IR推适合CPU电源应用的 30V MOSFET系列

新器件系列结合IR最新的30VHEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻(RDS(on))非常低，同时把栅极电荷(Qg)和栅漏极电荷(Qgd)减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率MOSFET硅器件和DirectFET封装，新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25A的操作，同时保持单一控制和单一同步MOSFET的小巧体积。”

IRF6724M.html" target="_blank" title="IRF6724M">IRF6724M、IRF6725M.html" target="_blank" title="IRF6725M">IRF6725M、IRF6726M.html" target="_blank" title="IRF6726M">IRF6726M，以及IRF6727M.html" target="_blank" title="IRF6727M">IRF6727M具有极低的RDS(on)特性，非常适合高电流同步MOSFET。这些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。

IRF6721S.html" target="_blank" title="IRF6721S">IRF6721S、IRF6722S.html" target="_blank" title="IRF6722S">IRF6722S与IRF6722M.html" target="_blank" title="IRF6722M">IRF6722M极低的Qg和Qgd，使这些器件非常适用于控制MOSFET。它们还有SQ、ST和MP占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。

新器件符合电子产品有害物质限制规定(RoHs)，并已接受批量订单。