ZIPTRONIX对5层CMOS和光电二极管进行封装
日期:2008-1-25
美国Ziptronix与RaytheonVisionSystems(RVS)合作,对5层CMOS元件和光电二极管进行了3维层叠。在层叠时,采用了Ziptronix开发的名为“Directbondinterconnect(DBI)”的3维封装技术。
采用DBI技术,在芯片与晶圆、晶圆与晶圆接合时,也可在室温下实现3维封装。布线间距在10μm以下,布线宽度为2μm左右。此次在形成有CMOS元件的晶圆上,层叠了RVS公司的芯片。布线间距为8μm。可在确保接合部连接性的同时,通过所有光电二极管获取图像。
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