Alchimer推出可降低高级硅通孔金属化成本的AquiVia沉积工艺

日前，Alchimer股份有限公司宣布，其AquiVia 低成本沉积工艺已经可以投入生产应用。与传统的干法工艺相比，采用AquiVia工艺，硅通孔（TSV）金属化的总拥有成本最高可降低65%。

AquiVia工艺首次将硅通孔金属化制程中的绝缘层、阻挡层和晶种层的湿法沉积工艺结合起来。这种独特的完全堆叠方法采用Alchimer的Electrografting（eG）和Chemicalgrafting（cG）专利技术，从而在各层之间形成稳固的共价键。采用这一工艺，在18:1及更高深宽比的硅通孔上就可以形成台阶覆盖性和一致性优良的镀覆层，即使是采用DRIE/Bosch工艺产生的十分明显的扇形（scalloped）硅通孔腐蚀断面也同样适用。

此外，采用AquiVia工艺，客户还可利用现有的镀覆设备实现绝缘层、阻挡层、晶种层的沉积。该工艺彻底避免了过去在硅通孔金属化过程中使用的各项干法工艺技术，最高可使孔堆叠金属化的拥有成本降低三分之二。

公司首席执行官Steve Lerner说，“全球正处在艰难的经济市场环境中，AquiVia集

成工艺的推出，使Alchimer技术在拥有成本方面的效益更加突出。采用AquiVia，客户只需最少的追加投资，就能够达到极高深宽比通孔所需的制造水平。人们对这些优势的认识越来越深，我们从客户对该工艺的兴趣和客户取得的收益就可以看出这一点。”

Electrografting是Alchimer公司突破性的沉积专利技术，以具体的有机前体为基础，利用水溶液化学技术，实现电介质和导体纳米薄膜的超高台阶覆盖性沉积。与传统的干法工艺相比，AquiVia支持较低的操作温度。此外，基于聚合物的绝缘层本身也具有屈从性，这有利于解除硅通孔结构中的应力。

Alchimer最近还宣布，公司改进了硅通孔铜晶种金属化过程所使用的eG ViaCoat工艺。eG ViaCoat工艺是AquiVia工艺的三个组成部分之一，客户不需要改进翻新或更改设备，利用已有的镀覆设备就能使镀覆一致性水平达到或超过行业质量标准。