飞兆获选为“年度电源产品奖”

飞兆半导体公司(FaIRchild SemicONductor)近期宣布，其Ultra FRFET系列MOSFET在由《电子工程专辑》杂志举办的2011年中国电子成就奖中，获选为“年度电源产品奖”得奖产品。

飞兆半导体资深副总裁金台勋博士称：“这个奖项是由《电子工程专辑》的读者投票评选的，因而代表我们开发这项技术所付出的努力时间得到了中国工程师的认可，这令人感到自豪。Ultra FRFET系列器件能够帮助用户保持领先的创新水平和领导地位，开发出推动世界经济发展并改善人们日常生活的产品。”

飞兆半导体在2月24日于深圳举办的2011年中国电子成就奖颁奖典礼上接受奖项。

获奖的Ultra FRFET系列器件瞄准液晶电视电源应用。飞兆半导体通过在Ultra FRFET系列半桥解决方案中采用先进技术，进一步优化设计，提供35ns~65ns的同类最佳反向恢复时间(trr)和业界最小的反向恢复电流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶电视设计使用MOSFET和半桥电路中的两个快速恢复二极管(FRD)及两个阻隔二极管来实现非零电压切换，使用FRD可以用来减小反向恢复电流。阻隔二极管可以防止MOSFET的内建二极管导通，并消除二极管的大反向恢复电流。

金博士表示：“Ultra FRFET系列MOSFET是具有突破性的解决方案，与目前使用的传统方法相比，该方案能为中国的设计工程师提供了显着的优势，能够减少元件数量、简化设计并提高可靠性，从而大幅降低成本。Ultra FRFET系列MOSFET赢得中国电子成就奖年度电源产品奖，进一步证实飞兆半导体实践承诺，提供帮助客户取得成功的卓越技术。”

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