PM是“parTIculatematter（颗粒物）”的缩写，悬浮在空气中，直径小于等于2.5微米的称为PM2.5，又称细颗粒物。与较粗大的颗粒物相比，细颗粒物富含更大量的有毒有害物质，而且能在大气中停留更长时间，输送距离也更远，对大气环境及人体健康的影响也更大，是导致黑肺和雾霾天的主要凶手。在颗粒物PM2.5监测设备中，选用的传感器主要有两种：红外原理pm2.5传感器与激光原理pm2.5传感器。红外原理pm2.5传感器由于精度不够主要用于工矿扬尘，检测对象为大粒径、高浓度粉尘，检测级别是mg/m3，无法准确测量PM2.5的浓度，只能检测灰尘污染程度，当然早期的空气净化器也是使用这种原理传感器，测量结果仅供参考，准确度偏低，一般用于判断灰尘污染程度等级。后来激光型pm2.5传感器的诞生，可以精确测量PM2.5浓度，主要应用在PM2.5检测领域，可嵌入到家用（车载、手持）空气检测仪、空气净化器中，新型激光型pm2.5传感器是基于定量测量，可检测0.3μm的颗粒物，能够精确测量PM1.0、PM2.5、PM10的数值，精度高。那么两者之间有什么区别呢？1、结构原理红外原理pm2.5传感器的结构和电路相对简单。其光源为红外LED光源，气流进出风口主要靠电阻发热以获得热气流流动，当有颗粒物通过时，接触到LED光源之后发生反射现象，光敏探测器接收到不同强度的反射光，再通过放大处理及运算后得到检测结果。而激光原理pm2.5传感器的结构和电路相对复杂。其光源为激光二极管。采样空气通过风扇或鼓风机推动，通过复杂设计的风道，进行检测。当空气中的细颗粒物进入激光束所在区域时，将使激光发生散射；散射光

相信大家对PM2.5、PM10甚至PM1这些可吸入颗粒物的名词并不陌生。特别是随着我国社会经济的迅速发展，大气污染随着工业化进程的进行而加重，雾霾早已成为了全民防控的空气质量参数之一。我国陆续发布颗粒物AO3419监测仪器和监测方法相关标准。国务院发布新修订的《环境空气质量标准》，首次增加了PM2.5监测指标。PM2.5易于载带大量的有毒、有害物质，可进入人体肺泡并沉积，其载带的多环芳烃等有机污染物和重金属，随着人体循环系统转移到身体的其他部位,对人体健康和空气质量等有重要影响。因此加强人群保护和在减少大气颗粒物污染的基础上，做好空气污染预测及监测，使个人做好防护，从而减轻全身各系统疾病的发生将成为未来工作的重点。环境空气质量监控逐渐衍生到室内空气质量全城监测的大趋势中，各种可吸入颗粒物及气体传感器成为了感知技术的核心。传感器质量的优劣直接影响到最终获得的空气质量监测数值，对治理和管控起到至关重要的作用。近些年，我国粉尘PM2.5颗粒传感器及粉尘监测技术也得到了迅速发展。pm2.5传感器供应商工采网提供的5款产品：DSM501A、LDSM、GPSM、SPSM、PSMG。因其优良性能，广受空气净化器、新风系统、便携式仪表、空气质量监测设备、空调、智能家居设备等领域客户的认可。下面工采网小编具体为大家介绍pm2.5传感器的相关应用以：韩国Samyoung PM2.5 PM1.0传感器 - GPSM系列为例：工作原理微粒和分子在光的照射下会造成光的散射并吸收部分照射光的能量。使得光强将被衰减。通过检测光通过被测区域后的衰减率程度，或者光通过被测区域时的散射量，可获得被测区域灰尘的浓度

2018第十届深圳国际物联网博览会（IOTE）即将于2018年7月31日至8月2日在深圳会展中心盛大举行。环境和流量传感器解决方案专家盛思锐（Sensirion）连续第五年出席深圳国际物联网博览会。此次，盛思锐将推出一款具有长期稳定性的创新型PM2.5气体传感器。为治理大气污染、尤其是降低空气质量的首要污染物PM2.5浓度，我国近年来在多个地区积极调整产业机构、清洁化能源结构、控制末端与交通污染等。世界领先的传感器制造商盛思锐一直坚守在气体传感器的创新阵营，多年来取得了蜚声业界的成果，其产品以高标准的精准度和稳定性著称，备受业界的认可与好评。盛思锐的传感器元件和解决方案广泛应用于汽车行业、医疗技术、建筑技术、工业过程控制以及消费产品等。.本届博览会上，盛思锐将重点推出创新型pm2.5传感器。大中华区总经理李锦华先生介绍，此次带来的创新型pm2.5传感器专门针对气体检测的难题研发，旨在帮助所有空气质量监管、治理的从业者。该产品能以超精准度感知气体质量浓度、精确测量多种空气颗粒物、有完整的主板信号处理能力、所有信号自动校准输出，而且具备盛思锐产品一贯的长期稳定性、高度可信赖，势必颠覆业界标准。届时，盛思锐全球市场销售总监Stephan M. Richter先生，pm2.5传感器产品经理Livio Lattanzio先生，以及大中华区总经理李锦华先生将亲临现场，向业界人士介绍盛思锐的创新产品和技术优势，并分享盛思锐对气体传感器行业发展和技术创新的洞见。欢迎参观盛思锐在2018第十届深圳国际物联网博览会的展台（6号馆，6B63号展位），了解该长期稳定的PM2.5气体传感器，获悉其巨大的

1月11日，记者在浙江大学常州工业技术研究院举办的新闻发布会上获悉，该研究院的孵化企业——常州纳美生物科技有限公司，依托浙大常州工研院纳米医药研究中心暨常州市高新区诺贝尔奖工作站，成功研制出超强石墨烯PM2.5抗菌防雾霾口罩，经国家权威检测部门检测PM2.5过滤效率达96.4％，对大肠杆菌的抑菌率达99.8％。2013年，公司科研团队成员领导的国际联合研究小组首次揭示了石墨烯的抗菌分子机理，引领了抗菌功能纳米材料研发领域的研究，获得了许多国内外同行的赞誉。该研究院科研管理部主任薛驰介绍，公司研发的新型多功能防护口罩采用最新型功能化石墨烯无纺布滤芯，具备超强的物理隔尘、PM2.5和PM10隔绝功能、抗菌性能，还可以过滤花粉和其他粉尘。其抗霾机理是利用石墨烯对PM2.5及以下的微小颗粒的吸附作用。尤其利用多层的石墨烯，可以牢牢地将微小颗粒“困住”。同时，石墨烯本身具有优良的抗菌性，其抗菌机理是石墨烯与细菌的细胞膜有强力作用，能切割细菌的细胞膜，并大量抽取细胞膜上的磷脂分子。

工业污染是北京PM2.5的主要来源之一。北京今年将实施百余项大气污染防治环保技改项目，涉及挥发性有机物治理、脱硫、脱硝、除尘等多个方面。据介绍，虽然工业占北京市经济总量的比重已不足20%，但根据PM2.5来源解析结果，在本地污染贡献率中，工业生产占18.1%，仅次于机动车排放和燃煤污染，居第三位。根据空气污染源解析结果和空气质量改善的需求，北京工业减排的重点包括挥发性有机物、氮氧化物、二氧化硫、烟粉尘等大气污染物。目前北京开展环保技改的重点领域包括四个方面：一是推进工业园区和工业企业燃煤设施清洁能源改造；二是在汽车制造、汽车修理、家具制造等重点行业开展挥发性有机物治理工程；三是燕化公司、金隅集团等重点企业实施综合性污染防治工程；四是开展工业燃气设施的低氮燃烧技术改造和烟气脱硝工程。截至目前，今年计划实施的曲美家具水性漆替代工程、福田戴姆勒汽车公司二工厂水性漆替代工程、燕化公司顺丁橡胶尾气处理一期工程等重点技改项目已完成。北京市环保部门将会同相关部门，研究制订引导政策，建立激励机制。对实施环保技改措施、污染物排放达标并进一步减排的企业给予资金奖励，把企业超标排放行为记入中国人民银行企业信用信息基础数据库等企业信用系统，作为办理信贷业务、增值税减免优惠、上市融资核查的审核条件，限制污染企业发展。北京已于今年1月1日起提高二氧化硫、氮氧化物、化学需氧量、氨氮四项污染物排污费征收标准，下一步还将征收工业挥发性有机物等排污费，并研究高污染行业差别化资源价格政策，增加企业排污成本，促进企业治污减排。

持续的雾霾天气，各大医院被挤满的呼吸科，让人们真正体会到了大气污染的危害性。资料显示：雾霾主要是由二氧化硫、氮氧化物和可吸入颗粒物这三项构成，前两者为气态污染物，最后一项颗粒物更是加重雾霾天气污染的罪魁祸首，而颗粒物的英文缩写为PM，其中以PM2.5对人体危害最大。 对此状况，政府自然不能袖手旁观。去年，中国将PM2.5写入了“国标”，全国各地如“雨后春笋般”设立多个监测点，并实时发布数据，让人可以直观的了解到身边的空气情况。户外PM2.5监测数据也和天气预报一样，开始出现在广播和电视之中。也正因为如此，眼下人们除了时时刻刻盯着的股市数据外，还要同时关注着PM2.5数值。 各地既然要实时通报PM2.5值，就必须建设多个PM2.5监测点，同时也需要相应的监测设备，而监测设备的质量好坏将决定得出数据的准确度。而监测设备的质量好坏将决定最终数据的准确度。 据了解，当人们的肉眼可以感觉到天气灰霾的时候，PM2.5的值已经接近75，此时如果监测仪出现偏差，数据缩水，则会导致空气质量评价偏高，影响相关雾霾治理对策，甚至影响到广大民众的生活心态。 因此，使用符合国际标准的高质量空气质量检测仪器，成为监测PM2.5数据精准度工作的重中之重！ 目前，我国PM2.5监测通常使用连续监测法(如微量振荡天平法和β射线衰减法)来监测近似现场的沉积质量。此类监测法对空气温度、湿度、气流速率等数据的精确度要求十分苛刻，一点点偏差就可使监测结果大相径庭。对此，国内外相关企业加紧对PM2.5监测设备传感器研究和开发，许多灵敏度高、精确性强的高新产品陆续投放市场。霍尼韦尔传感与控制部就于近日研发出了一批针对PM2

SensorDynamics今日宣布推出用于汽车的微机械双功能传感器，该传感器在单个产品封装内集成了陀螺仪和加速仪。两个传感器都通过一个共用的SPI接口传输它们的信号，这有助于进一步进行处理和使开发时间与系统成本最小化。作为汽车和制造行业惯性双功能传感器的先锋和趋势制造者，SensorDynamics已经认识到市场对可通过AEC-Q100认证、包含监控电路使之在芯片和模块级别上绝对安全可靠的集成传感器的迫切需要。此外，使设备数量最小化也带来系统成本的减少。对于那些将实际道路弯曲程度和角度锁相匹配的车辆，SD755非常适合它们中电子稳定系统的应用。当检测到差异时，各个车轮将系统地减速以避免车辆打滑。SD755适用于所有安全相关的汽车或工业应用，以确保高级别的故障安全性。此外，它的特点还包括：机械稳固性、广泛的温度公差范围和长期的高稳定性。SD755针对的是高安全标准，尤其是在汽车领域中。为此所涉及的所有设计方法都符合IEC 61508标准，是对包括陀螺仪、加速仪和电路在内的整个系统进行彻底FMEA（失效模式与影响分析）的结果。该传感器集成了一个同时监控传感元件和信号调节路径的特别电路，如果一个参数超出精确定义的限值，则立即发出警报。该传感器监控40多个参数以确保其完全的安全可靠。双功能传感器的任何部分发生故障都会被传达到外加一条硬接线线路的SPI接口上的高级微控制器。通过SPI，可以完成详细的故障分析以便确认错误源。传感器也能够通过SPI监控微控制器。基于这个设计的优势，SD755在组件级别上达到了SIL 2，在系统级别上达到了SIL 3。SD755现已有售。数量为1000单位/

SensorDynamics今日宣布推出用于汽车的微机械双功能传感器，该传感器在单个产品封装内集成了陀螺仪和加速仪。两个传感器都通过一个共用的SPI接口传输它们的信号，这有助于进一步进行处理和使开发时间与系统成本最小化。作为汽车和制造行业惯性双功能传感器的先锋和趋势制造者，SensorDynamics已经认识到市场对可通过AEC-Q100认证、包含监控电路使之在芯片和模块级别上绝对安全可靠的集成传感器的迫切需要。此外，使设备数量最小化也带来系统成本的减少。对于那些将实际道路弯曲程度和角度锁相匹配的车辆，SD755非常适合它们中电子稳定系统的应用。当检测到差异时，各个车轮将系统地减速以避免车辆打滑。SD755适用于所有安全相关的汽车或工业应用，以确保高级别的故障安全性。此外，它的特点还包括：机械稳固性、广泛的温度公差范围和长期的高稳定性。 SD755针对的是高安全标准，尤其是在汽车领域中。为此所涉及的所有设计方法都符合IEC 61508标准，是对包括陀螺仪、加速仪和电路在内的整个系统进行彻底FMEA（失效模式与影响分析）的结果。该传感器集成了一个同时监控传感元件和信号调节路径的特别电路，如果一个参数超出精确定义的限值，则立即发出警报。该传感器监控40多个参数以确保其完全的安全可靠。 双功能传感器的任何部分发生故障都会被传达到外加一条硬接线线路的SPI接口上的高级微控制器。通过SPI，可以完成详细的故障分析以便确认错误源。传感器也能够通过SPI监控微控制器。基于这个设计的优势，SD755在组件级别上达到了SIL 2，在系统级别上达到了SIL 3。 SD755现已有售。数量为100

据悉，第四届便携式产品设计与电源|稳压器管理技术研讨会PDPM将在2008年7月17日～18日在深圳举办。本次大会由中国通信学会通信设备制造技术委员会与深圳创意时代主办，之前已经成功举办过三届。 电子产品便携化发展已经是不可阻挡的趋势，在市场的高要求下，便携式电子产品设计师也面临着前所未有的挑战，无论是产品显示技术、材料、电源管理等等都要求设计师要不断地推陈出新以顺应市场的要求。 第四届便携式产品设计与电源管理技术研讨会将邀请国内外便携产品设计方面的企业发布最前沿的技术动态，会议主题紧紧围绕一线设计师的需求展开。据了解，本次研讨会探讨范围将涉及便携音频技术；LCD驱动IC、小尺寸显示面板等便携视频与显示技术；NAND/NOR闪存等便携视频与显示技术；便携电源管理技术；便携产品材料创新；分立元器件与无源器件；以及其他便携产品设计新技术与方案。 本次大会还将更多的关注目前炙手可热的一些便携消费电子的应用，例如3G手机、DSC数码相机、掌上游戏机等。

第四届便携式产品设计与电源|稳压器管理技术研讨会PDPM将在2008年7月17日～18日在深圳隆重举办。本次大会由中国通信学会通信设备制造技术委员会与深圳创意时代主办，已经成功举办过三届，受到业界的一致好评。 电子产品便携化发展已经是不可阻挡的趋势，在市场的高要求下，便携式电子产品设计师也面临着前所未有的挑战，无论是产品显示技术、材料、电源管理等等都要求设计师要不断地推陈出新以顺应市场的要求。 第四届便携式产品设计与电源管理技术研讨会将邀请国内外便携产品设计方面的领军企业发布最前沿的技术动态，会议主题紧紧围绕一线设计师的需求展开。据了解，本次研讨会探讨范围将涉及便携音频技术；LCD驱动IC、小尺寸显示面板等便携视频与显示技术；NAND/NOR闪存等便携视频与显示技术；便携电源管理技术；便携产品材料创新；分立元器件与无源器件；以及其他便携产品设计新技术与方案。 本次大会还将更多的关注目前炙手可热的一些便携消费电子的应用，例如3G手机、DSC数码相机、掌上游戏机等。 作为中国最有影响力的便携技术盛会，前三届PDPM都取得了令人瞩目的成绩，参与研讨会的人士覆盖到整个便携产品设计的产业链。在07年的研讨会上TI、飞思卡尔、SIGMATEL、Action、日立环球、3M等行业巨头都发表了精彩演讲，吸引了300多名高质量听众前来参会，其中超过一半是业界的工程师。

根据IC Insights发布的最新市场调查报告，该公司预测未来数年全球传感器/制动器产值的增长将是IC的近两倍，而且这个领域将成为这几年中增长最迅速的半导体领域。全球solid-state传感器/制动器的市场如果与其它半导体产品类别相比，规模相对较小；过去传感器主要使用在汽车工业中，但近年新开发出的低价器件目标针对便携式消费性电子、通信与工业产品。IC Insights预测传感器/制动器在2010年度的销售中将有37%是为汽车行业采用，这个比重低于之前数年的50%。 传感器器/制动器在2005年度的市场规模为45亿美元，IC Insights预测2006年度可望增长26%至57亿美元，从2006至2010年度之间的复合平均年增长率可望达到21%，相比之下，IC在这五年内的复合平均年增长率仅为11%。到了2010年，传感器/制动器的产值估计接近120亿美元，相对于整体半导体的3200亿美元。IC Insights并且估计大约80%的传感器/制动器采用微机电系统(MEMS)技术来执行转换(transducer)的功能。Solid-state传感器主要是用于测量温度、压力、加减速与其它物理参数的改变；而制动器则是用于执行动作，例如在纸张上印出墨水、在显示屏中反映出光线，或是在人体中施予药物。 IC Insights指出2005年度传感器/制动器市场的领导者是Texas Instruments，其次为HP。TI主要销售micro-mirror显示组件，HP则是MEMS喷墨式印表头的领导厂商。排名第三的是德国的Robert Bosch，该公司是全球最大的solid

运用全球仅有的pFLASHTM闪存商业应用技术，供应制造新一代串行外围接口闪存 专业电子零组件代理商益登科技所代理的常忆科技(PMC)近日推出100 Mhz的1Mb、2Mb、4Mb串行外围接口(SPI)内存，8Mb及16Mb也将在2006年推出，以供应计算器、PC的BIOS 、LCD monitor、医疗监控器、硬盘、光储存(ODD)、无线局域网络系统、打印机、复杂可程序逻辑组件(CPLD)/现场可程序门阵列 (FPGA)下载、电玩等制造厂商，提供球最高性能的串行外围接口(SPI)之串行闪存。 新一代的PM25LV010/020/040记忆数组提供制造厂商独特的记忆区块配置能力，将4Kb分为4个1Kb的记忆区块，易于透过程序软件或配置注册码(Configuration register)来配置，这样使用者能够防止意外清除或写入代码。在某些系统基板设计中，它能够降低串行电子清除可程序只读存储器(EEPROMs)的整体成本。 PM25LV系列产品乃依据PMC公司P-Channel闪存(pFLASH)的专利技术，提供超耐用、低消耗功率独特优越质量。pFLASH专利技术研发低消耗功率特性，使PMC公司的闪存特别适用于对电源敏感的手提式设备，例如个人计算机、个人数字助理、新一代无线局域网络卡、与硬盘机。 PM25LV512、PM25LV010、PM25LV020、PM25LV040、PM25LV080与PM25LV016都是可以简易互换的零件(drop-in replacement)，不需要改变Layout便可互换。该系列产品均以3个引脚串行外围接口(SPI)及

1、概述 DPM20C60DG是一款三相 IGBT 逆变器模块，内置 IGBT 及其栅驱动芯片，可用于无 刷直流电机、永磁无刷电机等的驱动。栅驱动芯片针对 IGBT 进行了优化设计，减小了 开关损耗、电磁干扰，同时栅驱动芯片上集成了多种保护功能，包括欠压闭锁、过流保 护、故障报告，内置热敏单元提供了温度监控功能。高侧 IGBT的驱动电路采用了自举 电源设计，只需单电源供电。每个低侧 IGBT 的发射极单独引出，三相电流可分别采样， 支持多种控制算法。电路采用带有散热片的 DIP-24H 封装。 2、功能描述 DPM20C60DG电路集成了 HVIC、LVIC、功率器件 IGBT、续流二极管 FRD、自举二极管 BSD，极大地提高了集成度，同时设计了多种保护功能，进一步提高了电路的可靠 性。低侧三个IGBT的发射极分别引出，可以对三相电流分别采样，适用不同的驱动方案。高侧IGBT的驱动电路采用自举法产生浮动电源，自举二极管已集成在电路中，只 需极少的外部元器件。三相浮动电源都具有欠压保护功能，防止 IGBT 工作在高功耗状 态。DPM20C60DG具有多种保护功能，包括欠压保护、过温保护、过流保护。DPM20C60DG还集成了温度感测模块，输出一个与温度线性相关的模拟电压，方便MCU监控IPM模块的温度。3.主要特点 ● 600V/20A 三相IGBT逆变器模块，内置 IGBT、FWD.BSD、HVIC、LVIC● 高侧驱动电路采用自举法产生浮动电源，内置带限流电阻的自举二极管● 栅驱动芯片具有多种保护功能，包括欠压保护、过流保护、过温保护

1、概述 DPM20C60DG是一款三相 IGBT 逆变器模块，内置 IGBT 及其栅驱动芯片，可用于无 刷直流电机、永磁无刷电机等的驱动。栅驱动芯片针对 IGBT 进行了优化设计，减小了 开关损耗、电磁干扰，同时栅驱动芯片上集成了多种保护功能，包括欠压闭锁、过流保 护、故障报告，内置热敏单元提供了温度监控功能。高侧 IGBT的驱动电路采用了自举 电源设计，只需单电源供电。每个低侧 IGBT 的发射极单独引出，三相电流可分别采样， 支持多种控制算法。电路采用带有散热片的 DIP-24H 封装。 2、功能描述 DPM20C60DG电路集成了 HVIC、LVIC、功率器件 IGBT、续流二极管 FRD、自举二极管 BSD，极大地提高了集成度，同时设计了多种保护功能，进一步提高了电路的可靠 性。低侧三个IGBT的发射极分别引出，可以对三相电流分别采样，适用不同的驱动方案。高侧IGBT的驱动电路采用自举法产生浮动电源，自举二极管已集成在电路中，只 需极少的外部元器件。三相浮动电源都具有欠压保护功能，防止 IGBT 工作在高功耗状 态。DPM20C60DG具有多种保护功能，包括欠压保护、过温保护、过流保护。DPM20C60DG还集成了温度感测模块，输出一个与温度线性相关的模拟电压，方便MCU监控IPM模块的温度。3.主要特点 ● 600V/20A 三相IGBT逆变器模块，内置 IGBT、FWD.BSD、HVIC、LVIC● 高侧驱动电路采用自举法产生浮动电源，内置带限流电阻的自举二极管● 栅驱动芯片具有多种保护功能，包括欠压保护、过

一，主要概述            DPM20C60是一款三相IGBT 逆变器模块，内置IGBT及其栅驱动芯片，可用于无刷直流电机、永磁无刷电机等的驱动。栅驱动芯片针对 IGBT 进行了优化设计，减小了开关损耗、电磁干扰，同时栅驱动芯片上集成了多种保护功能，包括欠压闭锁、过流保护、故障报告，内置热敏单元提供了温度监控功能。高侧 IGBT 的驱动电路采用了自举电源设计，只需单电源供电。每个低侧 IGBT 的发射极单独引出，三相电流可分别采样，支持多种控制算法。      电路采用带有散热片的 DIP-24H 封装。二，主要特点* 600V/20A 三相IGBT逆变器模块，内置 IGBT、FWD、BSD、HVIC、LVIC* 高侧驱动电路采用自举法产生浮动电源，内置带限流电阻的自举二极管* 栅驱动芯片具有多种保护功能，包括欠压保护、过流保护、过温保护* 完全兼容 3.3V、5V 和 15V 的 MCU 的接口* 三相负端单独引出用于电流检测* 故障状态报告输出* 线性温度感测输出* 封装形式：HDIP24，带有散热片三，功能描述       DPM20C60电路集成了HVIC、LVIC、功率器件IGBT、续流二极管FRD、自举二极管BSD，极大地提高了集成度，同时设计了多种保护功能，进一步提高了电路的可靠性。低侧三个IGBT的发射极分别引出，可以对三相电流分别采样，适用不同的驱动方案。高侧IGBT 的驱动电路采用自举法产生浮动电源，自举二极管已

EPM240T100C5NEPM240T100C5NEPM240T100C5N规格产品属性属性值选择属性制造商:Intel产品种类:CPLD - 复杂可编程逻辑器件RoHS: 详细信息系列:EPM240安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TQFP-100工作电源电压:2.5 V, 3.3 V大电池数量:192 Macrocell输入/输出端数量:80 I/O电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:2.375 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C最大工作频率:304 MHz传播延迟—最大值:4.7 ns封装:Tray商标:Intel / Altera存储类型:Flash湿度敏感性:Yes逻辑数组块数量——LAB:24逻辑元件数量:240工作电源电流:55 mA产品类型:CPLD - Complex Programmable Logic Devices工厂包装数量:90子类别:Programmable Logic ICs总内存:8192 bit商标名:MAX II零件号别名:971385单位重量:1.100 g

bychip可替代APM2701ACC-TRG导读2、金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）（本文的主角）。场效应管主要有两种类型： 1、结型场效应管（junction FET—JFET)（不是本文讨论范围）。基础知识中 MOS 部分迟迟未整理，实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管， 今天势必要来一篇文章，彻底掌握mos管！。bychip可替代3、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿，栅极输入阻抗大，感应电荷很难释放，高压很容易击穿绝缘层，造成损坏。 4、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作； 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 2、导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，。MOS管特点 1、输入阻抗非常高，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以他的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。 5、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。。对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。P型衬底在 MOS管内部是和 源级

bychip可替代APM2701AC导读MOS管分类按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管。按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型：增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零； 耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。什么是场效应管？场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。bychip可替代电流ID为0，管子不工作。夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）。 PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。 PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。PMOS价格贵，厂商少，型号少。我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(t

bychip可替代_APM2305AC导读在实际应用中，以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。 结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主，主要还是电压为0的时候，D极和S极能否导通的问题。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。这样的器件被认为是对称的。bychip可替代此参数一般会随结温度的上升而有所降低。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。。对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。AO4286金属栅极被置于氧化物层之上，而这层氧化物又被放置在半导

bychip可替代_APM2054NUC-TRL导读一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。什么是MOS管？这种基本的名词解释还是得用官方的话语说明一下： MOS，是MOSFET的缩写。它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。什么是场效应管？场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。bychip可替代MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区

技术参数频率1879.7 MHz电源电压(DC)3.30 VI/O引脚数80工作温度(Max)85 ℃工作温度(Min)0 ℃电源电压(Max)3.6 V电源电压(Min)2.375 V封装参数安装方式Surface Mount引脚数100封装TQFP-100外形尺寸高度1 mm封装TQFP-100物理参数工作温度0℃ ~ 85℃其他产品生命周期Active包装方式Tray

类型描述类别集成电路（IC）嵌入式CPLD（复杂可编程逻辑器件）制造商Intel系列MAX? II包装托盘产品状态在售可编程类型系统内可编程延迟时间 tpd(1) 最大值7 ns供电电压 - 内部2.5V，3.3V逻辑元件/块数2210宏单元数1700I/O 数272工作温度0°C ~ 85°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳324-BGA供应商器件封装324-FBGA（19x19）基本产品编号EPM2210

 对上的私聊KSZ8081RNAIA-TR MAX31343ETAY+T MAX22025AWA+TEPM240T100C5NMPQ8633AGLE-Z MPQ8633BGLE-ZXC7Z010-1CLG400I PI7C9X2G1616PRBHSBEPI7C9X2G404SLBFDEX PI7C9X2G404SLBFDE需要的sl：SN65HVD3085EDRSN74AVC1T45DBVRSN74LVC1T45DBVRSN74LVC4245ADWRTCA9534APWRTL431BIDBZRTLC5620CDR

商品屬性 屬性值 搜尋類似項目製造商: Intel 產品類型: CPLD - 複式可程式化邏輯裝置 RoHS: 詳細資料 系列: EPM240 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TQFP-100 工作電源電壓: 2.5 V, 3.3 V 大電池數: 192 輸入/輸出數: 80 I/O 最低工作溫度: 0 C 最高工作溫度: + 70 C 最大工作頻率: 304 MHz 傳輸延遲 - 最大值: 4.7 ns 封裝: Tray 品牌: Intel / Altera 存儲類型: Flash 濕度敏感: Yes 邏輯陣列區塊數目 - LAB: 24 邏輯元件數目: 240 運作供電電流: 55 mA 產品類型: CPLD - C

EPM240T100C3N,全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.  还有：IC 二三极管 电容电阻等； 提供全系列配套电子元器件。MAX9247ECMMAX942ESAMAX9675ECQ+MAX9700MAX9814MAX98300MAX9850ETIMB10SMB44C017BBGF-G-D4EMB6MMB6SMBI5026GNSMBR0520LT1GMBR0540MBR10200CTMBR20200MBR20200CTMBR20200CTGMBR2045CTMBR3100MBR360RLGMBR60100PTMBRA140T3GMBRB1045CTMBRB1545CTMBRB1545CTT4GMBRB1645CTMBRB20100MBRB2045CTMBRB2060CTMBRB2060CTGMBRB30H100CT-E3MBRF1660MBRS1100MBRS1100T3GMBRS130LT3-DMBRS140T3MBRS140T3GMBRS190MBRS190T3GMC12017DMC14049BDR2GMC14511BDMC145152P2MC14538BCPGMC145503PMC14566MC146805E2PMC1489MC1496MC1496DR2GMC16C550BMC16C550LMC1733LMC24C08-WDW6TPMC24C16-WDW6TPMC26LS32Dmc33033MC3

智慧城市经常与数字城市、感知城市、无线城市、智能城市、生态城市、低碳城市等区域发展概念相交叉，甚至与电子政务、智能交通、智能电网等行业信息化概念发生混杂。开车出门，最让人“心塞”的除了拥堵，莫过于到了地方找不到停车位。路边大电子屏幕上显示的附近数个停车场里有多少个空位、停车场入口显示屏上告知的空位具体分布、收费情况等实时状况，在一定程度上帮了忙。但其实，人们并不需要到路口或停车场门口才知道相关情况，在手机里下载一个智慧停车管理APP，还没有出门就能实时获悉全城停车场的情况。作为智慧城市建设的一部分，智慧停车管理如今在上海浦东等地已开始实施。“智慧应用和战略正快速改变市民的生活与工作，为城市巨系统的结构完善和功能升级提供基础。”中国城市科学研究会数字城市工程研究中心副主任徐振强博士说。截至2015年9月，我国95%的副省级以上城市、76%的地级以上城市，总计约500多个城市提出或在建智慧城市。但根据美国、欧盟等智慧城市权威机构的测评，我国智慧城市建设水平尚未进入先进行列。我国智慧城市市场规模约4万亿元类似智慧停车管理的智慧城市建设案例还有很多。如：北京市朝阳区的移动电子政务，则可以通过手机“掌上朝阳”系统通告属地各负责人重点环境问题等监督处置情况，提高其工作效率;重庆两江智慧总部基地，通过智慧应用集群，即公众服务、产业云服务、智慧交通、智慧能源管理、智慧城管、智慧景观、智慧环保和智慧城市安全，打造智慧新城。据悉，自2011年我国城镇化率首次突破50%以来，可持续城镇化和城市面临严峻的资源环境、交通压力，城市建设模式迫切需要转型。《新型城镇化发展规划》将智慧城市列为我国城市发展的三