三星电子下半年量产第三代10nm工艺DDR4内存

导读：三星电子宣布已开发出了第三代10nm级（1z-nm）的8GB DDR4 DRAM芯片，在业界内首次达到了这个成绩。此时距离三星大规模生产第二代10nm级（1y-nm）8GB DDR4 DRAM芯片仅仅过去了16个月，可见三星在芯片研发上的效率。

三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，在业界内首次达到了这个成绩，此时距离三星大规模生产第二代10nm级8GB DDR4 DRAM芯片仅仅过去了16个月。

根据三星给出的信息，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm级，相比此前的1y-nm在生产效率上有了20%的提升，可以更好地满足现在日益增长的市场对内存芯片的需求，而且工艺的进步也会带来效能的提升，同样的存储体积下，1z-nm能带来更加优秀的耗电情况和执行效率。

三星电子预计，采用1z-nm工艺制造的第三代8GB DDR4 DRAM芯片将从2019年下半年开始大规模生产，有望适用于未来2020年生产的下一代服务器和高端PC产品。

三星将在平泽市（Pyeongtaek）提高DRAM芯片的产能，同时上述先进技术还将应用于未来的DDR5、LPDDR5、GDDR6产品上。

三星电子联席CEO金基南（Kim Ki-nam）还指出，由于智能机市场增长乏力，数据中心公司削减投资，公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。

当前的内存芯片规格除了PC上主流的DDR4之外，还有DDR5、LPDDR5和GDDR6等等。三星认为在DDR4上成功使用的1z-nm工艺，为拓展到其他规格上打下了基础，今后我们有望在更多的内存产品上见到1z-nm工艺的应用。