会被光子吸收，激发出电子-空穴对。当光电二极管处于反向偏置状态时，光生电子-空穴对会被电场分离，从而形成电流。光电二极管的输出电流与光强度成正比。光电二极管的特点是响应速度快、灵敏度高、线性范围广。它可以工作在可见光范围内，也可以工作在红外光范围内。光电二极管的应用包括光电测量、光电检测、光通信等。二、光电晶体管基本概念光电晶体管（Phototransistor）是一种由光电二极管和STM8L051F3P6晶体管结合而成的器件。它具有光电二极管的光电转换特性，同时还具有晶体管的放大特性。光电晶体管的基本结构和晶体管相似，由三个部分组成：发射区、基区和集电区。光电晶体管的工作原理是光电效应和晶体管放大效应的结合。当光照射到发射区时，光生电子-空穴对会被电场分离，从而形成电流。这个电流会通过基区，控制集电区的电流。光电晶体管的输出电流与光强度成正比。光电晶体管相比光电二极管具有更高的灵敏度和放大倍数。它能够将微弱的光信号转换为较大的电流信号输出，从而提高了光

火灾是一种常见的灾害，可以造成严重的财产损失和人员伤亡。因此，火灾传感器的使用变得非常重要。基于光电二极管的火灾传感器是一种常见的传感器类型，它能够检测到烟雾和火焰，及时发出警报，以便采取适当的措施来减少火灾的损害。本文将介绍基于光电二极管的火灾传感器的工作原理、优势和应用，并提供一些使用这种传感器的最佳实践。一、基于光电二极管的火灾传感器的工作原理基于光电二极管的火灾传感器通过光学原理来检测烟雾和火焰。它包括一个光电二极管和一个发光二极管。当没有烟雾或火焰时，发光二极管会发出一个光束，光电二极管会接收到这个光束。但当有烟雾或火焰时，光束会被散射或吸收，导致光电二极管接收到的光信号减弱。74HC132D传感器会检测到这个减弱的信号，并根据设定的阈值确定是否触发火灾警报。二、基于光电二极管的火灾传感器的优势1、高灵敏度：基于光电二极管的火灾传感器对烟雾和火焰有很高的灵敏度，可以及时检测到火灾的存在。2、低误报率：由于采用了光学原理，基于光电二极管的火灾传感器具有较低的误报率，可以减少虚警。3、高稳定性：传感器的光电二极管和发光二极管采用高质量的材料制造，具有较高的稳定性和可靠性。4、快速响应时间：基于光电二极管的火灾传感器具有快速的响应时间，可以在火灾发生时迅速触发警报。5、易于安装和维护：传感器的安装和维护相对简单，不需要复杂的设备或技术。三、基于光电二极管的火灾传感器的应用基于光电二极管的火灾传感器广泛应用于各种场合，包括住宅、商业建筑和工业设施等。它们可以用于以下应用：1、家庭安全系统：基于光电二极管的火灾传感器可以与家庭安全系统集成，提供及时的火灾警报，保护家庭成员的安全

光电二极管（Photodiode）是一种半导体器件，能够将光信号转化为电信号。根据光电二极管的工作原理，可以将其分为两种模式：光伏模式和光电导模式。一、光伏模式光伏效应是指在半导体材料中，当光子的能量大于导带与价带之间的带隙能量时，光子被吸收并激发出一个电子和一个空穴。当这个电子和空穴分别被收集到不同的电极上时，就会形成一个电场，产生一个光电流。这就是光伏效应。在光电二极管BAT54中，光伏效应是通过PN结实现的。PN结的一侧被注入掺杂有大量电子的N型半导体，另一侧被注入掺杂有大量空穴的P型半导体。当光线射到PN结上时，光子会被吸收，产生电子和空穴。电子被PN结的电场束缚，形成电流，流向N型半导体的电极，而空穴则流向P型半导体的电极，产生的电流就是光电流。光伏模式的光电二极管具有高灵敏度、低噪声、高反应速度等优点，能够广泛应用于光电检测、光通信、光电能量转换等领域。二、光电导模式光电导效应是指在半导体材料中，当光子的能量大于导带与价带之间的带隙能量时，光子被吸收并激发出一个电子和一个空穴。由于PN结两端的电场，电子和空穴会被加速，形成光电流。当光线不断照射时，就会产生持续的光电流。这就是光电导效应。在光电二极管中，光电导效应也是通过PN结实现的。光线射到PN结上，产生电子和空穴，被电场加速形成光电流。由于PN结的电极质量好，能够承受高电压，因此光电流较大。光电导模式的光电二极管具有高速、高灵敏度等优点，适用于高速通信、激光测距、光纤通信等领域。三、光电二极管的应用光电二极管广泛应用于各个领域，如光电检测、光通信、光电能量转换、光学测量等。1、光电检测光电二极管的高灵敏度和低噪声

人们普遍认为，超过100%的效率只能通过使用“哈利波特”的魔法来实现。荷兰埃因霍温科技大学和霍尔斯特中心的一个研究团队用绿光和双层电池设计了一种光电二极管，其光电子产生率超过200%。研究结果发表在最新一期的《科学进步》上。光电二极管用于实验设置研究人员解释说，这听起来令人难以置信，但这并不是在谈论正常的能源效率。在光电二极管BUF20800AIDCPR领域，量子效率很重要。它计算的不是太阳能总量，而是将二极管转换为电子光子数。为了正常工作，光电二极管必须满足两个条件：首先，应尽量减少无光产生的电流，即所谓的暗电流，暗电流越小，二极管越敏感；其次，应区分背景光（噪声）。不幸的是，这两件事通常不会同时发生。为此，研究团队创建了一系列二极管，这是一种结合钙钛矿和有机光伏电池的装置。这两种技术的使用使其达到70%的效率。然后，研究团队利用绿光进一步提高效率。之前的研究发现，额外的光照射太阳能电池可以改变其量子效率。最新研究表明，它甚至比预期的更好地提高了光电二极管的灵敏度，近红外光的效率提高到200%以上。研究人员解释说，额外的绿光会导致钙钛矿层中的电子积累。当红外光子被有机层吸收时，它会像电荷库一样释放。换句话说，每个红外光子通过并转化为电子，都会得到额外电子的陪伴，从而达到200%或更高的效率。该团队在实验室测试了光电二极管。二极管被放置在离手指130厘米的地方，研究人员可以检测到反射回二极管的红外光的微小变化。这些变化正确地反映了一个人静脉血压的变化，所以它也指示了心率。当二极管指向胸部时，也可以测量胸部轻微运动时的呼吸频率。结语：效率超过100%听起来“非常不科学”，但当我们

PREMA半导体近日宣布推出第一款用于近红外线范围的光标准器件PR5001。这颗双光电二极管具有最小的封装尺寸，两个有效面积为0.75mmx1.2mm的晶圆封装在仅有1.8mmx2.9mm的DFN中。 PREMA的硅光电二极管具有独立的阴极和共同的阳极。在反向电压高达20V的情况下它们可以提供小于100pA的极低暗电流。10V时光电二极管的容抗小于60pF保证其可以应用于高频光信号的情况。 ModuS U6制程的采用使得大尺寸光电二极管的生产变得很经济，具有高的成品率和低的杂质陷阱。因此可以在两个电级实现统一的敏感度，这对于位置检测很重要。PR5001在近红外范围内的最高灵敏度可以到890nm。 双光电二极管的可能应用包括光束流测量，激光打印机和DVD/CD播放器中的激光束校准，以及在光编码器和光垒中的应用。

日前，Vishay Intertechnology宣布推出了通过AEC-Q101认证的VEMD20x0X01 PIN光电二极管和VEMT20x0X01光电三极管，扩充了其光电产品目录。这些光探测器的工作温度为-40℃～+100℃，采用1.88mm的翼型和倒翼型表面贴装封装。 此次发布的器件对旋转编码器、位置传感器、适用于高亮度或日光抑制的红外探测器、车用雨量传感器，以及车库开门器和电动转门上的光幕和挡光板等应用进行了优化。 光电二极管的光电流为12uA，光谱敏感度范围750nm～1050nm，光电三级管的光电流为6mA，光谱敏感度范围790nm～970nm。VEMD20x0X01和VEMT20x0X01具有1nA的暗电流、±15°的半感光角，与之匹配的有最近发布的高亮度、高速红外发射二极管VSMB20x0X01。 大多数光检测器在打开封装或从保护包装中取出后，必须在72小时内安装到电路板上，而VEMD20x0X01和VEMT20x0X01的潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020规定的2a，因此可在车间环境中保存长达4周的时间。这些无铅和无卤素的光探测器支持无铅制造工艺，符合RoHs 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC法规的要求，兼容无铅回流焊安装工艺。 新款光电二极管和光电三极管现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为4～6周。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出了通过AEC-Q101认证的VEMD20x0X01 PIN光电二极管和VEMT20x0X01光电三极管，扩充了其光电产品目录。这些光探测器的工作温度为-40℃～+100℃，采用1.88mm的翼型和倒翼型表面贴装封装。 此次发布的器件对旋转编码器、位置传感器、适用于高亮度或日光抑制的红外探测器、车用雨量传感器，以及车库开门器和电动转门上的光幕和挡光板等应用进行了优化。 光电二极管的光电流为12μA，光谱敏感度范围750nm～1050nm，光电三级管的光电流为6mA，光谱敏感度范围790nm～970nm。VEMD20x0X01和VEMT20x0X01具有1nA的暗电流、±15°的半感光角，与之匹配的有最近发布的高亮度、高速红外发射二极管VSMB20x0X01。 大多数光检测器在打开封装或从保护包装中取出后，必须在72小时内安装到电路板上，而VEMD20x0X01和VEMT20x0X01的潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020规定的2a，因此可在车间环境中保存长达4周的时间。这些无铅和无卤素的光探测器支持无铅制造工艺，符合RoHs 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC法规的要求，兼容无铅回流焊安装工艺。 新款光电二极管和光电三极管现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为4～6周。

由于封装技术对于光电二极管的总体性能非常重要，所以韩国供应商持续不断地提高自己的封装设计水平与产能。 韩国光电二极管产业所专注的领域主要是光线二极管封装，而不是芯片生产。本地厂商使用的光电二极管芯片主要来自台湾地区。不同的封装类型会对这些产品的光电特性，以及可以容忍的温度范围产生明显影响。韩国厂商的陶瓷、金属和塑料封装技术都是标准技术，但其它类型的封装技术则可能根据具体的供应协议而有所不同。 虽然韩国只有屈指可数的几家光电二极管厂商，但多数都积极向日本、中国和美国出口产品。光电二极管生产与封装服务通常与其它产品线一起提供，如LED、光遮断器、光电晶体管和传感器。 业内人士指出，最近几年进入韩国本地光电二极管产业的厂商不多，预计近期加入该产业的厂商会更少。这是因为韩国本地厂商不断调整生产布局，向中国大陆和亚洲的其它低成本制造中心转移。虽然本地供应商数量较少，但厂商依然充满信心，甚至今年积极提高产量和扩大出口市场覆盖范围，并继续集成能够增加产品价值的功能特点。 光电二极管通常具有输出直线性高、响应速度快、噪声低和外形紧凑等特点。这些器件被多种应用领域所采用，包括汽车(前灯减光器，暮色探测器)；照相(自动对焦，闪光灯和快门控制)；医疗(CAT扫描仪)；通信(光纤连接，遥控)；工业(条码扫描仪)；保安(烟雾探测器)。 更小、更薄、高灵敏度 小型化趋势继续推动韩国光电二极管的发展。开发重点是更小和更薄的光电二极管，以跟上微技术发展趋势。另外，全球市场竞争激烈，也在促使厂商改进定制能力和推出更多具有先进特点的产品。 韩国Kodenshi集团正在开发更薄的光电二极管，主要目标应用是：电视、

由于封装技术对于光电二极管的总体性能非常重要，所以韩国供应商持续不断地提高自己的封装设计水平与产能。 韩国光电二极管产业所专注的领域主要是光线二极管封装，而不是芯片生产。本地厂商使用的光电二极管芯片主要来自台湾地区。不同的封装类型会对这些产品的光电特性，以及可以容忍的温度范围产生明显影响。韩国厂商的陶瓷、金属和塑料封装技术都是标准技术，但其它类型的封装技术则可能根据具体的供应协议而有所不同。 虽然韩国只有屈指可数的几家光电二极管厂商，但多数都积极向日本、中国和美国出口产品。光电二极管生产与封装服务通常与其它产品线一起提供，如LED、光遮断器、光电晶体管和传感器。 业内人士指出，最近几年进入韩国本地光电二极管产业的厂商不多，预计近期加入该产业的厂商会更少。这是因为韩国本地厂商不断调整生产布局，向中国大陆和亚洲的其它低成本制造中心转移。虽然本地供应商数量较少，但厂商依然充满信心，甚至今年积极提高产量和扩大出口市场覆盖范围，并继续集成能够增加产品价值的功能特点。 光电二极管通常具有输出直线性高、响应速度快、噪声低和外形紧凑等特点。这些器件被多种应用领域所采用，包括汽车(前灯减光器，暮色探测器)；照相(自动对焦，闪光灯和快门控制)；医疗(CAT扫描仪)；通信(光纤连接，遥控)；工业(条码扫描仪)；保安(烟雾探测器)。 更小、更薄、高灵敏度 小型化趋势继续推动韩国光电二极管的发展。开发重点是更小和更薄的光电二极管，以跟上微技术发展趋势。另外，全球市场竞争激烈，也在促使厂商改进定制能力和推出更多具有先进特点的产品。 韩国Kodenshi集团正在开发更薄的光电二极管，主要目标应用是：电视、

光电二极管" 英文通常称为 Photo-Diode 光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号。那么，它是怎样把光信号转换成电信号的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度约大，反向电流也约大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依*PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 2、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源|稳压器整流

本文介绍了发光二极管的多种形式封装结构及技术，并指出了其应用前景。 1 引言LED是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，发光响应时间极短，光色纯，结构牢固，抗冲击，耐振动，性能稳定可靠，重量轻，体积小，成本低等一系列特性，发展突飞猛进，现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的LED产量约占世界总量的12％，“十五”期间的产业目标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度AiGslnP的LED外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度LED管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的LED的中批量生产。据预测，到2005年国际上LED的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。 在LED产业链接中，上游是LED衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为led芯片设计及制造生产，下游归LED封装与测试，研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型LED走向实用、走向市场的产业化必经之路，从某种意义上讲是链接产业与市场的纽带，只有封装好的才能成为终端产品，才能投入实际应用，才能为顾客提供服务，使产业链环环相扣，无缝畅通。 2 LED封装的特殊性 LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。LED的核心发光部

由于封装技术对于光电二极管的总体性能非常重要，所以韩国供应商持续不断地提高自己的封装设计水平与产能。 韩国光电二极管产业所专注的领域主要是光线二极管封装，而不是芯片生产。本地厂商使用的光电二极管芯片主要来自台湾地区。不同的封装类型会对这些产品的光电特性，以及可以容忍的温度范围产生明显影响。韩国厂商的陶瓷、金属和塑料封装技术都是标准技术，但其它类型的封装技术则可能根据具体的供应协议而有所不同。 虽然韩国只有屈指可数的几家光电二极管厂商，但多数都积极向日本、中国和美国出口产品。光电二极管生产与封装服务通常与其它产品线一起提供，如LED、光遮断器、光电晶体管和传感器。 业内人士指出，最近几年进入韩国本地光电二极管产业的厂商不多，预计近期加入该产业的厂商会更少。这是因为韩国本地厂商不断调整生产布局，向中国大陆和亚洲的其它低成本制造中心转移。虽然本地供应商数量较少，但厂商依然充满信心，甚至今年积极提高产量和扩大出口市场覆盖范围，并继续集成能够增加产品价值的功能特点。 光电二极管通常具有输出直线性高、响应速度快、噪声低和外形紧凑等特点。这些器件被多种应用领域所采用，包括汽车(前灯减光器，暮色探测器)；照相(自动对焦，闪光灯和快门控制)；医疗(CAT扫描仪)；通信(光纤连接，遥控)；工业(条码扫描仪)；保安(烟雾探测器)。 更小、更薄、高灵敏度 小型化趋势继续推动韩国光电二极管的发展。开发重点是更小和更薄的光电二极管，以跟上微技术发展趋势。另外，全球市场竞争激烈，也在促使厂商改进定制能力和推出更多具有先进特点的产品。 韩国Kodenshi集团正在开发更薄的光电二极管，主要目标应用是：电视、

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款全新可见光敏感度增强型高速硅PIN光电二极管--- VEMD2704，扩充光电二极管产品组合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm顶视表面贴装封装，透明环氧树脂感光度达业内先进水平，快速开关时间为70 ns，容值低至17.6 pF，适于可穿戴设备精确信号检测。日前发布的器件感光面积为1.51 mm2，具有高光照感光度（反向光电流1.17 μA，暗电流0.03 nA），可在较宽光谱范围内检测350 nm至1100 nm的可见光和近红外辐射。光电二极管适用于健身追踪器和智能手表等可穿戴设备，搭配绿色LED进行光学心率检测，搭配红色LED进行脉搏血氧检测。与上一代解决方案相比，VEMD2074体积更小，便于集成到耳塞等小型产品中；光学系统可内置若干个光电二极管进行更精确的信号检测；同时提高了传感器布局的灵活性。器件的成本也低于前代光电二极管，是智能手环等成本敏感设备的理想选择。VEMD2704半强角为± 67°，工作温度范围-40 °C至+85 °C，峰值灵敏度波长为940 nm。光电二极管符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，潮湿灵敏度等级（MSL）达到J-STD-020标准3级，可在车间存放168小时。

制造商:onsemi产品种类:光电二极管RoHS: 详细信息产品:Photodiode Arrays安装风格:SMD/SMT峰值波长:420 nm暗电流:154 nA上升时间:0.6 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:C Series SIPM商标:onsemi湿度敏感性:Yes封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:Photodiodes工厂包装数量:3000子类别:Optical Detectors and Sensors商标名:SensL

ADL5317ACPZ-REEL7新到现货！可精确设置雪崩光电二极管偏置电压！15000只可发货。批次21+，更多包装标签等详情联系18038133932朱泉leiziteng@szlztic.cn  szlztic@163.comADL5317ACPZ-REEL7特点：精确设置雪崩光电二极管偏置电压宽偏置范围：6 V至75 V，利用3 V兼容控制接口设置60倍光电二极管电流（5:1比例）监控范围线性度：0.5% (10 nA - 1 mA)，1% (5 nA - 5 mA)过流保护和过温关断允许使用固定高压开关，从而降低电源去耦和低通滤波要求，实现低噪声收发器设计16引脚小型芯片级封装(LFCSP 3mm × 3mm)ADL5317ACPZ-REEL7应用：Optical power monitoring and biasing in APD systems Wide dynamic range voltage sourcing and current monitoring in high voltage systemsThe noise performance for the ADL5317, defined as the rms noise current as a fraction of the output dc current, improves with increasing signal current. This partially results from the relationship between quies

HPI6FER2 KODENSHI/可天士 光电二极管    深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业.  奥伟斯科技自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商.  本公司代理推广的一系列优秀触摸芯片及语音芯片，现以大批量应用到智能电子锁、饮水机、电饭煲、LED台灯等控制器为顾客提供最佳解决方案，受到广大客户的一致赞誉。  奥伟斯科技优势行业集中在家用电器和汽车电子领域，包括：智能电子锁、饮水机、抽烟机、空调、洗衣机、冰箱、洗碗机、电饭煲、电磁炉、微波炉、电动自行车、汽车仪表、汽车音响、汽车空调等。销售网络覆盖华东、华南及华北地区。   奥伟斯科技已为众多世界著名企业提供服务如：美的、小米、云米、长虹、创维、三星、LG、飞利浦、TCL、海尔、美菱、沁园、等众多中国一流品牌电家厂商   奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片 低功耗单片机 马达驱动芯片 显示驱动芯片 刷卡芯片 时针芯片 存储芯片 语音芯片 低压MOS管 TVS二极管主要品牌产品:OWEIS-TECHOWEIS触摸芯片 OWEIS接口芯片 OWEIS电源芯片 OWEIS语音芯片 OWEIS场效应管 一.电容式触摸芯片ADSEMI触摸芯片代理 

品牌：VISHAY(威世)厂家型号：VBPW34S封装规格：SMD商品毛重：0.116克(g)包装方式：编带电流 - 暗：2nA (Typ)波长：940nm频谱范围：430nm~1100nm工作温度：-40℃~100℃公司主营：电子、军工、通讯、工业、造船、仪器仪表、宇航级、军用级、工业级、已停产、冷偏门等高、精、尖集成电路以及其他配套元器件AD、PHILIPS、MAXIM、ALTERA、TI、 ON、Onsemi、Fairchild、TOSHIBA，常年备有大量现货，在香港和美国设有两个全球库房，及时向全球发货。欢迎前来垂询接洽！型号齐全，原装正品，价格极优，货期快准热门型号AD9851BRSZAnalog Devices Inc.28-SSOPAD9913BCPZAnalog Devices Inc.32-LFCSP-VQ（5x5）AD9851BRSAnalog Devices Inc.28-SSOPAD9859YSVZAnalog Devices Inc.48-TQFP-EP（7x7）AD5933YRSZ-REEL7Analog Devices Inc.16-SSOPAD9954YSVZ-REEL7Analog Devices Inc.48-TQFP-EP（7x7）AD9959BCPZ-REEL7Analog Devices Inc.56-LFCSP-VQ（8x8）AD9834CRUZ-REEL7Analog Devices Inc.20-TSSOPAD9911BCPZAnalog Devices Inc.56-LFCSP-VQ（8x8）AD5933YRSZAn

Wurth Electronics 光电二极管LEDWurth Electronics光电二极管LED采用SMT或THT芯片封装。该光电二极管LED具有宽发光角度、高灵敏度和高可靠性。WL-SDCB SMT芯片黑色光电二极管采用矩形镜片，具有高灵敏度。WL-SDCB集成了日光遮挡滤光片，可轻松实施到现有电路图中。WL-SDCB非常适合用于近红外范围的应用，并可与Wurth Electronics红外发射器无缝结合。WL-SDSB SMT侧面发光黑色光电二极管采用小型封装，具有高速度和高灵敏度。WL-SDSB采用特殊的黑色镜片，可以出色地过滤可见光。WL-SDSB光电二极管的波长范围为700nm至1100nm，因此非常适合用于近红外范围。该器件可以与红外发射器系列WL-SISW搭配使用。WL-TDRW透明圆形和WL-TDRB黑色圆形光电二极管采用高灵敏度THT 5mm封装。该器件有带或不带日光滤光片的型号可供选择。WL-TDRW产品采用无色镜片，因此对400nm至1100nm范围内的可见光和红外辐射具有高灵敏度。WL-TDRB的黑色镜片版本仅对700nm至1100nm的红外范围具有高灵敏度。WL-TDRW和WL-TDRB系列可以完美配合WL-TIRW系列的红外发射器，非常适合用于诸多不同红外应用。FEATURESWL-SDCB：标准封装尺寸1206大发光角度快速响应时间光灵敏度高WL-SDSB：侧面发光封装高灵敏度小封装尺寸高可靠性大发光角度WL-TDRW和WL-TDRB：标准THT 5mm封装尺寸高可靠性可见光和红外光探测器 (WL-TDRW)/带日光滤光片 (WL-TDRB)

MICROFC-60035-SMT-TR1 专业代理ON 光电二极管 进口原装现货热卖 深圳婷轩实业0755-89608519 13823657577夏先生QQ 1807674351MICROFC-60035-SMT-TR1 专业代理ON 光电二极管 进口原装现货热卖 深圳婷轩实业0755-89608519 13823657577夏先生QQ 1807674351MICROFC-60035-SMT-TR1 专业代理ON 光电二极管 进口原装现货热卖 深圳婷轩实业0755-89608519 13823657577夏先生QQ 1807674351产品属性属性值搜索类似制造商:ON Semiconductor产品种类:光电二极管RoHS:详细信息产品:Photodiode Arrays安装风格:SMD/SMT峰值波长:420 nm暗电流:618 nA上升时间:1 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:C-SERIES SIPM封装:Cut Tape商标:ON SemiconductorCNHTS:8541100000HTS Code:8541406050产品类型:Photodiodes工厂包装数量:1子类别:Optical Detectors and Sensors商标名:SensL零件号别名:MICROFC-60035-SMT-TA

Vishay的 Optoelectronics VEMD8080高速硅PIN光电二极管满足了可穿戴设备和医疗应用中可靠信号检测的需求。VEMD8080高速和高灵敏度PIN光电二极管具有增强的可见光灵敏度，具有4.8 mm×2.5 mm矩形俯视图，采用薄型表面贴装器件（SMD），包括4.5mm2敏感区域的芯片检测可见光和近红外辐射。特征典型电容：47 pF辐射敏感区域：4.5mm2反向光电流：28μA暗电流：0.2 nA光谱带宽：350nm至1100nm半灵敏度角度：±65° 温度范围：-40°C至+ 85°C峰值灵敏度的波长：950nm应用穿戴式医疗应用

俄罗斯 LED Microsensor NT公司，专注于中红外LED和中红外光电二极管PD研发和生产 可直流工作的LED从1000nm - 1700nm,高于这个波长1800nm-2300nm,2700nm-4600nm只能用于脉冲驱动方式同时提供相应的相应的光电二极管和各种驱动模块‍     HAWKEYE公司 有40年的制造红外光源的经验，提供可靠的高质量的，可定制的稳态光源和电可调制红外光源。    美国CALSENSORS公司是制造标准或定制PBS硫化铅和PBSE硫化硒红外探测器，红外阵列，和红外光源的厂家。成立于1986年，历史悠久。探测器范围1微米至5.5微米波长范围。主要应用于光谱学，成像，医学，汽车尾气，气体分析和蒸汽分析仪器，非接触温度测量，火焰检测和可燃物控制。    美国Helioworks著名红外光源制造商,生产稳态的，和低频脉冲红外光源，各种功率品种齐全，都配有镀金反射器，能够最大限度反射红外光源。    奥地利SENSORE氧气传感器制造商，提供极限电流式氧化锆氧传感器和配套的变送器。　   德国著名的光电器件提供商，成立于1982年，当前主要供应光电二极管，红外光源，热释电探测器，DLTGS探测器，激光二极管，光子计数器，光纤光学配套设备。2014年，收购了MICROWA

紫外光电二极管SG01XXL-8ISO90特性：1. 采用碳化硅（SiC）材料2. 宽频段（UVA+UVB+UVC）3. 有效探测区域36mm24. 10uW/cm2峰值辐射照度产生约468nA电流5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）关于碳化硅材料（SiC）：SiC可承受极端辐射硬度，近乎完美的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的独特属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。

红外光源/稳态光源/脉冲光源一、紫外光电二极管SG01XL系列特性：1. 采用碳化硅（SiC）材料2. 宽频段（UVA+UVB+UVC）3. 有效探测区域7.6mm24. 10uW/cm2峰值辐射照度产生约99nA电流5  芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）二、关于碳化硅材料（SiC）：SiC可承受极端辐射硬度，近乎完美的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的独特属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。 三、紫外光电二极管SG01XL系列应用领域：        主要用于火焰控制(工业锅炉)，水处理( UV强度的保险)，UV天文(阵列探测)，枪弹跟踪(紫外线照相机)，臭氧和污染物监测，火焰感应(火警安全装置油滴监测)，测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具)，紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。红外光源/稳态光源/脉冲光源传感器/探测器红外气体分析模块NDIR传感器专用灯美国Helioworks电可调制脉冲红外光源美国Hawkeye电可调制脉冲红外光源其他电可调制脉冲红

紫外光电二极管SG01F-5ISO90特性：1. 采用碳化硅（SiC）材料2. 宽频段（UVA+UVB+UVC）3. 有效探测区域1.82mm24. 1uW/cm2峰值辐射照度产生约2.4nA电流5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）关于碳化硅材料（SiC）：SiC可承受极端辐射硬度，近乎完美的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的独特属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。

紫外光电二极管SG01L-C5/SG01L-C18特性：1、采用碳化硅（SiC）材料2、仅适用于UVC波段3、光敏区域面积1.0mm24、10uW/cm2峰值辐射强度照射下产生约12nA电流5、芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）6、德国DVGW认证关于碳化硅材料（SiC）：SiC具有极其独特的优点，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快，这些特性使得SiC成为能够抑制可见光用来制作半导体紫外线探测器最好的材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中，温度系数低（<0.1%/K）并且噪音低，能够有效的监测到极低的辐射强度（需配置相应的放大硅光电二极管 GT101 GT102 GT103 GT106 光电二极管 gt322d ap0917tp GT102 INGAAS光电二极管 铟镓砷光电二极管 APD雪崩光电二极管 LED红外发射管 光电二极管模块 光电二极管模块 光电探测器模块 光电转换模块 光电二极管 PSD光电位置传感器 脉冲激光二极管 905NM脉冲激光二极管 红外激光二极管 平行光管 平行光源 光纤耦合激光器 10W光纤耦合激光器 光度计探头 光功率探头 光能量探头 PBS硫化铅红外探测器 PBS硫化铅红外探测器 X射线传感器 激光光束分析仪 光电二极管放大模块 光电二极管前置放大器 光电二极管前置放大器 光电二极管前置放大器 微弱光探测器模块 微弱光检测模块 脉冲光接收器 激光脉冲信号接收器 脉冲激光接收器 激光脉冲信号放大器 脉冲光信号接收放大器 激光脉冲传感器 激光脉冲探测器

一、紫外光电二极管SG01D-C18特性：1、采用碳化硅（SiC）材料2、仅适用于UVC波段3、光敏区域面积0.5mm24、10uW/cm2峰值辐射强度照射下产生约6nA电流5、芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）6、德国DVGW认证二、关于碳化硅材料（SiC）：SiC具有极其独特的优点，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快，这些特性使得SiC成为能够抑制可见光用来制作半导体紫外线探测器最好的材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中，温度系数低（<0.1%/K）并且噪音低，能够有效的监测到极低的辐射强度（需配置相应的放大器）。

紫外光电二极管SG01M-C5特性：1、采用碳化硅（SiC）材料2、仅适用于UVC波段3、光敏区域面积0.2mm24、10mW/cm2峰值辐射强度照射下产生约2400nA电流5、芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）6、德国DVGW认证关于碳化硅材料（SiC）：SiC具有极其独特的优点，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快，这些特性使得SiC成为能够抑制可见光用来制作半导体紫外线探测器最好的材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中，温度系数低（<0.1%/K）并且噪音低，能够有效的监测到极低的辐射强度（需配置相应的放大器）。