新一代存储器材料又有新突破 因此预估今年将一季比一季好

导读：新一代存储器材料又有新突破!台成功大学物理系研究团队最新发表存储器新材料「铁酸铋(BiFeO3)」操控方式，相关研究成果本月初获刊载于国际顶尖期刊「自然材料」(Nature Materials)。封测厂南茂7日召开电话财报会，展望未来，董事长郑世杰表示，面板驱动IC(TDDI)采薄膜覆晶封装(COF)强劲成长，快闪存储器( NAND Flash)有新客户导入，加上其他产品线也保持成长，因此预估今年将一季比一季好。

研究团队预期，应用于人工智能发展与云端运算，更可减少读取资料的延迟时间，大幅加快演算速度，可望在未来微缩化多功能纳米元件的趋势中，带来革命性的突破。

根据研究资料，铁酸铋(BiFeO3)是在一个存储单元中可同时具有高达8种逻辑状态(0-7)的多位元存储器材料，比起传统只能存储0与1的单位元存储器，可大幅地提升储存信息的密度。

据悉，研究团队成功开发新颖光学技术，可进行非接触性的特性控制，应用这类材料与相关光控技术，现有存储器体积可被大幅地缩小，耗能也将近一步降低。

传统硬盘与存储器器基础单位为0与1的组合，受此限制，基础存储单元只能靠不断缩小元件尺寸才能提高存储器密度，在开发上始终会达到极限。

成大团队教授陈宜君指出，以磁性金属薄膜为主材料的传统硬盘为例，只具有一个铁磁有序性，用以纪录0与1的信息。而多铁性材料铁酸铋的存储单元为材料内自发的电偶极矩与电子自旋排列方向，存储单元理论上可达次纳米尺度，且可在同一点存在多个存储状态，即同时包含电、磁与反铁磁有序，组合上可一次纪录8组信息于单个储存单元中。

她指出，相较于现今商用非挥发性存储器仍有断电长时间后会损失资料的问题，多铁性材料的存储状态更加稳定。

成大研究团队这次研究最重要的突破，在于赋予该材料全光控的优势，由于光是交变的电磁波，因此在传统经验中，光无法对材料产生多组态的存储调变。

研究团队助理教授杨展其也表示，团队所提出的关键光控技术，可利用光照产生的局部形变进而控制铁酸铋中的多位元存储组态。利用光学写入技术的存储器不需任何借助任何金属电极与复杂的元件制程，充分体现“材料即元件”的构想，不只提升了信息存储效益，也为新一代存储器开发带来全新的思考方式，使该材料可被直接导入如量子储存，量子通讯等结合尖端光学技术的跨领域科技。

郑世杰表示，存储器价格跌幅虽趋缓，但景气未见明显改善，目前公司积极拓展新业务范围，预估第2季起存储器业绩将逐季成长，由于NAND有新专案挹注，产能利用率也将逐季提升。

此外，他补充，TDDI采COF封装需求热络，新的12英寸COF产能亦有提升，而NOR闪存，DRAM等其他产品线则预估有小幅成长，均将优化公司自第2季起的营收，毛利率及产能利用率，预估营运状况将逐季乐观。

郑世杰进一步透露，今年产能利用率已近满载，并指出，TDDI占DDIC营收比重已上升至28-30%，此外，采用COF的TDDI已自去年第4季的21%成长至27%，而TV DDIC则受惠4K电视COF封装产能在大，小尺寸均十分强劲，故南茂今年乐观TDDI业务稳健成长。

展望今年，法人预估，南茂今年业绩可望较去年成长高个位数百分点，毛利率则维持在16%到20%的区间。

只不过，会中法人关心第1季财报不如预期，南茂财务主管苏郁姣回应，第1季因工作天数少，加上几间存储器客户均持续调整库存，产能利用率降至7成，若扣除工作天数减少因素，公司主力的显示面板驱动IC(DDIC)营收其实仍较上季成长。

南茂第1季合并营收44.62亿元新台币(单位下同)，季减10.3%，较去年同期成长11.2%，第1季合并毛利率15%，季减7.8个百分点，较去年同期微增0.4个百分点，单季合并营益率7.1%，季减8.8个百分点，年增0.71个百分点，首季税后净利1.93亿元，季减62.5%，但较去年同期大幅增加749.6%，单季每股盈余0.27元，优于去年同期的0.03元。