Vishay功率MOSFET荣获“中国优秀电子产品”奖

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，其SiR662DPtrenchfet-ic/" title="VishaySiliconixSiR662DPTrenchFET">VishaySiliconixSiR662DPTrenchFET®荣获专业媒体《电子技术应用》(AET)的“中国优秀电子产品”奖。

在采用SO-8或PowerPAK®SO-8封装的60V器件中，SiR662DP60vn-ic/" title="SiR662DP60VN">SiR662DP60VN沟道功率MOSFET具有业内最低的导通电阻，以及60V器件中最低的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)。对于设计者，更低的MOSFET导通电阻使得传导损耗更低，可减少功耗，尤其是在重负载条件下。低FOM减少了HFA1103IB.html" target="_blank" title="HFA1103IB">HFA1103IB高频和开关应用中的开关损耗，特别是在轻负载和待机模式下。器件的高效率使设计者能够提高系统的功率密度，或同时在更绿色的设计方案中实现更低的能源损耗。

在两个月的时间内，用户通过投票的方式选出了中国优秀电子产品奖的获奖者。118款提名产品中有31款获奖，SiR662DP荣获分立元器件类的奖项。《电子技术应用》创刊于1975年，内容覆盖中国的电子、通信、工业控制和计算机行业。这是该杂志第三年评选中国优秀电子产品奖。