NEC电子全力挑战40nm工艺LSI
日期：2008-7-11近年来，包括系统LSI在内的ASIC略显低迷。美国Gartner的调查数据显示，1999年设计制作的ASIC有接近9000件，而后逐年减少，07年降到了3000多件。其原因在于，随着微细化的发展，用户要承担的开发费用（包括掩模费用）骤增，因此用户正在逐渐利用无需支付掩模费用的FPGA等来取代ASIC。
实际上，对于系统LSI业务，有日本国内的逻辑LSI厂商表示，“即使设备厂商有意订货，但如果订货量并不是太多的话，我们也无法接受订单，这种情况越来越多”（国内逻辑LSI厂商）。当半导体厂商预计能够收回开发费用的可能性不大时，就只能无奈地忍痛放弃订单。并且，对于40～45nm工艺的系统LSI，有半导体厂商表示“包括掩膜费用在内的开发费用有时会高达数亿日元”（国内半导体厂商）。对于设备厂商来说，系统LSI的门槛可能会越来越高。
在这种情况下，NEC电子此次公布的40nm工艺的系统LSI业务是否能够取得成功还是个未知数。但是，从文章开头的销售计划来看，笔者感觉到该公司为使系统LSI业务获得成功而表现出来的干劲非同寻常。从该公司为40nm工艺的系统LSI准备的关键技术就可以看出这种气势。此次采用的先进技术，其目的在于，与目前最具可能性的竞争对手——FPGA或是同行ASIC厂商拉开明显的差异。
其中，最突出的要属最大512Mbit的DRAM混载技术。目前，能够将大容量DRAM混载到同一芯片上的FPGA尚未问世。从这一意义上来说，这项技术可以说是系统LSI特有的差异化技术。NEC电子表示，“混载DRAM对于今后的SoC来说越来越必要。很多设备厂商担心，在SoC上外置单体DRAM时，有可能无法确保得到存储器厂商的稳定供应。而在SoC上混载DRAM的话，就不用担心这点了。此外，与在板卡上连接SoC和单体DRAM的做法相比，将两者集成在同一芯片上，更易于提高处理性能，并且还可以降低耗电量”（该公司）。
NEC电子应用于40nm工艺的系统LSI的关键技术中，还有名为“1枚超解像”的自主技术。1枚超解像技术是NEC电子与NEC中央研究所联合开发的，可以清晰地显示低分辨率影像的技术，在2008年5月举行的“嵌入式系统开发技术展（ESEC）”上引起了很大反响。该技术由于可以提高显示器上显示的图片和视频的分辨率，所以可以被广泛应用于手机及数字家电等产品中，因而被定位于NEC电子的差异化技术。