国内研发DRAM内存累计费用高达25亿美元

在日前举行的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明表示国内研发DRAM内存花费了极大的代价，累计研发费用高达25亿美元，才建成了目前严谨合规的研发体系和独有技术体系。长鑫的目标是今年内实现国产内存的大规模生产，目前制造工艺进展顺利，已持续投入晶圆超过15000片。

在国内三大存储芯片基地中，紫光旗下的长江存储主要从事NAND闪存研发、生产，32层堆栈的闪存小规模量产，今年主力生产64层堆栈的，下一代直接进入128层堆栈，2020年追上国际先进水平。

DRAM内存技术难度比NADN闪存更大，产值也更高，2017年全球内存产值约为730亿美元，NAND闪存约为500亿美元。目前国内从事内存研发、生产的主要是是福建晋华及合肥长鑫，前者投资规模高达370亿元，后者投资规模不低于72亿美元。

根据长鑫公司之前公布的计划，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

在日前举行的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源——已破产的奇梦达公司。

通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。