三星第二代10纳米FinFET制程已经开发完成

三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。

  三星第一代10纳米制程于去年10月领先同业导入量产，目前的三星Exynos 9与高通骁龙835处理器均是以第一代10纳米制程生产。

  据三星表示，第二代10纳米FinFET制程与第一代做比较，运算效能提升10%，用电效率则提高15%。

  三星为确保10纳米制程长期供货稳定，其位在首尔西南方华城市的最新晶圆厂已增添新设备，预计第四季可就定位开始生产。

  虽然三星未透露第二代10纳米制程的客户，但预料高通下一版骁龙系列处理器应该会采用。

  除此之外，三星还计划推广晶圆代工业务至更多领域，当中包含穿戴式装置、物连网与网络芯片等。