三星、海力士50nm DRAM量产尔必达65nm新制程迎战

三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)56纳米和54纳米世代的DRAM制程喊了半年，年底前确定步入量产，而尔必达(Elpida)为了应战，也宣布65纳米微缩版本年底前量产，与前一版相较，新版65纳米总成本竞争力不输50纳米世代，且不但在尔必达的广岛厂导入，也同步导入力晶和瑞晶；南科和茂德则分别在2009年初导入美光(Micron)68纳米和海力士的54纳米应战，DRAM厂表示，国际大厂的新制程纷纷量产，受到成本持续下降的驱动，DRAM价格年底前止跌是遥遥无期。三星导入56纳米制程和海力士导入54纳米制程的时间点差不多，原本都计划在第2季末量产，但受到良率拉抬不佳的影响，加上下半年DRAM市场的价格也大幅不如预期，不急着这么快转进新制程，因此三星和海力士的56纳米和54纳米进度纷纷延宕，现在在年底前，一定会进入大量供货阶段。尔必达为了应战50纳米世代的来临，也积极进行制程微缩，除了目前以导入量产的65纳米制程外，也推出新版的65纳米制程技术，以原有的65纳米技术作基础，再进一步作微缩，成本结构进一步的下降，以迎接三星和海力士年底展开的50纳米世代大战。尔必达表示，这颗新版的65纳米微缩版，是以1Gb容量的DDR2产品为主，以12寸晶圆厂生产作基础点来计算，此新版本65纳米的颗粒数目可较原先版本多出20%，若与70纳米制程相较，颗粒数可多出60%，成本持续的下降，预计可在年底前量产，同步在广岛厂、瑞晶和力晶作生产。尔必达进一步表示，新版65纳米的竞争力不输同业的50纳米制程，主要是因为转进50纳米制程，其实需要购买的机器设备较多，资本支出自然会提高，因此新版65纳米制程来看，其竞争力其实不会输50纳米世代的制程。以台厂来看，力晶目前已导入技转自尔必达的65纳米制程，预计年底前要再导入新版65纳米，紧跟尔必达制程微缩的脚步，而南科计划2009年初导入美光的68纳米，茂德将导入海力士的54纳米，整体来看，台厂的进度至少晚国际大厂半年之久，这也是一直以来都不具自有技术的宿命。存储器业者表示，年底三星和海力士的56纳米和54纳米量产，等于是成本结构进一步下降，从此角度看，年底前DRAM价格根本没有止跌的机会，虽然现以50纳米生产都不会获利，但三星和海力士至少可以藉由新制程的量产，让亏损少一点，可以再撑久一点不减产，因此在此时间点，DRAM厂新制程的顺利量产，对产业不算是好消息。