三星电子为达成「全球第一代工企业」的目标频频发力

导读：三星电子为达成「全球第一代工企业」的目标，在三星代工论坛2019(Samsung Foundry Forum 2019)上，发表新一代3纳米闸极全环(Gate-all-around)制程。三星预计透过新技术的研发，在2021年推出3纳米制程的产品。根据三星表示，其将推出的3纳米制程产品将比当前的7纳米制程产品效能提升35%，能耗也再降低50%，而且芯片的面积也再减少45%。

据韩媒《ZDNet Korea》报导，3纳米闸极全环制程是让电流经过的圆柱形通道环绕在闸口，和鳍式场效晶体管(FinFET)的构造相比，该技术能更加精密地控制电流。

若将3纳米制程和最新量产的7纳米FinFET相比，芯片面积能减少45%左右，同时减少耗电量50%，并将性能提高35%。

当天活动中，三星电子将3纳米工程设计套件发送给半导体设计企业，并共享人工智能(AI)、5G移动通信、无人驾驶、物联网(IoT)等第四次产业革命的核心半导体技术。工程设计套件在代工公司的制造制程中，支持优化设计的数据文件。半导体设计公司能通过此文件，更轻易地设计产品，缩短上市所需时间、提高竞争力。

同时，三星电子计划在3纳米制程中，通过独家的多桥接通道场效应晶体管(MBCFETTM)技术，争取半导体设计公司的青睐。多桥接通道场效应晶体管技术是进一步发展的「细长的钢丝型态」的闸极全环构造，以轻薄、细长的纳米薄片进行堆栈。该技术能够提升性能、降低耗电量，而且和FinFET工艺兼容性强，有直接利用现有设备、技术的优点。

另一方面，三星电子计划在下个月5日于上海进行代工论坛，并于7月3日、9月4日、10月10日分别在韩国首尔、日本东京、德国慕尼黑举行代工论坛。

三星14日于美国加州所举办的晶圆制造论坛(Samsung Foundry Forum)上宣布，目前三星正在开发一项名为环绕极(gate all around，GAA) 的技术，这个被称为当前FinFET技术进化版的生产技术，能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造，使其更小更快。三星指出，预计2021年透过这项技术所推出的3纳米制程技术，将能使得三星在先进制程方面与台积电及英特尔进行抗衡，甚至超越。而且，能够解决芯片制造缩小过程中所带来的工程难题，以延续摩尔定律的持续发展。

而根据国际商业战略咨询公司(International Business Strategies)执行长HandelJones表示，目前三星正透过强大的材料研究让晶圆制造技术获得发展。而 GAA的技术发展上，三星大约领先台积电1年的时间，而英特尔封面则是落后三星2到3年。三星也强调，GAA 技术的发展能够期待未来有更好的图形技术，人工智能及其他运算的进步，以确保未来包括智能型手机、手表、汽车、以及智慧家庭产品都能够有更好的效能。

事实上，之前三星就宣布将在未来10年内投资1,160亿美元来发展非存储器项目的半导体产业，以成为未来全球的半导体产业霸主。其中，透过GAA技术发展的3纳米制程技术就是其中重要的关键。三星希望藉此吸引包括苹果、NVIDIA、高通、AMD 等目前台积电客户的青睐，以获取更多晶圆生产上的商机。