Microsemi发布新一代超高效非穿通型IGBT

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(MicrosemiCorporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)推出新一代1200V非穿通型(non-punchthrough，NPT)IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端PowerMOS8™技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器FYP2004DN.html" target="_blank" title="FYP2004DN">FYP2004DN和不间断与开关电源等应用。

美高森美新的分立元件产品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。这些器件可以单独提供，或者与任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二极管组合封装提供，以便简化产品开发和制造。

APT40GR120B晶体管采用TO-247封装，APT40GR120S采用表面安装D3PAK封装，APT40GR120B2D30则是T-MAX®封装器件，包含了一个30A反并联超快恢复二极管，采用美高森美的专有“DQ”系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造。

其它特性包括：

·相比竞争产品，栅极电荷(Qg)显著减少，具有更快的开关性能；

·硬开关运行频率大于80KHz，实现更高效的功率转换；

·易于并联(Vcesat的正温度系数)，提升大功率应用的可靠性；

·额定短路耐受时间(ShortCircuitWithstandTime，SCWT)，在需要短路能力的应用中实现可靠运作