紫光赵伟国：2019年将量产64层128Gb 3D NAND

今日，紫光集团董事长赵伟国透露，紫光将在2018年底量产32层64Gb的3D NAND，2019年量产64层128Gb的3D NAND，并同步研发128层256Gb的3D NAND。

就目前中国在NAND Flash芯片技术上的发展而言，虽然相较于三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等国际大厂在2019年量产96层3D NAND，紫光量产64层3D NAND落后一个技术等级，但弥补了中国在NAND Flash芯片自主研发领域的空白。

另外，长江存储（YMTC）发布了突破性技术—Xtacking，使得产品开发时间缩短三个月，生产周期可缩短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比传统3D NAND拥有更高的存储密度。

同时，紫光存储向全球发布了企业级NVMe 产品P8160、P8130、企业级SATA SSD产品S6110、消费类NVMe SSD产品P5120、渠道SATA SSD产品S100、渠道NVMe SSD产品P100、嵌入式产品eMMC、UFS全系产品，满足大数据和本土市场存储需求。

赵伟国表示，紫光正在努力布局芯片行业，且已落户重庆。2017年包括手机芯片在内，数量上已经是全球第三。紫光每年还生产6、7亿套的智能卡，这个领域紫光份额第一。同时，紫光在专用CPU领域也有布局。

在营收方面，赵伟国预计，2018年紫光在云网方面的收入将达到600亿，集成电路方面的收入200亿，网络和计算方面的收入大概会达到400亿。