三星采用14nm FinFET工艺量产可穿戴设备用处理器 新动态
日期：2016-10-20韩国三星电子公司2016年10月11日宣布，开始量产面向可穿戴设备的应用处理器IC“Exynos 7 Dual 7270”(英文发布资料)。采用该公司的14nm FinFET工艺制造。
新产品集成了2个“ARM Cortex-A53”CPU内核。据三星介绍，与采用28nm平面CMOS工艺制造的以往产品相比，新产品的功率效率提高了20%。另外，新产品还内置了CAT.4 LTE 2CA调制解调器、Wi-Fi电路、蓝牙电路、FM广播和GNSS(GLOBAL Navigation Satellite SYSTEM，全球卫星导航系统)电路等。
三星将利用自己的SiP(System-in-Package)-ePoP(embedded Package-on-Package)封装技术，将新产品与DRAM、NAND闪存、PMIC(Power Management INTEGRATED CIRCUIT，电源管理集成电路)集成在一个封装内提供。通过采用这种方式，在保持与上一代产品相同的封装面积(100mm2)的同时，高度降低了30%。
另外，三星正在面向设备厂商提供由新产品、NFC(Near Field Communication)及各种传感器组成的参考平台。Exynos 7 Dual 7270的价格等尚未公布。