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发布采购

行业资讯

  • LM74670-Q1是具有 70uA 栅极驱动的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器

    产品详情描述:LM74670-Q1 是一款控制器器件,可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 沟道 MOSFET 一起使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。该方案的一个独特优势是它不以地为参考,因此它的 I Q为零。AQY211EHAX全桥或半桥整流器和交流发电机中的肖特基二极管可以用 LM74670-Q1 解决方案代替,以避免正向传导二极管损耗并产生更高效的 AC-DC 转换器。LM74670-Q1 控制器为外部...

    日期:2022-5-25 类别: 阅读:116
  • LM74700-Q1是3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器

    产品详情描述:LM74700-Q1 是一款符合 AEC Q100 标准的汽车理想AOD2606二极管控制器,可与外部 N 沟道 MOSFET 作为理想二极管整流器配合使用,以实现低损耗反向极性保护,正向压降为 20mV。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围允许控制许多流行的直流总线电压,例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统。3.2V 输入电压支持特别适合汽车系统中的严酷冷启动要求。该器件可以承受和保护负载免受低至 –65 V...

    日期:2022-5-19 类别: 阅读:103
  • ESD122是用于 USB Type-C 和 HDMI 2.0 的双 0.2pF、±3.6V、±18kV ESD 保护二极管

    产品详情描述:ESD122 是用于 USB Type-C 和 HDMI 2.0 电路保护的双向 TVS ESD 保护二极管阵列。ESD122 可在 IEC 61000-4-2 国际标准(17-kV 接触,17-kV 气隙)中规定的最大水平消散接触 ESD 冲击。该器件具有每个通道和引脚的低 IO 电容,以适应AOU3N60对称差分高速信号路由,非常适合保护高达 10 Gbps 的高速接口,例如 USB 3.1 Gen2 和 HDMI 2...

    日期:2022-4-27 类别: 阅读:1004
  • ESD2CAN24-Q1是用于 CAN 和车载网络的汽车双路 3pF、±24V、±30kV ESD 保护二极管

    产品详情描述:ESD2CAN24-Q1 是用于APX321SEG-7控制器局域网 (CAN) 接口保护的双向 ESD 保护二极管。ESD2CAN24-Q1 的额定接触 ESD 冲击消散超过 ISO 10605 汽车标准中规定的最大水平(±30kV 接触,±30kV 气隙)。低动态电阻和低钳位电压确保系统级保护免受瞬态事件的影响。这种保护是关键,因为汽车系统要求安全应用具有高水平的稳健性和可靠性。该器件具有每个通道的低 IO 电容和一个引...

    日期:2022-4-26 类别: 阅读:1000
  • DRV8300-Q1是具有自举二极管的汽车类 100V 最大简单三相栅极驱动器

    产品详情描述:DRV8300 -Q1 是 100-V 三半桥栅极AOD11S60驱动器,能够驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自举二极管和用于高端 MOSFET 的外部电容器生成正确的栅极驱动电压。GVDD 用于产生低侧 MOSFET 的栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。相位引脚 SHx 能够承受显着的负电压瞬变;而高端栅极驱动器电源 BSTx ...

    日期:2022-4-26 类别: 阅读:984
  • LM74701-Q1是具有集成 VDS 钳位的汽车 3.2V 至 65V 反向电池保护理想二极管控制器

    产品详情描述:LM74701-Q1 是一款符合 AEC Q100 标准的汽车理想ADP191ACBZ-R7二极管控制器,它与外部 N 沟道 MOSFET 作为理想二极管一起工作,可提供 20mV 正向压降的低损耗反极性保护。LM74701-Q1 适用于 12V 汽车系统的输入保护。3.2V 输入电压支持特别适合汽车系统中的严酷冷启动要求。该器件控制 MOSFET 的 GATE,将正向压降调节为 20 mV。该调节方案可在反向电流事件期间...

    日期:2022-3-11 类别: 阅读:808
  • LMH6526是具有双输出的四通道激光二极管驱动器

    产品详情描述:LMH6525/6526 是一种激光AD5252BRUZ100二极管驱动器,用于结合 DVD/CD 可记录和可重写系统。该部件包含两个高电流输出,用于读取和写入 DVD (650 nm) 和 CD (780 nm) 激光器。功能包括通过四个独立的开关电流通道读取、写入和擦除。通道电流在选定的输出端相加,以生成用于读取、写入和擦除光盘的多级波形。LVDS 接口提供 16 倍或更高的 DVD 写入速度,同时最大限度地减少噪音和...

    日期:2021-12-6 类别: 阅读:160
  • LM66200是1.6V 至 5.5V、40mΩ、2.5A、低 IQ、双理想二极管

    产品详情描述:LM66200 是一款AD8403AN10双路理想二极管器件,额定电压为 1.6 V 至 5.5 V,每通道最大额定电流为 2.5 A。该器件使用 N 沟道 MOSFET 在电源之间切换,同时在首次施加电压时提供受控的压摆率。由于其 1.32 μA(典型值)的低静态电流和 50 nA(典型值)的低待机电流,LM66200 非常适合将电池连接到其中一个输入端的系统。这些低电流可延长电池在使用时的寿命和操作。LM66200 使...

    日期:2021-11-9 类别: 阅读:959
  • LM74722-Q1是具有 200 kHz 有源整流和负载突降保护的汽车、低 IQ 理想二极管控制器

    产品详情描述:LM74722-Q1 理想二极管控制器驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的AM1808BZWTA3理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源允许保护和控制 12V 和 24V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。集成理想二极管控制器 (GATE) 驱动第一个 MOSFET 以取代肖特基二极管,以实现反向输入保护...

    日期:2021-10-25 类别: 阅读:893
  • LM74700-EP是增强型低 IQ 理想二极管控制器

    产品详情描述:LM74700-EP 是一种AD7764BRUZ理想二极管控制器,它与外部 N 沟道 MOSFET 一起作为理想二极管整流器工作,用于具有 20mV 正向压降的低损耗反向极性保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围允许控制许多流行的直流总线电压,例如 12V、24V 和 48V 系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。该器件控制 MOSFET 的栅极以将正向压降调节为 20 mV。该调节...

    日期:2021-9-9 类别: 阅读:558
  • 二极管构成的自动控制电路解析

    很多人都知道二极管,那么它的作用是什么呢?关于二极管我们在之前讲解过二极管的工作原理以及分类命名等相关知识,而本文的主题是二极管构成的自动控制电路及解决方案,希望能通过本文帮助到有需要的工程师们。二极管控制电路及故障处理二极管导通之后,它的正向BQ2022ALPR电阻大小随电流大小变化而有微小改变,正向电流愈大,正向电阻愈小;反之则大。利用二极管正向电流与正向电阻之间的特性,可以构成一些自动控制电路。如图所示是一种由二极管构成的自动控制...

    日期:2020-3-30 标签:电路二极管控制电路 类别: 阅读:2741
  • 各大厂商表态,二极管市场下半年有望回暖

    导读:因为首款ams(艾迈斯半导体)直接飞行时间(dToF)接近传感器采用单光子雪崩二极管(SPAD)技术,应用于华为(Huawei)Mate 20 Pro智能手机,二极管市场下半年有望回暖。近期二极管股价表现较活泼,不过根据供应链指出,虽中美贸易战已较和缓,但后续不确定因素仍大,加上整体经济环境平淡、终端需求未见明显回温迹象、接单能见度较低,整体上半年营收表现会较为平淡。第2季营收或能优于前一季、但较去年同期仍保守看待,整体需求须至下...

    日期:2019-4-24 标签:二极管 类别: 阅读:8723
  • 二极管2019年第一季价格持续喊涨

    半导体涨价潮从硅晶圆、被动组件、MOSFET一路吹向电阻、铝电解电容,如今连二极管也在持续涨价,且涨价幅度远超预期。2019年,在去年元器件涨价潮逐渐平息甚至价格开始走低以后,又迎来了一波二极管涨价……据媒体报道,国际IDM大厂的分离式二极管于2019年第一季价格持续喊涨。在这波分离式二极管缺货潮当中,台半、强茂、敦南等相关大厂将可望因此而受惠。据富昌电子调查显示,恩智浦、安森美、Vishay及STM等厂都几近全面上涨。除了分离式二极管...

    日期:2019-2-14 标签:二极管 类别: 阅读:6308
  • Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购

    位于美国伊利诺伊州芝加哥市的LITTELFUSE公司已完成对美国德克萨斯州Round Rock的初创公司Monolith SEMICONDUCTOR Inc的收购,该公司主要是对碳化硅(SiC)功率器件技术进行开发研究。Littelfuse于2015年便开始与Monolith合作,过去三年中在开发了一系列技术和商业产品的同时,逐步增加了对Monolith公司的所有权。Littelfuse半导体产品高级副总裁兼总经理兼首席技术官Ian H...

    日期:2018-11-9 标签:二极管 类别: 阅读:4261
  • 意法半导体与Leti共同开发用于功率转换的GaN-on-Si二极管和晶体管架构

    日前STMicroelectronics和CEA-Leti正在合作开发用于功率转换的氮化硅 - 硅(GaN-on-Si)技术并试图使其能够实现工业化生产。这将使ST能够达到其高效率,高功率的应用需求,包括用于混合动力和电动汽车(HEV / EV)的汽车车载充电器,无线充电和服务器。此次合作的重点是在200mm晶圆上开发和验证功率GaN-on-Si二极管和晶体管架构。研发公司IHS Markit同时预测,从2019年到2024年,市场的复...

    日期:2018-10-8 标签:功率二极管半导体晶体管意法意法半导体 类别: 阅读:4557
  • 低功耗SiC二极管实现最高功率密度

    相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体扩展了其650伏(V) SiC二极管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时,往往面对在更...

    日期:2018-6-23 标签:功率二极管功耗低功耗高功率 类别: 阅读:6231
  • 瑞萨电子推出业内首款25 Gbps直调激光二极管

    2018年3月21日,日本东京讯 – 全球领先的半导体解决方案供应商萨瑞电子株式会社(TSE:6723)今日宣布,推出全新直调激光器(DML)二极管---RV2X6376A系列。该DML二极管将四个波长的25 Gbps作为100 Gbps光收发器的光源,支持4.9G和5G LTE基站、以及数据中心路由器和服务器之间的高速通信。RV2X6376A系列是业界首款DML二极管,它支持全速25 Gbps(基于单个激光器)和工业温度(-40°C至...

    日期:2018-3-22 标签:二极管瑞萨激光二极管 类别: 阅读:1387
  • Bourns推出新型桥型整流二极管系列

    BOURNS近日推出一系列新型桥型整流二极管产品,将专门应用于交流电(AC)直流电(DC)之转换,该公司特定型号CDTO269-BR1xL表面黏着桥型整流二极管,具有低功耗、高功效、低正向电压、高抗浪涌效能和高反向稳定性。该公司新款桥型整流二极管理想转换装置,为新一代的诸多设计提供较佳电源转换效率,且广泛运用于交换式电源供应器(SMPS)、桥型全波整流器、照明镇流器和电池充电装置。桥型整流二极管因其拥有诸多优点,已成为高可靠性、小尺寸和...

    日期:2017-9-5 标签:二极管整流整流二极管 类别: 阅读:3001
  • Littelfuse新推出具有较低断态电压的80A离散型双向瞬态抑制二极管

     LITTELFUSE, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天推出了SP11xx系列双向瞬态抑制二极管(SPA?二极管)中的最新产品——80A离散型双向瞬态抑制二极管。 SP1103C系列80A离散型双向瞬态抑制二极管可为电路设计师提供更低的断态电压,用于保护低压电源总线免受静电放电(ESD)的损坏。  这种二极管采用专有的硅雪崩制造技术以瞬态抑制二极管构成,可保护每个I/O引脚,为对破坏性...

    日期:2017-8-23 标签:电压二极管 类别: 阅读:2042
  • 三星发布世界首款对角线9.1英寸可伸缩有机发光二极管显示器

    在国际信息显示学会(Society for Information DISPLAY,SID)2017年会上,三星显示器公司发布了世界首款对角线尺寸为9.1英寸的可伸缩主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器。这个屏幕可以伸缩向上或向下。换句话说,它的形状可以凸起或者凹陷达到12毫米,如下图所示。这个面板可以从中间往下按,然后它会回到原本的平面状态。这种伸缩是三维的,不同于现有的柔性显示器。  面板制造商们目前...

    日期:2017-7-21 标签:二极管发光二极管 类别: 阅读:934

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