飞兆半导体的先进MOSFET技术降低Miller电荷达35-40%

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布其性能先进的PowerTrench? MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷 (Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷 (Qg)，并改善栅漏电荷对栅源电荷 (Qgd:Qgs) 的比率，在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低Qgd的优势在于减少开关损耗和缩短“死区时间”，以改善稳压性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止栅极误触发，这在MOSFET用作同步整流器时会在开关MOSFET 之间产生短路电流。低RDS(on)对于降低导通损耗非常重要，而低Qg可减少每次开关周期中导通和关断MOSFET所消耗的功率。飞兆半导体所推出的两种新型30V MOSFET -- FDS6294和FDS7288N3.html" target="_blank" title="FDS7288N3">FDS7288N3，具备改进型快速开关技术的优势，分别适用于笔记本电脑和POL (负荷点) 转换器设计。

新型FDS6294具有非常低的Qgd，可为高频、窄占空比开关应用提供优良的性能。在笔记本电脑的高效同步降压电源设计中，极快的开关速度是不可缺少的。在这种应用中，如果器件不能迅速导通和关断，较大的输入至输出电压比率和跨越高端MOSFET的大电压摆动通常会引起过大的开关损耗。FDS6294具有3nC (典型值) 的超低Miller电荷值 (Qgd)，可以大幅缩短转换时间，并结合最大值仅为3毫欧的低RDS(on)，性能凌驾现有的方案。FDS6294采用SO-8封装。

除了具有低Miller电荷、低RDS(on)、低Qg和Qgd:Qgs比率 (少于1) 的出色性能外，新型FDS7288N3.html" target="_blank" title="FDS7288N3">FDS7288N3并采用SO-8 FLMP封装 (倒装引脚铸模封装) ，这种先进的无引线封装技术提供极低的封装结至外壳热阻 (qJC)、低电气阻抗，以及低封装电感。低封装结至外壳热阻是通过从封装底部直接散放热量而实现，使得该器件的效率较传统封装MOSFET高出许多。较低的电气封装阻抗可减少静态损耗，而封装电感的降低也可减少开关损耗。FDS7288N3.html" target="_blank" title="FDS7288N3">FDS7288N3具有出色的热性能，最适合用于高电流密度DC-DC电源应用，常见于计算机服务器、电信设备和互连网集线器及路由器的POL转换器中。

FDS7288N3.html" target="_blank" title="FDS7288N3">FDS7288N3和FDS6294结合FAN5093双相控制器和驱动器组合，构成完整的POL解决方案。而FDS7096N3.html" target="_blank" title="FDS7096N3">FDS7096N3和FDS7288N3.html" target="_blank" title="FDS7288N3">FDS7288N3结合FAN5009驱动器和FAN5019控制器，可以构成用于VRM服务器应用的高效系统解决方案。

FDS7288N3.html" target="_blank" title="FDS7288N3">FDS7288N3属于无铅产品，能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B 标准要求，并符合将于2005年生效的欧盟标准。