Intel与美光推出34nm NAND芯片, 引领跨入30nm工艺时代

Intel和美光(Micron)日前宣布，其合资公司IM Flash Technologies已经开发出基于34nm工艺的32Gb MLC 芯片，该器件die面积仅为172mm2，将使用300mm晶圆片制造。Intel和美光计划从6月份开始提供样片，量产则在今年晚些时候。

“Intel和Micron的进步令人吃惊，他们在三年之内已经追上并超越了其他竞争者，基本上领衔了这场竞争。”市场调研机构Objective Analysis分析师Jim Handy表示,“使用该工艺，可以在一片300mm晶圆上切割出400片单芯片，可令32Gb FLASH成为第一个突破1美元/GB壁垒的公司。

目前，主流NAND制造商基于50～57nm工艺在300mm晶圆上量产MLC NAND，32Gb MLC NAND闪存的每GB价格在2.5美元左右。IM FLASH成本优势明显。即使考虑到今年大多数NAND制造商将导入40～48nm工艺，对应价位也不低于$1.75/GB，如果NAND价格能保持在其他竞争者的价位，则IM FLASH将获得巨大的利润。

但是，IM FLASH领先优势依然是脆弱而短暂的。NAND的成本不仅取决于die size，还取决于产能和良率，IM FLASH跳过45nm工艺直接进入30nm制程，能否成功导入量产将是非常严峻的挑战。此外，竞争对手也都计划在今年40nm工艺成熟后，于明年跨入30nm工艺时代。

东芝计划在Q2/09导入32nm工艺，并正与SanDisk联合开发3bit/单元的MLC技术，利用该技术，可以在不提升制程的条件下，直接提升NAND密度达50%，从而开发出高达48-Gbit的MLC SanDisk已经发表了采用43nm工艺的16Gbit MLC NAND闪存，该器件将于08年Q2量产。目前，东芝新建的用于NAND制造的Fab 4产能已经达到80,000片/月，并计划于明年将产能提高到210,000片/月，成为全球最大的晶圆厂。

三星也已经于去年底宣布，成功开发出30nm工艺的64Gb 存储芯片，”三星电子投资关系部高级经理KwON Hyosun说到。不过，三星表示，这款新型NAND将要到2009年才会开始生产。此外，三星还对其CTF(Charge Trap Flash)技术寄予厚望，该技术允许其更容易地将NAND工艺缩小到20nm，可以生产出256Gb的NAND芯片。

“该先进工艺将加速计算机市场对SSD的接受过程。” Intel 的NAND产品事业部市场总监Pete Hazen表示。IM Flash期望这款NAND可令下游厂商制造出低成本的大容量SSD固态硬盘，未来1.8寸固态硬盘容量可达256GB以上。

但对于当前NAND市场而言，跨入30nm时代并不是一个好消息，受消费疲软影响，SanDisk已经发表声明说NAND市场将在整个2008年保持过剩，新工艺的导入无疑使该市场雪上加霜。