三星电子宣布其10纳米（nm）FinFET工艺技术的产能正在稳步提升。

据国外媒体phonearena报道，三星电子宣布其10纳米（nm）FinFET工艺技术的产能正在稳步提升。与此同时，还将发力8nm和6nm工艺技术的研发。

三星昨天宣布称，它正在加快生产10nm芯片。目前为止，已经将70000多颗第一代LPE（低功耗早期）硅晶片交付给客户。三星自家的猎户座8895，以及高通的骁龙835，都采用这种工艺制造。三星电子执行副总裁Jongshik Yoon介绍，10nm第二代LPP版和第三代LPU版将分别在年底和明年进入批量生产。芯片工艺的升级都会经历这样一个循序渐进的过程，仍记得骁龙810/820第一代LPE版的过热问题曾困扰高通很久，在随后更新的骁龙821中解决了这个问题。他表示，我们将继续提供业内最具竞争力的工艺技术。三星还同时宣布将向其当前的工艺路线图中添加8nm和6nm工艺技术。与现有的工艺相比，它们将“提供更大的可扩展性，性能和功耗优势”，8nm和6nm将继承使用10nm和7nm工艺的技术创新。8nm和6nm工艺的所有技术细节将在5月24日美国举行的三星铸造论坛上公布。 这也许意味着明年手机将会搭载性能更好功耗更低的芯片处理器。