Microsemi宣布新的Power MOS 8穿通型IGBT系列
日期：2008-6-3 Microsemi Corporation宣布推出一个新的高速Power MOS 8(r)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)系列，该系列器件产品采用穿通工艺技术，电压为600V和900V。
新系列的Power MOS 8(r) IGBT器件的应用对象包括有太阳能逆变器、高性能SMPS以及诸如电焊机、电池充电器和感应加热之类的工业设备。
其主要特性为：
·穿通工艺技术
·更加快速的开关工作
·高效率－饱和电压低
·电流拖尾短－使开关损耗最小化
·导通压降VCE(ON)低
新的Power MOS 8(r) IGBT系列的导通损耗低，其600V和900V器件的VCE(ON)－导通压降典型值分别是2.0V和2.5V，因此使整个电路的效率得到提高。由于开关损耗低，新系列的IGBT器件能够工作在高于100kHz的频率—已经非常接近功率MOSFET的工作频率，而且新系列IGBT的成本较低。
Power MOS 8(r) IGBT系列能够提供单个封装的器件，也能够提供与DQ系列快速软恢复二极管封装在一起的组合器件。现在可提供样品。对于批量为1K的订货，单个分立器件的单价为$2.09~ $7.04，组合器件的单价为$3.01~ $9.44。有关产品的技术资料可在Microsemi的网站获得：http://www.microsemi.com。