飞思卡尔RF功率晶体管的LDMOS性能可达3.8GHz

飞思卡尔(Freescale)日前采用第七代高压(HV7)射频LDMOS技术，推出工作在3.5GHz波段的WiMAX基站的RF功率晶体管。据称这是第一款采用该技术(RF LDCMOS)制造的功率晶体管。目前已能提供12V GaAs PHEMT系列产品，能制造更高功率的GaAs器件，用于WiMAX系统设计以及在2GHz和6GHz间的其它应用。

据称，通过提供RF LDMOS和GaAsPHEMT的功率晶体管，Freescale RF解决方案支持任何大功率无线基础设备的应用，其LDMOS性能达到3.8GHz，GaAs PHEMT性能达到6GHz。

WiMAX系统采用64QAM OFDM信号，QAM OFDM信令对于功率放大器设计者带来一些独特的挑战。在功率回退的RF功率晶体管线性至关重要的，不仅在有掩模要害的广谱形式，而且存在误差向量幅度(EVM)要求。在此之前，硅LDMOS技术在3.5GHz并不提供可接收的RF功率性能。这就意味着化合物半导体器件如GaAs PHEMT是唯一可用的设计器件。

Freescale此款3.5GHz HV7 LDMOS器件提供WiMAX系统所需的效率，线性度和EVM性能，为设计者在化合物半导体和硅LDMOS器件间提供了选择。现在可提供3.5GHz LDMOS的最初器件样品。MRF7S38075H.html" target="_blank" title="MRF7S38075H">MRF7S38075H是具有75W P1dB的RF晶体管，平均功率42dBm(16W)，满足3.5GHz波段WiMAX性能要求。此外，40W和10W P1dB 3.5GHz器件将在2006年第二季度推出。这三种 LDMOS器件目标用在2.3GHz、2.5GHz和3.5GHz新兴WiMAX/WiBRO波段。

据介绍，HV7 LDMOS器件补充了用在3.5GHz WiMAX的12V GaAs PHEMT器件，正在开发的新型高压GaAs器件将工作在6GHz。这使它们非常适合用在这个频率范围的WiMAX和其它无线应用。工作电压超过20V，GaAs器件将会费获得高达100W的功率而依然能满足数字调制系统的严格要求。freescale计划在2006年第三季度提供它的第一个高压GaAs PHEMT器件.