飞兆发布150V MOSFET器件 有助降低EMI

近日飞兆半导体公司 (FaIRchild SemicONductor) 发布一款具有低R_DS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33n℃)的150V MOSFET器件FDMS86200.html" target="_blank" title="FDMS86200">FDMS86200 ，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。

FDMS86200.html" target="_blank" title="FDMS86200">FDMS86200 使用屏蔽栅极MOSFET技术来设计，具有较低的开关噪声和振铃噪声，有助于降低EMI。如果没有这项专有技术功能，设计人员则需被迫选择一个200V MOSFET器件，从而令到R_DS(ON) 增加一倍，导致总体效率降低。飞兆半导体的FDMS86200.html" target="_blank" title="FDMS86200">FDMS86200 还带有经改进的体二极管，能够通过减少损耗来提升开关性能。该器件利用飞兆半导体先进的工艺技术和封装技术，以及系统专有技术，并采用5mm x 6mm MLP封装，具有效率高、功耗较低和散热较少的特性。

飞兆半导体公司提供最广泛的MOSFET产品系列，让设计人员能够选择多种技术，找到满足应用需求的合适MOSFET。飞兆半导体拥有独特的功能、工艺和封装创新及总体系统专有技术之组合，而其MOSFET产品系列具有广泛的击穿电压范围(20V-1000V)，以及从1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封装的先进封装技术，能够推动电子制造商实现更出色的创新。