HynixQ3销售增长,中国晶圆厂投产减少反倾销税影响

日前，韩国芯片制造商海力士半导体(HynixSemiconductor)发布了截止9月30日的2006年第三季度财务报告。销售增长带来连续季度盈利，其中很大程度上归功于DRAM芯片的需求增长。

第三季度，根据调整的季度收入报告，Hynix总体销售额为20.6亿美元，比上季度增长18%，与上年同期相比增长了23%。该公司运营利润共计为4.74亿美元，比上季度增长17%。净利润方面也比上季度增长17%，达到4.08亿美元。

在第三季度期间，多项有利因素促使DRAM继续保持热销。预计PC出售量将增长，以及预装微软公司新Vista操作系统的PC需要更多内存支持。NAND闪存市场由于新的MP3播放器型号层出不穷，以及用于闪存卡和USB的内存密度增加，8月份销售情况出现改善。在这样情况下，该公司第三季度DRAM销售价格平均升高约9%，按照容量计算的增长幅度为14%。Hynix在中国无锡设立的8英寸晶圆厂正加速量产，该工厂采用80纳米技术。

在NAND闪存方面，平均售价下跌了约24%，但是按照存储容量计算增长了46%，这应归功于推广70纳米技术和MLC产品旺销。

尽管7月至9月为传统销售旺季，该公司运营利润和净收入却分别比去年同期下跌了9%和26%。这主要因为正在中国建设晶圆厂，导致巨额的初始建设费用，这已经对该公司的边际利润带来负面影响。然而，该公司补充到，这些晶圆厂的成功投产，将会最大限度减少美国、欧洲和日本征收反倾销税的影响。

第三季度期间，Hynix和意法半导体宣布向内存合资工厂Hynix-STSemiconductor公司投资7.5亿美元。