中芯国际透露40nm和32nm工艺开发计划

总部位于上海的中芯国际希望在2011年前完成32nm的开发，并称公司正与IBM商讨32nm技术授权事宜。中芯国际未透露该合作细节。

在65nm节点之前，中芯国际一直自主开发工艺。而去年下半年中芯国际获得了IBM 45nm技术授权。

中芯国际在技术方面落后于其主要竞争对手——特许、台积电和联电。特许作为IBM“fab club”成员，计划于2009年底前推出32nm技术。IBM的32nm技术包括高k金属栅技术。

中芯国际表示，对于目前公司所处的市场地位表示满意，称公司更愿意成为数字电路代工领域的“快速追赶者”。风险投资公司Walden International创始人兼主席Lip-Bu Tan在近日举行的2008中芯国际技术论坛中表示，65nm和45nm技术较之前的节点将存在更长的时间，部分是因为高额的设计、掩模等成本。

相对于竞争对手，中芯国际并未停止不前。“我们落后于最先进的技术一个世代，但我们正在追赶。”中芯国际美国区总裁Sam Wang表示。

然而目前代工市场正在放缓。代工厂的初制晶圆数量正大幅减少。据HSBC Global Technology Research的分析师Steven Pelayo表示，第四季度晶圆代工厂的产能利用率将降低至75％以下。

Wang表示，中芯国际保持对第三季度的预期，但未对第四季度发表评论。

中芯国际的技术路图

今年下半年，中芯国际开始了65nm世代。目前中芯国际计划提供65nm的低功耗、通用和混合信号/RF技术代工，采用4至10层金属布线、铜互联和三层栅氧化等技术。

据称，2008年第三季度中芯国际已进入65nm低功耗技术“工艺验证（process qualification）”阶段。“工艺验证”标志着该技术已可以进行“风险试产（risk production）”。预计年底可投产。

65nm通用技术和混合信号/RF技术将分别在明年第一季度和第二季度进入“工艺验证”阶段。

2009年第三季度前，中芯国际将进入45nm世代，该技术来自IBM的授权，采用4至10层金属布线、铜互联和超低k介质等技术。该工艺将采用193nm沉浸式光刻，设备由ASML提供。

45nm低功耗技术预计将于2009年第三季度进入“工艺验证”阶段。45nm通用技术和混合信号/RF技术将分别于2010年第一季度和第二季度进入“工艺验证”阶段。

中芯国际市场和销售联合副总裁Robert Tsu称，基于客户的需要，中芯国际将开发40nm工艺。40nm技术将于2009年底发布。该技术同样来于IBM的授权。

中芯国际的45nm和40nm工艺将在位于上海的300mm工厂投产。

中芯国际预计32nm工艺将要到2011年第二季度之后才发布。在公司技术路图上，该32nm低功耗技术将于2011年第二季度进入“工艺验证”阶段。

32nm以下节点未出现在中芯国际的技术路图中。