STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH3技术降低导通电阻提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效

功率半导体世界领先厂商意法半导体进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源|稳压器内。SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。

620V的STx6N62K3是新推出的SuperMESH3系列产品的首款产品，随后还将推出620V的STx3N62K3和525V 的STx7N52K3 和STx6N52K3。利用SuperMESH3技术可以降低导通电阻的优点，在620V电压下，DPAK封装的STD6N62K3.html" target="_blank" title="STD6N62K3">STD6N62K3把导通电阻RDS(on)降低到 1.28Ω；在525V电压下，STD7N52K3.html" target="_blank" title="STD7N52K3">STD7N52K3把导通电阻RDS(on)降低到0.98Ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(Trr)、栅电荷量和本征电容，提高开关性能和工作频率。

优化的垂直结构和带状拓扑的融合，为意法半导体的SuperMESH3技术增添了一个新的优点：即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性，SuperMESH3器件全部经过了100%的雪崩测试，并集成了齐纳二极管保护功能。

在可比的快速恢复高压晶体管技术中，SuperMESH3的单位面积导通电阻最小，受益于这项技术， STx6N62K3、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可以使用比同级别产品尺寸更小的封装，如DPAK。这可以节省晶体管的占位面积和电路板空间，同时，在开关和散热性能方面，还能与尺寸更大的产品媲美。

STx6N62K3采用IPAK、DPAK、TO-220和TO-220FP封装。

2.5Ω的STx3N62K3将采用IPAK、DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封装。0.98Ω的STx7N52K3将采用DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封装，1.2Ω的STx6N52K3将采用DPAK和TO-220FP封装。这些产品将丰富SuperMESH3 620V和525V系列产品组合，新产品将于2008年第四季度投产。