东芝拟投资7千亿日元强化NAND型闪存研发生产

据日本《产经新闻》5月12日报道，东芝11日发布消息称，将在今后3年扩大投资7千亿日元(约合人民币427亿元)，用于位于三重县四日市工厂的半导体生产设备更新换代。据了解，此次东芝将会引进最先进的设备，以强化在智能手机等需求正在逐步扩大的“NAND型闪存”数据保存用半导体的竞争力，力求追赶上在这个领域位于世界第一的韩国三星电子。

据报道，东芝将与合作伙伴美国半导体巨头赛瑞克斯平摊此次的设备投资金额，并分数次进行运作。事实上，面对智能手机和平板电脑方面不断增加的市场需求，东芝已于2013年夏季就开始在四日市工厂内建设新的厂房，而新的厂房今年秋季即可投入生产。在设备投资方面，这栋厂房预计将会投入4千亿日元。而由于为了研发最先端的小型大容量化技术和具有立体构造的下一代产品“三次元内存”，此次的实际投资额将极有可能超出预期数值。除此之外，东芝还将会在今后逐步更新现有厂房中的原有设备，而这项投资在未来3年的总额也将会达到7亿日元左右。

据美国IHS调查公司称，NAND型闪存去年的全球市场份额(基于销售额)，三星占了34.7%，东芝次之占到32.2%。此次面对已经开始着手量产下一代三次元产品的三星电子，东芝希望可以通过此番积极投资能够再展雄风。