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新闻资讯 > 器件

  • Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件

    美国加利福尼亚州戈莱塔,中国台湾新竹 — 2024年4月25日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.(伟诠电子,TWSE:2436)今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起,组成首个基于 Transphorm Super...

    日期:4小时前阅读:698
  • SiC器件的工作原理与主要优势!

    Silicon Carbide(碳化硅,SiC)器件是一种利用碳化硅作为半导体材料制造的电子器件。相比于传统的硅器件,SiC器件具有许多优势,包括更高的耐高温性、更高的工作频率、更高的击穿电压、更低的导通损耗以及更好的辐射抗干扰性能等。SiC器件在各种领域都有广泛的应用,包括功率电子、光伏逆变器、电力输配电系统、新能源汽车驱动系统、飞机航空电子、军事装备等。在功率电子行业中,SiC器件已经被视为下一代功率半导体技术。它们主要包括SiC ...

    日期:2024-4-18阅读:691
  • 如何应对快充、大容量、长寿命挑战,看功率器件在储能中的创新应用

    功率器件是用于控制电力流动和转换的器件,其主要作用是实现对电能的调节、变换和控制。功率器件可以分为开关型功率器件和线性功率器件两大类,常见的包括CY7C199-15DMB晶体管、场效应管、二极管、整流器等。在储能系统中,功率器件发挥着重要作用,能够影响储能系统的充放电效率、容量和使用寿命。面对快充、大容量和长寿命挑战,功率器件在储能中的创新应用主要体现在以下方面:1.高效能性能:针对快充需求,功率器件需要具备高效能特性,以提高充电速度。...

    日期:2024-4-16阅读:687
  • 电子元器件失效分析技术

    电子元器件失效分析技术是指对电子元器件发生的各种故障和失效进行系统性研究和分析的技术方法。在电子设备中,各种元器件如DS1685E-5晶体管、电容器、电阻等,在长时间工作或特殊环境下可能会出现各种问题,如漏电、短路、老化等故障。通过失效分析技术,可以帮助确定故障原因、改进设计和工艺、提高产品质量和可靠性。电子元器件失效分析技术通常包括以下几个方面:1.失效模式分析:首先需要对故障的元器件进行外观检查和测试,确定其失效的具体模式,如短路、...

    日期:2024-4-12阅读:685
  • 电路板集成度提高,不同电路保护需要的器件要跟上

    随着电子工业的迅猛发展,电路板(PCB)的集成度不断提高,使得电路变得更加紧凑和高效。然而,这种高集成化也带来了更多的挑战,尤其是在电路保护方面。保护电路是确保电子产品安全稳定运行的关键,因此,伴随着集成度的提升,不同电路保护的器件设计也必须跟上技术的步伐。电路保护的目的是为了防止由于过电压、过电流、过热等异常条件造成的电路损害,这些保护措施可以减少设备故障的几率,延长产品的使用寿命,并且保障用户的安全。1、过电压保护:电路可能会因为外...

    日期:2024-4-10阅读:681
  • IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别?

    IGBT、三极管(BJT)和MOS管(MOSFET)是电子工程中常用的三种功率半导体器件。它们在电力电子、驱动控制等领域有着广泛的应用。虽然这三种元件都可以用于开关电路和放大电路,但它们的结构、工作原理、性能特点以及适用场合有所不同。下面,我们将详细探讨这三种元件的区别。一、结构区别IGBT:IGBT是一种由MOS管和双极型晶体管的优点结合而成的器件。它的结构包括一个极硅压控栅场效应管(MOSFET)和一个双极型晶体管(BJT)。三极管...

    日期:2024-4-9阅读:680
  • 电力的心跳:功率半导体分立器件的角色与未来

    功率半导体分立器件是现代电力电子系统中不可或缺的组成部分,它们承担着控制和转换电能的重要任务。随着科技的发展和新型材料的应用,这些半导体器件的性能得到了极大的提升。本文将探讨功率半导体分立器件的基本角色,它们在电力领域的应用,以及未来的发展趋势。1. 引言在现代工业与信息时代,电力作为一种清洁、高效的能源,其在生产和生活中的作用愈加凸显。而实现电能高效控制与转换的心脏——功率半导体分立器件,成为了电力电子技术的核心。从最早的硅(Si)器...

    日期:2024-4-9阅读:679
  • 如何增强SiC功率器件的性能与可靠性

    SiC(碳化硅)功率器件是一种基于碳化硅材料的高性能功率电子器件。相比于传统的硅功率器件,SiC功率器件具有更高的工作温度、更低的导通和开关损耗、更高的开关速度和更高的频率特性。这使得SiC功率器件在高温、高功率和高频率应用领域具有广泛的应用前景,如电动车、DMMT3906W-7-F太阳能逆变器、电力电子转换器等。为了增强SiC功率器件的性能和可靠性,可以采取以下一些方法和技术:1. 材料优化:SiC功率器件的性能和可靠性高度依赖于所使...

    日期:2024-4-7阅读:677
  • 碳化硅功率器件:能效革新的催化剂!

    碳化硅(SiC)功率器件是一种新型半导体器件,被认为是能效革新的催化剂。传统的硅(Si)功率器件在高温高频、高电压、高电流等应用中存在一些局限,而DS2114Z碳化硅功率器件以其优越的电学特性和热特性,在提高能源转换效率、降低系统损耗、减小体积重量等方面发挥着重要作用。以下是碳化硅功率器件在能效革新中的关键优势和应用前景:1. 超高工作温度:碳化硅功率器件具有极高的热稳定性和工作温度范围,远超过传统硅器件。这使其在高温环境下仍能保持稳定...

    日期:2024-4-2阅读:674
  • 碳化硅功率器件:革新未来能源与电力电子技术的关键材料

    碳化硅功率器件是一种重要的半导体器件,具有许多优异特性,对于革新未来能源与电力电子技术发挥着至关重要的作用。以下是关于碳化硅功率器件的详细介绍:1. 碳化硅功率器件简介: - 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有DS1685E-5高热稳定性、高电子漂移率和高击穿场强等特点,适合用于高温、高频和高压环境。2. 碳化硅功率器件类型: - 主要的SiC功率器件包括SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、SiC击穿二...

    日期:2024-3-21阅读:661
  • 什么是半导体,分立半导体器件基础知识

    半导体是一类具有电导率介于导体与绝缘体之间的材料,其电导率可以通过掺杂(加入杂质)或外加电场、磁场、光照等方式进行调节。在现代电子科技和信息技术中,半导体器件扮演着极其重要的角色,它们是构成集成电路、计算机、通讯设备等电子产品的基本元件。基本概念1. 能带理论在量子物理中,能带理论是解释半导体、绝缘体和金属电子性质的基础。在这一理论中,电子在晶体中的能量状态是连续的能带,而非单个的能级。对于半导体来说,最重要的是导带和价带之间的能隙(B...

    日期:2024-3-19阅读:685
  • SiC器件如何提升电动汽车的系统效率

    SiC器件是指采用碳化硅(Silicon Carbide)材料制成的电子器件。相比于传统的硅(Silicon)器件,SiC器件具有更高的电子能带宽度、电子饱和漂移速度和热导率,因此在高压、高频等应用中表现更为出色。SiC器件因其优异的物理特性而被广泛应用于电力电子领域,包括电动汽车。SiC器件能够提升电动汽车系统的效率主要体现在以下几个方面:1. 降低能量损耗:SiC器件具有较低的导通和开关损耗,这意味着在电动汽车的CSD17306Q5...

    日期:2024-3-19阅读:679
  • IDC刺穿式连接器:优势显著的电子元器件

    IDC刺穿式连接器(Insulation Displacement Connector)是一种用于电子设备和电路板上的连接器,也称为刺穿式端子连接器,其优势显著。它通常用于电子设备、通信设备、DP83840VCE计算机设备等领域,用于连接电路板之间的导线或连接电缆和插座之间的导线。以下是关于IDC刺穿式连接器的详细介绍:1、IDC连接器的主要特点包括:● 刺穿式连接:IDC连接器采用刺穿式设计,在接触器件时会自动刺穿绝缘层,与导线内部的...

    日期:2024-3-18阅读:688
  • 半导体器件中很重要一种的概念—栅

    在电子工程与半导体物理领域,栅(Gate)是一个至关重要的概念,它是半导体器件中的一个基本组成部分,尤其是在场效应晶体管(Field-Effect Transistors, FETs)中。栅的主要功能是控制半导体器件中电荷载流子的流动,从而调节器件的导电性。这一特性使得半导体器件能够在电子设备中扮演开关或FA5518N-A2-TE1放大器的角色,是现代电子技术的基石之一。栅的基本工作原理在场效应晶体管中,栅的作用可以通过电场效应来理解。...

    日期:2024-3-13阅读:768
  • 石墨烯压力传感器在可穿戴电子器件中的研究进展综述

    石墨烯压力传感器在可穿戴电子器件中的应用正迅速成为前沿科技研究的热点之一。石墨烯,由于其优异的电子、热和力学性能,正成为开发高灵敏度、柔性、轻质可穿戴压力传感器的理想材料。本综述旨在探讨石墨烯压力传感器在可穿戴电子器件领域内的最新研究进展,特别是它们的设计、制备方法及其在健康监测、运动追踪、人机交互等方面的应用。石墨烯的基本性质石墨烯是一种由单层碳原子以sp²杂化轨道紧密排列形成的二维材料。它具备高度的弹性模量(约1.0 TPa)和拉伸...

    日期:2024-3-8阅读:722
  • 光电量子器件研究进展综述

    光电量子器件是当今科学研究与工程技术领域中的热点之一,其基于量子力学原理,利用光与物质相互作用的量子效应来实现信息的编码、处理、存储和读取。随着物理学、材料科学、纳米技术和量子信息技术的快速发展,光电量子器件在量子计算、量子通信、量子成像等方面展示了巨大的潜力和应用前景。本文旨在综述光电量子器件的研究进展,特别关注材料的创新、器件原理、制备技术及其在量子信息技术中的应用。1. 光电量子器件的基本原理与类型光电量子器件的工作原理主要基于量...

    日期:2024-3-4阅读:688
  • 萌宠智能生活进化史:探索背后的核心元器件

    随着智能技术的快速发展,从自动喂食、自动铲屎,到通过IoT健康监测,再到通过AI情绪识别,智能化技术正在重塑养宠方式,让养宠人搭建一个高质量的宠物环境变得更加容易,也让宠物能够受到更悉心的照料。空无一人的房间里,一只猫咪正在安静地睡觉。这是这只猫咪第二天独自生活在家里了。它的主人出差了,此刻正在几百公里外通过远程摄像头监视着猫咪是否安全而健康。过了一会,摄像头响起了主人的声音,该吃饭了。猫咪自动喂食器按照主人的提前设定,定时投喂了固定分...

    日期:2024-2-28阅读:778
  • 辐射对元器件的作用机理

    辐射对元器件的作用机理是一个复杂的领域,主要涉及到辐射对半导体材料、电路元件和电磁兼容性的影响。在元器件中,常见的有源器件包括DS1233Z-10晶体管、二极管等,被动器件包括电阻、电容、电感等。辐射对元器件的主要影响包括以下几个方面:1. 电离辐射对器件的损伤:电离辐射(如γ射线、X射线、β射线)能够引起半导体材料内部原子电子结构的改变,导致器件性能下降或失效。2. 热辐射引起的热效应:高剂量的辐射会在器件内部产生大量热能,引起器件温...

    日期:2024-2-27阅读:682
  • IC知识科普之——可编程逻辑器件

    可编程逻辑器件(Programmable Logic Devices, PLDs)是一种电子组件,可以被用户或设计者按照需要编程配置来实现特定的逻辑功能。在数字电路设计领域,PLDs提供了一种灵活且高效的解决方案,允许设计师通过编程而不是重新设计EP20K600EBC652-3硬件来修改电路逻辑。随着集成电路(IC)技术的进步,PLDs已经发展成为一种强大的设计工具,广泛应用于多种电子产品和系统中。1. PLDs的种类PLDs可以大致分...

    日期:2024-2-27阅读:704
  • 电子元器件封装技术讲解

    电子元器件封装技术是电子设备设计中的一个重要环节。它指的是将电子元件(如ADM708SARZ-REEL晶体管、集成电路等)封装在保护壳中,以保证电子元件在各种环境条件下都能正常工作。本文将对电子元器件封装技术进行详细的介绍。首先,我们要明白何为电子元器件封装技术。简单来说,电子元器件封装就是将裸露的芯片放入一个保护壳中,通过引线与外界电路连接,以保护内部芯片,提高其抗干扰能力和可靠性。其次,我们要知道电子元器件封装技术的主要目的。电子元...

    日期:2024-2-26阅读:690